16.Влияние температуры на диэлектрическую проницаемость диэлектриков с ионной связью.

Повышение температуры увеличивает меж-атомные расстояния, вследствие чего связь между отдельными ионами ослабляется, и облегчается взаимное смещение ионов под действием внешнего электрического поля. Поэтому при повышении температуры диэлектрическая проницаемость ион-ных кристаллов возрастает (рис. 30).

Рис. 30. Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры для ионных кристаллов.

Время установления этого механизма поляризации сравнимо с периодом оптических колебаний ионов в кристаллической решетки и составляет 10-12-10-13 с. Поэтому до частот 1012- 1013 Гц диэлектрическая проницаемость веществ с ионной связью не зависит от частоты внешнего поля.

(Поляризация упругого ионного смещения. Этот вид поляризации вызван упругим смешением ионов из равновесных положений под действием внешнего электрического поля. Он характерен для ионных кристаллов (мрамор, поваренная соль, слюда, кварц и др.). Важно отметить, что в таких материалах, наряду с поляризацией упругого ионного смещения, присутствует и поляризация упругого электронного смещения. Из приведенных данных следует, что величина поляризации возрастает с увеличением радиусов ионов и с увеличением их зарядов).

18. Потери энергии электрического поля в диэлектриках. Влияние внешних условий и особенностей строения диэлектриков на тангенс угла диэлектрических потерь

Под действием электр-ого поля в диэлек-ке развиваются два основных процесса: поляризация и сквозная электропр-сть. Развитие этих процессов может привести к рассеянию энергии электрич-ого поля в диэлек-ке в виде тепла. Так, под действием электр-ого поля свободные носители заряда набирают кинет-ую энергию и, сталкиваясь с молекулами вещ-ва, передают им эту энергию. Т-м об-ом, энергия электрич-ого поля трансформируется в тепловую энергию материала. Кроме того, в случае, когда структурные единицы вещ-ва (молекулы) полярны, внешнее электр-ое поле совершает работу по повороту диполей по полю, и, , энергия поля вновь рассеивается в материале.

Для количеств-ой оценки величины диэлектр-их потерь используют понятие тангенс угла диэлектрических потерь.

В идеальном диэлектрике сдвиг фаз между напряжением и реактивной составляющей тока равен 90 градусам. В реальном диэлектрике появляется активная составляющая тока. Поэтому векторная диаграмма токов и напряжений выглядит, как показано на рисунке 3.10.

Зная величину напряжения, круговую частоту и емкость, можно определить реактивную составляю-щую тока:

Ip=U**C . (7)

Тогда активная составляющая тока определится как:

Ia=Ip*tg . (8)

Рассеиваемую мощность можно определить следующим образом:

Р=UIa= UCtg . (9)

Рис. 3.10. Векторная диаграмма токов и напряжений в реальном диэлектрике

Таким образом, tg можно использовать в качестве меры потерь энергии поля в диэлектрике.

Рассмотрим зависимости tg от температуры в полярных и неполярных диэлектриках.

С увеличением температуры концентрация носителей заряда в диэлектрике повышается, поскольку увеличивается вероятность выхода иона из потенциальной ямы . Поэтому вероятность столкновения носителя заряда со структурной единицей вещества также растет. Следовательно, при увеличении температуры потери на сквозную электропроводность возрастают. В неполярных диэлектриках реализуется упругая электронная или упругая ионная поляризация. Как известно, при развитии упругих процессов потерь энергии нет, поэтому в неполярных диэлектриках основной вид потерь-потери за счет сквозной электропроводности.

В полярных диэлектриках, помимо потерь на сквозную электропроводность, появляются потери на поляризацию, то есть внешнее электрическое поле совершает работу по повороту диполей.

Помимо потерь энергии поля на поляризацию, в полярных диэлектриках существуют потери на сквозную электропроводность. Так, в полярных диэлектриках концентрация носителей заряда, как правило, повышена, поскольку из-за полярности молекул основного материала очистка его от примесей затруднена.