- •Елементна база електронних апаратів
- •1.1.2 Напівпровідники з електронною електропровідністю
- •1.1.3 Напівпровідники з дірковою електропровідністю
- •1.2 Струми в напівпровідниках
- •1.2.1 Дрейфовий струм
- •1.2.2 Дифузійний струм
- •1.3 Контактні явища
- •1.3.1 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •1.3.2 Пряме включення p-n переходу
- •1.3.3 Зворотне включення р-п-переходу
- •1.3.4 Теоретична вольтамперная характеристика p-n переходу
- •1.3.5 Реальна вольтамперная характеристика p-n переходу
- •1.3.6 Ємності p-n переходу
- •1.4 Різновиди електричних переходів
- •1.4.1 Гетероперехіди
- •1.4.2 Контакт між напівпровідниками одного типу електропровідності
- •1.4.3 Контакт металу з напівпровідником
- •1.4.4 Омічні контакти
- •1.4.5 Явища на поверхні напівпровідника
- •2 Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація
- •2.2 Випрямні діоди
- •2.3 Стабілітрони і стабістори
- •2.4 Універсальні і імпульсні діоди
- •2.5 Варікапи
- •3 Біполярні транзистори
- •3.1 Принцип дії біполярного транзистора. Режими роботи.
- •3.1.1 Загальні відомості
- •3.1.2 Фізичні процеси в бездрейфовом біполярному транзисторі при роботі в активному режимі.
- •3.2 Статичні характеристики біполярних транзисторів
- •3.2.1 Схема із загальною базою
- •3.2.2 Схема із загальним емітером
- •3.2.3 Вплив температури на статичні характеристики бт
- •3.3 Диференціальні параметри біполярного транзистора
- •3.4 Лінійна (малосигнальна) модель біполярного транзистора
- •3.5 Частотні властивості біполярного транзистора
- •3.6 Способи поліпшення частотних властивостей біполярних транзисторів
- •3.7 Робота транзистора в підсилювальному режимі
- •3.8 Особливості роботи транзистора в імпульсному режимі
- •3.8.1 Робота транзистора в режимі посилення імпульсів малої амплітуди
- •3.8.2 Робота транзистора в режимі перемикання
- •3.8.3 Перехідні процеси при перемиканні транзистора
- •4 Польові транзистори
- •4.1 Польовий транзистор з p-n переходом.
- •4.2 Польовий транзистор з ізольованим затвором (мдп-транзистор).
2 Напівпровідникові діоди
2.1 Класифікація
Класифікація напівпровідникових діодів проводиться за наступними ознаками:
- методу виготовлення переходу: сплавні, дифузійні, планарные, точкові, діоди Шотки і др.;
- матеріалу: германієві, кремнієві, арсенидо-галієві і др.;
- фізичним процесам, на використанні яких заснована робота діода: тунельні, лавинно-пролітні, фотодіоди, світлодіоди. діоди Ганна і др.;
- призначенню: випрямні, універсальні, імпульсні, стабілітрони, детекторні, параметричні, змішувачі, СВЧ-діоди і ін.
Деякі з вказаних типів діодів за призначенням будуть розглянуті в справжньому розділі, а інші - у відповідних розділах навчального посібника.
2.2 Випрямні діоди
Випрямними звичайно називають діоди, призначені для перетворення змінної напруги промислової частоти (50 або 400 Гц) в постійне. Основою діода є звичайний p-n перехід. У практичних випадках p-n перехід діода має достатню площу для того, щоб забезпечити великий прямий струм. Для отримання великих зворотних (пробивних) напруг діод звичайно виконується з високоомного матеріалу.
Основними параметрами, що характеризують випрямні діоди, є (рисунок 2.1):
- максимальний прямий струм Iпр max;
- падіння напруги на діоді при заданому значенні прямого струму Iпр (Uпр 0.3...0,7 В для германієвих діодів і Uпр 0,8...1,2 В -для кремнієвих);
- максимально допустима постійна зворотна напруга діода
Uобр max ;
- зворотний струм Iобр при заданій зворотній напрузі Uобр (значення зворотного струму германієвих діодів на два -три порядки більше, ніж у кремнієвих);
- бар'єрна ємність діода при подачі на нього зворотної напруги деякої величини;
- діапазон частот, в якому можлива робота діода без істотного зниження випрямленого струму;
- робочий діапазон температур (германієві діоди працюють в діапазоні -60...+70°С, кремнієві - в діапазоні -60...+150°С, що пояснюється малими зворотними струмами кремнієвих діодів).
Рисунок 2.1 До визначення параметрів випрямних діодів.
Випрямні діоди звичайно підрозділяються на діоди малої, середньої і великої потужності, розраховані на випрямлений струм до 0.3, від 0,3 до 10 і понад 10 А відповідно.
Для роботи на високих напругах (до 1500 В) призначені випрямні стовпи, що є послідовно сполученими p-n переходами, конструктивно об'єднаними в одному корпусі. Випускаються також випрямні матриці і блоки, що мають в одному корпусі по чотири або вісім діодів, що сполучені по мостовій схемі випрямляча і мають Iпр max до 1 А і Uo6p max до 600 В.
При протіканні великих прямих струмів Iпр і певному падінні напруги на діоді Uпp B йому виділяється велика потужність. Для відведення даної потужності діод повинен мати великі розміри p-n переходу, корпусу і висновків. Для поліпшення теплоотвода використовуються радіатори або різні способи примусового охолоджування (повітря або навіть водяне).
Серед випрямних діодів слід виділити особливо діод з бар'єром Шотки. Цей діод характеризується високою швидкодією і малим падінням напруги (Uпp < 0,6 В). До недоліків діода слід віднести малу пробивну напругу і великі зворотні струми.
