Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Проектирование ППТ (посл. ред.РИО).doc
Скачиваний:
81
Добавлен:
01.03.2025
Размер:
6 Мб
Скачать
☆

8.6. Справочные данные по транзисторам

Таблица 22

Мощные транзисторы полевые, корпус ТО220

Наименование

Технология

Uс-и max, В

Iс N, A

∆Uс-и, В

Pmax, Вт

IRF1104/IR

N, NEX

40

100

2–4

170

IRF1405/IR

N, NEX

55

169

2–4

330

IRF710/Its

N, MOS

400

2

2–4

38

BUZ80A/Ph

N, MOS

800

3

2,1–4

75

IRF620/STM

N, MOS

200

6

2–4

70

IRF740/IR

N, NEX

400

10

2–4

125

IRF6215/IR

P, NEX

-150

13

(-2) –(-4)

110

IRF9530N/IR

P, NEX

-100

14

(-2) –(-4)

110

IRF9540N/IR

P, NEX

-100

23

(-2) –(-4)

200

IRF5305N/IR

N, NEX

-55

31

(-2) –(-4)

200

IRF5210N/IR

N, NEX

-100

40

(-2) –(-4)

87

IRF3710/IR

N, NEX

100

57

2–4

88

IRF3707/IR

N, NEX

30

62

2–4

180

IRF3706/IR

N, NEX

20

77

0,6–2

170

IRF1010N/IR

N, NEX

55

85

2–4

330

STP80NF10/STM

N, MOS

100

80

2–4

210

STP12NB30/STM

N, MOS

300

12

3–5

125

STP80NF10/STM

N, MOS

500

12

3–5

110

STP80NF10/STM

N, MOS

600

6

2–4

125

STP80NF10/STM

N, MOS

800

5,4

3–5

125

STP80NF10/STM

N, MOS

1000

5

3–5

135

Таблица 23

Мощные транзисторы полевые, корпус Module-s

Наименование

Iс max,

A

Uс-и раб,

В

Pmax,

Вт

Rс-и нас,

мОм

Iз-и

max, мA

Rп.к,

оС/мВт

Θmax

раб

оС

EFM119

15

100

1000

200

100

300

125

EFM109S

12

500

1000

400

100

300

125

EFM089S

24

100

1000

110

100

300

125

EFM079M113

32

100

960

140

100

300

150

EFM049

8

400

1000

800

100

300

125

BSM181F

34

800

700

320

100

180

150

BSM151F

56

500

700

110

100

180

150

BSM121AR

130

200

700

20

100

180

150

BSM111AR

200

100

700

8,5

100

180

150

EFM029S

7,0

500

1000

1,1

100

300

125

Таблица 24

Мощные транзисторы полевые отечественные

Наименование

Тип корпуcа

Uс-и max, В

Iс N, A

∆Uc-и, В

Pmax, Вт

tсп, нс

tвкл, нс

tрасс, мкс

КП946А

ТО220

500

15

0,7

40

55

80

0,7

КП948А

ТО220

800

5

0,3

20

100

80

1,3

КП948В

ТО220

700

5

0,3

20

100

80

1,3

КП953А

ТО218

800

15

0,45

50

150

150

2,0

КП953Г

ТО218

600

15

0,45

50

150

150

2,0

КП954А

ТО220

150

20

0,3

40

50

50

0,3

КП954Б

ТО220

100

20

0,3

40

50

50

0,3

КП954В

ТО220

60

20

0,25

40

50

50

0,5

КП955А

ТО218

500

25

0,6

50

100

100

1,5

К95П8А

ТО218

150

30

0,2

70

60

80

0,5

Таблица 25

Транзисторы IGBT, корпус ТО220

Производитель International Rectifier

Наименование

Uкэ.max, В

Iк, А

∆Uкэ.нас,В

Pк max, Вт

tвкл, нс

IRG4BC10К

600

9

2,39

38

11

IRG4BC10SD

600

14

1,58

38

76

IRG4BC20F

600

16

1,66

60

24

IRG4BC20SD

600

19

1,40

60

62

IRG4BC20UD

600

13

1,85

60

39

IRG4BC30FD

600

31

1,59

100

42

IRG4BC30FD

600

28

2,21

100

60

IRG4BC30S

600

34

1,40

100

22

IRG4BC30U

600

23

1,95

100

17

IRG4BC40F

600

49

1,50

160

26

IRG4BC30S

600

40

1,72

160

34

Таблица 26

Мощные транзисторы биполярные отечественные

Наименование

Тип корпуса

Uкэ огр, В

Uкбо проб, В

Iк max, A

Iк,и max, А

Pк max, Вт

h21э, ед.

∆Uкэ нас, В

tрасс, мкс

tсп, мкс

КТ704

КТ-10

600

1000

2,5

4,0

15

10-100

≤5,0

-

-

КТ810А

КТ-28

500

850

5

7,0

70

10-50

≤1,0

≤4,0

≤0,3

КТ812А

КТ-9

350

700

10

12,0

50

5-30

≤2,5

≤3,5

≤1,3

КТ818А

КТ-28

400

700

4

8,0

50

10-60

≤0,5

≤1,8

≤0,3

КТ826Б

КТ-9

600

1000

1

1,0

15

10-120

≤2,5

≤2,5

≤0,7

КТ838А

КТ-9

700

1500

5

7,5

56

6-35

≤1,0

≤10

≤1,5

КТ844А

КТ-9

250

250

10

20

50

10-50

≤2,5

≤2,0

≤0,3

КТ846А

КТ-9

700

1500

5

7,5

40

15-100

≤1,5

≤4,0

≤0,3

КТ847А

КТ-9

360

650

15

25,0

125

≥8

≤1,5

≤3,0

≤0,8

КТ858А

КТ-28

200

400

7

10,0

60

≥10

≤1,0

≤2,5

≤0,7

КТ935Б

КТ-97

75

150

20

30,0

90

15-50

≤1,0

≤1,5

≤0,2

КТ997А

КТ-28

45

45

10

20,0

50

40

≤1,0

≤0,5

≤0,1

2КТ945А

КТ-9

150

150

15

25,0

50

12-60

≤2,5

≤1,1

≤0,24

2КТ998

КТ-10

55

100

15

15,0

50

≥30

≤1,5

≤0,2

≤0,05

2Т827А

КТ-9

100

100

20

40

125

≥750

≤2,0

≤4,5

≤1,2

2Т834А

КТ-9

400

500

15

20

100

≥150

≤2,0

≤6,0

≤0,5

Таблица 27

Мощные импортные транзисторы биполярные

Наименование

Uкэ огр, В

Iк max,

A

Pк max,

Вт

h21э,

ед.

∆Uкэ

нас,

В

tрасc,

мкс

tсп,

мкс

Rп.к, оС/мВт

Θmax

раб.,

оС

1D200AO20

300

200

800

100

2,5

2,0

3,0

-

-

1D1200Z100

1000

200

1400

100

2,8

2,5

2,0

89

150

1D1300A000

400

300

800

150

2,0

2,5

1,2

156

150

1D1300Z100

1000

300

2000

100

2,8

2,5

2,0

63

150

1D130F050

600

30

200

100

2,0

3,0

4,0

620

150

1D1400A120

1200

400

3120

100

2,5

3,0

3,0

40

150

2SD915

650

30

300

100

2,0

3,0

4,0

410

150

B2TD019

600

10

150

20

2,5

2,5

15

300

125

B2TD039

400

20

150

40

2,5

0,5

1,8

300

125

B2TD059

800

20

150

50

2,5

1,8

1,8

300

125

B2TD109

400

40

150

50

2,5

1,2

0,9

300

125

B2TD139S

1000

50

150

100

2,5

3,0

3,0

300

125

B2TD149

250

60

150

750

2,5

1,0

0,5

300

125

SK75DB060D

600

75

500

75

2,5

2,5

3,0

350

150

SK75DB100D

1000

75

500

75

2,5

2,5

3,0

250

150

SK50DM060D

600

50

310

75

2,0

1,5

3,0

400

150

SK50DB100D

1000

50

400

75

2,5

2,5

3,0

310

150

SK30DB045D

450

45

189

40

3,0

-

0,7

660

150

SK15DB080D

800

23

189

15

3,0

-

1,5

660

150

SK30DB100D

1000

30

300

75

2,5

2,5

3,0

400

150

SK150DB060D

1000

150

1000

75

2,5

3,0

3,0

125

150

Таблица 28