- •1.Межатомное взаимодействие. Влияние энергии межатомного взаимодействия на свойства материалов.
- •2. Химическое взаимодействие атомов. Влияние типа химической связи на свойства материалов
- •3. Точечные дефекты кристаллической решетки. Термодинамика точечных дефектов. Влияние точечных дефектов на свойства материалов.
- •4. Линейные дефекты кристаллических решеток. Влияние линейных дефектов на свойства материалов.
- •1.4.2 Линейные дефекты кристаллической решетки.
- •5. Поверхностные дефекты кристаллических решеток. Влияние поверхностных дефектов на свойства материалов
- •1.4.5 Энергетические дефекты кристаллической решетки.
- •7. Материалы высокой проводимости. Требования к материалам высокой проводимости. Принципы получения материалов высокой проводимости.
- •9 Принципы выбора материалов для разрывных контактов
- •8. Металлические материалы высокого удельного сопротивления. Требования предъявляемы е к таким материалам. Принципы получения материалов высокого удельного сопротивления.
- •10 Принципы выбора материалов для скользящих контактов.
- •11. Принципы выбора материалов для зажимных контактов.
- •12. Принципы выбора материалов для цельнометаллических контактов.
- •13. Влияние напряженности электрического поля на электропроводность диэлектриков.
- •14. Влияние температуры на электропроводность диэлектриков.
- •15. Механизмы поляризации диэлектриков.
- •16. Влияние температуры и частоты на диэлектрическую проницаемость материалов с различными видами поляризации.
- •18 Тангенс угла диэлектрических потерь, Влияние температуры, частоты поля, природы материала на величину тангенса угла потерь
- •2.3.2 Влияние частоты электрического поля на тангенс угла потерь неполярных диэлектриков.
- •2.3.3 Влияние температуры на тангенс угла потерь в полярных диэлектриках
- •2.3.4. Влияние частоты электрического поля на тангенс угла диэлектрических потерь для полярных диэлектриков
- •19. Природа электрохимического пробоя диэлектриков. Влияние состава на стойкость к электрохимическому пробою диэлектриков.
- •20. Природа электротеплового пробоя диэлектриков.
- •21. Природа электрического пробоя диэлектриков. Влияние агрегатного состояния на стойкость к электрическому пробою. Электрический пробой газов
- •22. Активные диэлектрики. Применение активных диэлектриков.
- •23. Природа ферромагнетизма, диамагнетизма и парамагнетизма.
- •24.Влияние напряженности магнитного поля на величину магнитной индукции.
- •25. Принципы получения магнитомягких материалов.
- •1. Межатомное взаимодействие, влияние энергии межатомного взаимодействия на свойства материалов.
- •2.Типы химических связей между атомами, влияние типа связи на свойства материалов.
- •3. Точечные дефекты кристаллической решетки. Влияние точечных дефектов не свойства материалов.
- •4. Линейные дефекты кристаллической решетки, влияние линейных дефектов на свойства материалов.
- •5. Поверхностные дефекты кристаллической решетки, влияние поверхностных дефектов на свойства материалов.
- •6. Объемные дефекты кристаллических решеток. Влияние объемных дефектов на свойства материалов.
- •7. Металлические материалы высокой электропроводности.
- •Принципы выбора материалов высокой электропроводности.
- •8. Металлические материалы высокого сопротивления.
- •9. Принципы выбора материалов для разрывных контактов.
- •10. Принципы выбора материалов для скользящих контактов.
- •11. Принципы выбора материалов для зажимных контактов.
- •13. Влияние напряженности электрического поля на электропроводность диэлектриков.
- •14. Влияние температуры на электропроводность диэлектриков и проводников.
- •15. Поляризация диэлектриков, виды поляризации, механизмы поляризации. Влияние внешних условий на поляризацию диэлектриков.
- •16.Влияние температуры на диэлектрическую проницаемость диэлектриков с ионной связью.
- •18. Потери энергии электрического поля в диэлектриках. Влияние внешних условий и особенностей строения диэлектриков на тангенс угла диэлектрических потерь
- •17 18. Влияние частоты электрического поля на тангенс угла потерь полярных и неполярных диэлектриков
- •1. Влияние частоты электрического поля на тангенс угла потерь неполярных диэлектриков.
- •2. Влияние частоты электрического поля на тангенс угла диэлектрических потерь для полярных диэлектриков
- •Влияние частоты электрического поля на тангенс угла потерь полярных и неполярных диэлектриков
- •1. Влияние частоты электрического поля на тангенс угла потерь неполярных диэлектриков.
- •2. Влияние частоты электрического поля на тангенс угла диэлектрических потерь для полярных диэлектриков
- •19. Электрохимический пробой диэлектриков.
- •20. Электротепловой пробой диэлектриков.
- •21. Природа электрического пробоя диэлектриков. Механизмы электрического пробоя.
- •22. Особенности поляризации в активных диэлектриках
- •23. Природа ферромагнетизма.
- •24. Влияние напряженности магнитного поля на величину магнитной индукции
- •25.Принципы получения магнитомягких материалов
- •26.Принципы получения магнитотвердых материалов
16. Влияние температуры и частоты на диэлектрическую проницаемость материалов с различными видами поляризации.
Диэлектрическая проницаемость полярных веществ сильно зависит от их температуры и частоты внешнего электрического поля. При низких температурах, когда подвижность молекул и радикалов, входящих в состав молекул, мала, поворот диполей на большие углы невозможен, и в материале наблюдается поляризация электронного упругого смещения и дипольно-упругая поляризация. В связи с этим диэлектрическая проницаемость полярных материалов при низких температурах мала (e=2-2,5). С возрастанием температуры подвижность диполей увеличивается, и облегчается их ориентация под действием внешнего поля. Следовательно, диэлектрическая проницаемость растет. Однако при дальнейшем росте температуры кинетическая энергия теплового движения диполей возрастает настолько, что броуновское движение диполей разрушает ориентацию, задаваемую внешним полем. Поэтому диэлектрическая проницаемость снижается (см. рис. 31). Таким образом, зависимость e=f(t) для веществ с дипольно-релаксационной поляризацией имеет характерную форму "холма".
Рис.31. Зависимость
диэлектрической проницаемости от
температуры и от частоты электрического
поля (f1>f2).

При возрастании температуры объем диэлектрика возрастает, и диэлектрическая проницаемость, в соответствии с выражением (2.3), уменьшается (рис. 28). Особенно заметно уменьшение e при плавлении и испарении диэлектриков, когда их объем существенно возрастает.
В неполярных диэлектриках диэлектрическая проницаемость практически не зависит от частоты внешнего поля. Это связано с тем, что частота вращения электронов на орбитах велика ~ 1015 -1016 Гц. Поляризация упругого электронного смещения
Повышение температуры увеличивает межатомные расстояния, вследствие чего связь между отдельными ионами ослабляется, и облегчается взаимное смещение ионов под действием внешнего электрического поля. Поэтому при повышении температуры диэлектрическая проницаемость ионных кристаллов возрастает (рис. 30). Поляризация упругого ионного смещения Время установления этого механизма поляризации сравнимо с периодом оптических колебаний ионов в кристаллической решетки и составляет 10-12-10-13 с. Поэтому до частот 1012- 1013 Гц диэлектрическая проницаемость веществ с ионной связью не зависит от частоты внешнего поля.
.Влияние
температуры на диэлектрическую
проницаемость материалов с различными
механизмами поляризации.
Поляризация
упругого электронного смещения. Этот
вид поляризации связан со смещением
электронных оболочек атомов относительно
ядер и имеет место во всех диэлектриках,
за исключением абсолютного вакуума.
Рис.
30. Зависимость диэлектрической
проницаемости от температуры для ионных
кристаллов.
При
возрастании температуры объем диэлектрика
возрастает, и диэлектрическая
проницаемость, в соответствии с выражением
(2.3), уменьшается (рис. 28). Особенно заметно
уменьшение e при
плавлении и испарении диэлектриков,
когда их объем существенно
возрастает.
(2.3)
Рис.
28. Зависимость диэлектрической
проницаемости от температуры для
неполярных диэлектриков.
Поляризация
упругого ионного смещения вызвана
упругим смешением ионов из равновесных
положений под действием внешнего
электрического поля.
Повышение
температуры увеличивает межатомные
расстояния, вследствие чего связь между
отдельными ионами ослабляется, и
облегчается взаимное смещение ионов
под действием внешнего электрического
поля. Поэтому при повышении температуры
диэлектрическая проницаемость ионных
кристаллов возрастает (рис.
30).
Дипольно-релаксационная
поляризация наблюдается
во многих твердых и жидких диэлектриках
с полярными группами: компаунды, бакелит,
аминопласты и др. При дипольно-релаксационной
поляризации происходит смещение полярных
молекул или смещение радикалов, входящих
в состав крупных молекул.
Рис.31.
Зависимость диэлектрической проницаемости
от температуры и от частоты электрического
поля (f1>f2).
Диэлектрическая
проницаемость полярных веществ сильно
зависит от их температуры и частоты
внешнего электрического поля. При низких
температурах, когда подвижность молекул
и радикалов, входящих в состав молекул,
мала, поворот диполей на большие углы
невозможен, и в материале наблюдается
поляризация электронного упругого
смещения и дипольно-упругая поляризация.
В связи с этим диэлектрическая
проницаемость полярных материалов при
низких температурах мала (e=2-2,5). С
возрастанием температуры подвижность
диполей увеличивается, и облегчается
их ориентация под действием внешнего
поля. Следовательно, диэлектрическая
проницаемость растет. При дальнейшем
росте температуры кинетическая энергия
теплового движения диполей возрастает
настолько, что броуновское движение
диполей разрушает ориентацию, задаваемую
внешним полем. Диэлектрическая
проницаемость снижается (см. рис.
31).
17.
Влияние
частоты электрического поля на тангенс
угла потерь в полярных и не полярных
диэлектриков.
При
нахождении диэлектрика в электрическом
поле в нем развиваются два
процесса: электропроводность
и поляризация.
Оба процесса сопровождаются потерями
энергии электрического поля. Потери
на электропроводность при росте частоты
снижаются.
Однако на определенных частотах резко
возрастает резонансная поляризация,
поэтому коэффициент диэлектрических
потерь Кd на
этих частотах резко возрастает. На
рис.39 показана зависимость коэффициента
диэлектрических потерь от частоты
электрического поля для диэлектрика
сложного состава. На определенных
частотах начинается резонансная
поляризация полярных молекул различных
компонентов диэлектрика, а следовательно,
возрастают потери.
Наличие
максимумов коэффициента диэлектрических
потерь на определенных частотах
ограничивает применение полярных
диэлектриков в высоко частотных полях.
Так, в качестве изоляции в высокочастотных
радиокабелях типа РК-75 используется
полиэтилен с неполярными молекулами.
В силовых проводах типа АППВ в качестве
материала изоляции используется
полихлорвинил с полярными молекулами.
Если в радиокабеле вместо полиэтилена
использовать полихлорвинил, то при
рабочих частотах – десятки и сотни
мегагерц – потери будут настолько
велики, что сигнал по кабелю проходить
не будет. Напротив, в силовом кабеле
недопустимо использовать в качестве
изоляции полиэтилен, поскольку у
материалов с неполярными молекулами
прочность существенно ниже, чем у
материалов с полярными молекулами.
Влияние
частоты электрического поля на тангенс
угла потерь неполярных диэлектриков.
С
увеличением частоты электрического
поля длина пробега ионов за время
полупериода колебаний уменьшается, а
следовательно, уменьшается запасенная
ими кинетическая энергия. Кроме того,
снижается вероятность столкновения
иона со структурными единицами материала.
В силу этих причин при росте частоты
электрического поля диэлектрические
потери снижаются (рис. 36).

