Заключение к поликристаллическому методу
В заключение рассмотрения поликристаллического метода отметим следующие особенности дифракционной картины, которые наиболее четко проявляются при фотографическом способе регистрациии цилиндрических и плоских образцов. В самом начале при обсуждении вида дифракционной картины от поликристалла принимали некоторые допущения относительно размера кристаллитов в поликристаллических образцах и их взаимной ориентации. При среднем линейном размере кристаллитов L 1 мкм и их хаотичном расположении друг относительно друга на рентгенограмме получаются сплошные, равномерно почерненные дебаевские линии. Как изменяется вид дифракционной картины, если эти условия не будут выполняться?
1) Если L 1 мкм (~ 10 мкм), то в облучаемом объеме может оказаться недостаточно кристаллитов для получения сплошных дебаевских линий. В этом случае линии будут не сплошные, а точечные (рис. 25). Можно показать, что чем больше размер L, тем меньше число точек на дебаевском кольце.
Рис. 25. Схематичный вид дебаеграммы (а) и заксограммы (б) при L 1 мкм
Для получения сплошных дебаевских линий образец необходимо вращать для увеличения числа кристалликов в облучаемом объеме.
2) Если L 1 мкм, но нет полной разориентации кристалликов, то дебаевские линии не будут равномерно почерненные, а вдоль дебаевского кольца будут наблюдаться уплотнения почеренения, вполне закономерно располо-
Рис. 26. Схематичный вид текстурограммы при съемке “на просвет”
женные, как это показано, например, на рис. 26. Их называют текстурными максимумами. Такой вид рентгенограммы может быть использован для анализа текстуры в поликристаллическом образце.
3) Наконец, если L 1 мкм и имеется преимущественная ориентация кристаллитов, то текстурные максимумы будут не сплошными, а точечными. Такой вид текстурограммы может наблюдаться в результате рекристаллизации пластически деформированного металла или сплава.
Таким образом, с помощью поликристаллического метода можно решать такие задачи, как индицирование рентгенограмм и определение типа решетки Браве; определять размеры кристалликов; проводить изучение текстуры.
Кроме того, есть много других материаловедческих задач, которые можно решать описанным методом, а именно: проводить качественный и количественный фазовый анализ, проводить прецизионное определение периода кристаллической решетки и идентифицировать вещество; изучать диаграммы состояния эвтектического типа; определять внутренние напряжения и характеристики субструктуры; изучать дислокационную структуру и др.