- •Коефіцієнт дифузії може бути виражений формулою
- •4.3.1. Зв'язані стани електронів
- •4.3.2. Квантові ефекти в неперервному спектрі.
- •4.3.3. Щільність станів електронів у квантових ямах
- •Тоді для щільності станів маємо
- •Покажемо, як обчислюються інтеграли типу (4.65). Розглянемо інтеграл
- •Тепер амплітуда хвиль, праворуч бар'єра буде такою:
- •Виконуючи операцію прямого матричного добутку, отримаємо
- •4.6.1. Дві зв'язані квантові ями
- •4.6.2. Енергія електронів у надґратках
- •При цьому енергію можна записати як
- •Для того, щоб співвідношення (3.58) виконувалося для хвильової функції (4.181), необхідно щоб
- •У цих формулах енергія руху електронів у площині ями
- •4.6.3. Щільність станів надґратки
- •4.8.1. Хвильові функції та енергетичні підзони електронів у квантових нитках
- •При цьому енергія квантової частинки запишеться як
- •4.8.2. Щільність станів квазіодновимірного електронного газу
- •4.8.3. Квантовий електронний транспорт. Формула
- •Проінтегрувавши формулу (4.269), отримаємо
- •Звідси знайдемо струм, що проходить через прилад,
- •Узагальнення на випадок тривимірного руху очевидне:
- •Умови початку лазерної генерації запишемо у вигляді
- •Список літератури
4.3.3. Щільність станів електронів у квантових ямах
Важливою характеристикою квантової системи є кількість станів, що припадають на інтервал енергії (E, E+δE):
.
(4.74)
Тут фактор 2 враховує те, що кожен із n рівнів у ямі є дворазово виродженим по спіну. Рух електронів у квантовій ямі є тривимірним. Це підтверджує закон дисперсії (4.42), що пов'язує двовимірний рух у площині ями з рухом поперек ями. Тобто, двовимірна підзона, що репрезентує рух у площині ями, може бути пов'язаною з кожним із квантових зв'язаних станів у ямі. Щільність станів у цьому випадку визначаємо за формулою
.
(4.75)
Площу зразка вважаємо великою, тобто використовуватимемо циклічні умови Борна–Кармана для координат x та y. Знаходимо
,
.
(4.76)
З іншого боку великі значення планарних розмірів ями дозволяють використати правило заміни суми на інтеграл
.
(4.77)
Тоді для щільності станів маємо
.
(4.78)
Покажемо, як обчислюються інтеграли типу (4.65). Розглянемо інтеграл
.
(4.79)
По-перше
зазначимо, що при
і a
>
0
інтеграл (4.79)
тотожно дорівнює 0. У випадку, коли
скористаємось відомими формулами
(4.80)
та
.
(4.81)
Тоді замість (4.79) маємо
(4.82)
Оскільки
аргумент дельта-функції у другому
доданку підінтегральної функції у
(4.82)
може дорівнювати 0 лише, коли
,
а в першому доданку тільки, коли
,
то обидва доданки при інтегруванні
дають по одиниці, оскільки y
змінюється у всьому діапазоні
.
У результаті маємо
.
(4.83)
Для обчислення цього інтеграла треба визначити межі інтегрування. Виходитимемо з таких міркувань. Аргумент у першій дельта-функції в (4.82) може дорівнювати 0 лише за виконання умови
,
(4.84)
або
.
Тоді маємо
.
(4.85)
Згадуючи,
що в цій формулі
,
отримаємо остаточно
,
(4.86)
де
– функція Хевісайда
(4.87)
Т
аким
чином, щільність станів носіїв у квантовій
ямі є східцеподібною (рис. 4.13).
На практиці часто застосовують щільність
станів на одиницю площі. При цьому,
зникає залежність від геометричних
розмірів системи у площині двовимірного
шару. Кожний доданок у формулі (4.86)
відповідає внеску від окремої підзони.
Тобто, щільність станів двовимірного
електронного газу є східцеподібною, де
кожна сходинка пов'язана з енергією
.
Порівнюючи щільність станів для
тривимірного та двовимірного електронних
газів, бачимо, що відмінність максимально
проявляється для найнижчих підзон. Зі
зростанням номера підзони ця відмінність
становиться все меншою і майже зникає
при великих значеннях n.
Такі зміни в поведінці щільності станів
двовимірного електронного газу є
наслідками одновимірного конфайнменту
або прямими наслідками низької розмірності
системи. Ці зміни можуть призводити до
істотних змін у поведінці електронів.
У
реальних системах кожна сходинка функції
(4.74)
згладжується за рахунок розсіяння на
дефектах. Цей ефект добре описується
емпіричним правилом, згідно з яким
функція Хевісайда замінюється на таку:
(4.88)
із
параметром поширення
.
Якщо згідно з формулою (4.75)
при
і для об'ємного матеріалу з енергетичною
щілиною
поглинання світла можливе лише при
,
то завдяки нерівності
для квантової ями край смуги поглинання
буде зсунуто в синю область. Цей зсув
залежить від ширини ями і варіює від
нуля до декількох сотень міліелектронвольт.
4.4. Поперечний транспорт через подвійну
гетероструктуру
У попередньому підрозділі ми розглядали стани та рух електронів у структурах із квантовими ямами. До найпростіших планарних структур з ефектами просторового квантування відносять окрім квантових ям також подвійні гетероструктури, що утворюють бар'єри для поперечного руху електронів. Перед розглядом деяких ефектів поперечного транспорту в таких структурах, нагадаємо деякі відомості з теорії матриць переходу, застосування якої суттєво спростить викладення і допоможе краще зрозуміти фізику процесів у цих структурах.
4.4.1. Матриця переходу (Т-матриця).
Ідея та застосування
Для
того, щоб чітко уявити ідею Т-матриці,
розглянемо розсіяння квантової частинки
на деякому потенціалі. Нехай, наприклад,
це буде східцеподібний потенціальний
бар'єр висотою
,
розташова-
|
Рис. 4.14. Потенціальний бар'єр |
(4.89)
Для виконання вимоги неперервності хвильової функції та її похідної прирівнюємо значення хвильових функцій та їхніх похідних на бар'єрі. Маємо
,
.
(4.90)
Звідси можемо отримати зв'язок між коефіцієнтами, що визначають амплітуду хвильових процесів у перед- та підбар'єрній областях:
,
(4.91)
.
(4.92)
|
Рис. 4.15. Коефіцієнт проходження квантовою частинкою прямокутного бар'єра висотою 0,3 еВ (синя крива). Червона лінія відповідає коефіцієнту проходження класичної частинки |
,
(4.93)
а амплітуда хвилі, що пройшла бар'єр,
.
(4.94)
При цьому коефіцієнт проходження потоку частинок є відношенням потоку частинок, що пройшли бар'єр, до потоку частинок, що падають на бар'єр, і дорівнює
.
(4.95)
Коефіцієнт відбиття є відношенням потоку частинок, відбитих від бар'єра, до потоку частинок, що падає на бар'єр,
.
(4.96)
Легко бачити, що при цьому зберігається неперервність потоку
.
(4.97)
Поведінку
коефіцієнта проходження бар'єра (0,3 еВ)
частинкою
показано на рис. 4.15.
Зрозуміло, що у випадку
у кінцевих формулах треба виконати
заміну
.
Процес, що описується хвильовою функцією (4.89) із коефіцієнтами (4.91), можна зобразити діаграмою (рис. 4.16).
|
Рис. 4.16. Діаграма процесу розсіяння квантової частинки на однобар'єрній перешкоді
|
Система рівнянь (4.91) може бути переписаною в матричній (або в операторній) формі
.
(4.98)
Для
одноактного процесу розсіяння переваг
уведення Т-матриці
явно не спостерігається. Але якщо ми
розглянемо більш складний процес
послідовного розсіяння на двох бар'єрах,
як це показано діаграмою на рис. 4.17,
то впевнимось у перевазі методу. Амлпітуди
хвиль частинок, що пройшли з області 1
в область 2 задаються амплітудами хвиль
в першій області й Т-матрицею
.
Амплітуди хвиль в області 3 у свою чергу
пов'язані з амплітудами хвиль у другій
області матрицею
.
Таким чином
,
.
(4.99)
Тепер легко пов'язати амплітуди хвиль у третій області з амплітудами хвиль у першій області
.
(4.100)
Т
обто,
для того, щоб знайти амплітуду хвильового
процесу при n-разовому
розсіянні хвиль, треба просто знайти
відповідну Т-матрицю,
яка є простим добутком n
матриць одноразового розсіяння. Цей
метод добре працює у випадку, коли
визначення Т-матриці
елементарного акту розсіяння на всіх
етапах складного процесу є простою
рекурентною задачею.
Повертаючись до процесу розсіяння частинки, яка, рухаючись зліва направо, розсіюється потенціальною сходинкою, запишемо
.
(4.101)
При цьому
,
.
(4.102)
Т-матриця визначається такими елементами:
.
(4.103)
Тепер легко узагальнимо метод обчислення коефіцієнта проходження квантовою частинкою багатобар'єрної структури. Нехай частинка рухається у структурі, що складається з n бар'єрів, коефіцієнти проходження яких відомі (рис. 4.18). Розглядаючи послідовно процеси розсіяння на кожному бар'єрі, як це робилось у випадку двобар'єрної структури, запишемо
.
(4.104)
Таким чином, ми отримали дуже важливий результат, що є основою методу Т-матриці, а саме:
коефіцієнт проходження n-бар'єрної структури дорівнює добутку матриць переходу кожного з бар'єрів.
З
ауважимо,
що формули для Т-матриці,
отримані вище, записані для випадку,
коли границя бар'єра розташована на
початку координат. Далі нам знадобиться
явний вигляд Т-матриці
для бар'єра, що розташований у довільній
точці координатної осі, скажімо z
= d.
Оскільки амплітуда хвильової функції
змінюється лише при переході частинкою
бар'єра, то зсув бар'єра на відстань d
призведе лише до зміни фази хвильової
функції. Тоді можна припустити, що
тільки на такі фазові множники і будуть
відрізнятись компоненти Т-матриць
Т(0)
та Т(d).
Для знаходження такого зв'язку ми
спочатку транслюємо систему координат
на d.
Тоді
у новій системі координат
.
Тепер падаюча хвиля, яка мала вигляд
,
перетвориться
.
Тобто її амплітуда домножиться на фактор
.
Аналогічно амплітуда хвилі, що рухається
у протилежному напрямку, повинна
домножуватись на фактор
.
Таку операцію можна записати як добуток
діагональної матриці на вектор амплітуд:
.
(4.105)
