68. Химические и гальванические процессы изготовления печатных плат

Этапы:

1)Подготовка поверхности;

2)Сенсибилизация – повышение чувствительности к меди

3)Активация;

4)Хим-е гальван-е меднение;

5)Гальван-е осаждение припоя (олово-свинец);

6)Травление – хим-й процесс, котором участки которые не защищены удаляются. Вкл. в себя: предварит-я отчистка, травление Ме, очистка после травления, удаление фоторезиста (хлорная медь, смесь хлорного Fe и меди)

69. Типовые технологические процессы изготовления печатных плат

Делят на субтрактиный, аддитивный и полуаддитивные.

Субтрактиный – заключается в избирательном удалении фольги путем травления

Аддитивный – осаждение слоя на нефальгиров-й материал

Полуаддитивные – предварит-ое нанесение тонкого проводящего слоя с последующим удалением лишнего.

В соот-и со стандартами конструиров-е след-ет производить след-и методами:

1)Химическим для однослойных ПП (на фольгу – позитивный рисунок и удал-е ненужного)

2)Комб.-позитивн. – для двухслойных ПП (для 2-х строн-й ПП с Ме отверстиями на 2-х сторонах фальгированного диэлектрика)

3)Метод метализации для многослойных ПП (для многослойной ПП).

70. Типовые технологические процессы сборки и монтажа печатных плат

Пайка:

-низкой t>450C (олово-свинец, висмут, кадмий)

-высокой t<450C.

Групповые методы пайки:

1)пайка с погружением группой.

До пайки с погружением группой:

-очистка

-защита от пайки – краска (маска); бум, лента

-покрытие флюсом и подогрев;

-погружение платы в припой;

-вкл-е вибратора ( в сл-е погружения в припой);

-время погружения зависит от температуры.

Недостатки:

-коробление платы;

-Быстрое окисление расплавленного припоя

2)Пайка волной припоя:

-меньший нагрев плат

-меньшее коробление;

-чистая (не окисленная волна припоя).

Сварка:

-термокомпрессионная с косв. импульсным нагревом

-с расщипл. Электроном.

71. Технология изготовления тонкопленочных ис

Тонкоплен ИМС – ИМС, все элементы и межсоед-я кот-й выполнены на одной общей подложке в виде пленок из резистивных, диэлектрич, проводящих и др-х материалов толщиной от неск-х сотых до десятых долей мк. "+": возм-ть получения резисторов и конденсаторов с широким диапазоном парам при высокой точности; высок темпер стабильность; возможн автоматизации процесса напыления. "-": нельзя получить активные элементы на используемых соврем подложках или их высокая стоимость; сравнит высокая стоимость оборудования; работа в условиях глубокого вакуума.

Элем-ты тонкопл-х ИМС: Резисторы в виде полосок, у кот l>>d (материал – сплавы мет, рений, тантал, хром, вольфрам и тд); Конденсаторы (полоски, в виде "слоеного пирожка"; диэлектр прослойка – SiO₂, прокладки – Al); Соединит проводники (проводящ пленка; требования – низк сопротивление, коррозийная стойкость, хорош адгезия).

Удовл всем требованиям не существует => используют двухслойные: 1) материал с хорош адгезией (но высок сопротивл) и 2) матер с низк сопротивлен, хорошей пайкой.

Материалы для получ ИС: керамика, стекло, ситал, фотоситал. Верхний слой для очистки выбивается ионной бомбардировкой.

Методы контроля толщины пленки: 1) резистивный – измерение сопротивления полученной пленки (точность <=5%); 2) микровзвешивание (5-10%); 3) радиочастотный – по частоте колебания определяется масса; 4) оптический (интерференционный).