Литература:
Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектрники, М.: БИНОМ, 2011, с. 54-83.
Парменов Ю.А. Элементы твердотельной наноэлектроники. Учебное пособие. М.: МИЭТ, 2011, гл. 2.
Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. Ч.1, М., Техносфера, 2002, с. 9-128.
Sze S.M., Ng К.К., Physics of Semiconductor Devices, Wiley, 2007, р. 197-227.
Taur Y., Ning T.H., Fundamentals of Modern VLSI Device, 2009, p. 72-106.
Tsividis Ya. Operation and Modeling оf the MOS transistor, 2011.
Задание для срс
1.Изучить материал лекции №2 по конспекту и по литературным источникам.
2. Для подготовки к следующей лекции ознакомиться с её материалом по конспекту лекции №3. При подготовке рекомендуется восстановить в памяти знания по физике работы МДП транзисторов по книге В.И. Старосельский «Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники».- М: Высшее образование, Юрайт-Издат, 2009, с.133-253.
Вопросы для самопроверки
Нарисуйте энергетическую диаграмму полупроводника р-типа (п-типа) на границе сильной инверсии.
Дайте определение порогового напряжения.
Напишите выражение для толщины обедненной области МДП-структуры при напряжении на затворе, равном пороговому.
Напишите формулу связи напряжения на затворе с поверхностным потенциалом в полупроводнике.
Напишите выражение для порогового напряжения МДП-структуры.
Какова зависимость плотности носителей в канале от напряжения на затворе в надпороговом режиме?
Какова зависимость между поверхностной плотностью электронов в канале и поверхностным потенциалом в подпороговом и надпороговом режимах?
Напишите выражение для емкости инверсионного слоя в подпороговом и надпороговом режимах.
Напишите выражение для полной емкости МОП-структуры.
Нарисуйте вольтфарадную характеристику МОП-структуры и объясните её.
Что такое эквивалентная электрическая толщина подзатворного окисла?
1
Поверхностная
концентрация электронов определяется
как
,
где
- объемная концентрация.
2
Для МДП структуры с двумя электродами
будем использовать для напряжения
затвора обозначение
(напряжение затвор-подложка). В МДП
транзисторе под затворным напряжением
будем понимать напряжение затвор-исток:
.
Очевидно
.
3
Тот же результат
может быть получен при расчете
эффективного поля по формуле
