- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Передмова
- •Елементи фізики напівпровідників та електронно- діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Домішкова провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Види струмів у напівпровідниках
- •Лекція 2 електронно-дірковий перехід
- •2.1 Електронно-дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •3.1.2 Ємності переходу
- •3.1.3 Реальна вах р-n-переходу
- •3.1.5 Різновиди електричних переходів та контактів
- •Лекція 4 напівпровідникові діоди
- •4.1 Класифікація та система позначень діодів
- •4.1.1 Випрямлювальні діоди
- •Параметри випрямлювальних діодів
- •4.1.2 Напівпровідникові стабілітрони
- •5.1.2 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •5.1.3 Тунельні та обернені діоди
- •5.1.4 Варикапи
- •6.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •6.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •6.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •Лекція 7 характеристики біполярних транзисторів
- •7.1 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •7.1.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •7.1.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •7.1.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним колектором
- •Лекція 8 параметри біполярних транзисторів
- •8.1 Граничні режими транзистора. Робочий діапазон температур
- •8.1.1 Пробої транзистора
- •8.1.2 Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •8.2 Диференційні параметри біполярного транзистора
- •8.2.1 Оцінка властивостей транзистора
- •8.2.2 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •9.1.2 Схема зі спільним емітером
- •9.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •9.2.1 Схема з фіксованим струмом бази
- •9.2.2 Схема з фіксованим потенціалом бази
- •9.2.3 Схема з температурною стабілізацією в емітерному колі.
- •9.2.4 Схема каскаду зі спільною базою та автоматичним зміщенням робочої точки
- •9.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •9.3.1 Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •Лекція 10 деякі різновиди біполярних транзисторів
- •10.1 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •10.1.1 Вплив ємностей переходів і розподільного опору бази на частотні властивості транзистора
- •10.2 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •10.3 Одноперехідний транзистор
- •10.4 Високочастотні малопотужні транзистори
- •10.5 Потужні транзистори
- •Лекція 11 польові транзистори
- •11.1 Польові транзистори з керувальними p-n-переходами
- •11.1.1 Статичні вхідні характеристики
- •11.1.2 Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •11.1.3 Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •11.1.4 Диференційні параметри польових транзисторів
- •11.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •11.2.1 Ефект поля.
- •11.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •Лекція 12 динамічний режим роботи польових транзисторів
- •12.1 Підсилювальні каскади на польовому транзисторі
- •12.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •12.3 Потужні польові транзистори
- •12.3.1 Потужні мдн - транзистори
- •12.3.3 Транзистори з статичною індукцією
- •Лекція 13 тиристори
- •13.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •13.1.2 Диністорний режим
- •13.1.3 Триністорний режим
- •13.1.4 Симістори
- •13.2 Способи комутації тиристорів
- •13.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Лекція 14 оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •14.1 Загальні відомості
- •14.2 Випромінюючі діоди
- •14.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •14.3.1 Фоторезистори
- •14.3.2 Фотодіоди
- •14.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •14.4 Оптрони та їх застосування
- •Список скорочень
- •Список літератури
- •10.2 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі 128
- •12.1 Підсилювальні каскади на польовому транзисторі 160
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
13.1.3 Триністорний режим
Триністор відрізняється від диністора наявністю третього виводу, з’єднаного з базовою областю. Ця обставина дозволяє керувати величиною напруги вмикання , змінюючи струм у колі керувального електрода.
Керувальний електрод може з’єднуватися з будь-якою базою тиристора (рисунок 13.5, а, б).
Рисунок 13.5 – Структура триністора: а – з керуванням за катодом; б – з керуванням за анодом; в – сім’я ВАХ триністора
Збільшуючи
струму керування
,
можна збільшити коефіцієнт передачі
струму
відповідного емітера, це приводить до
того, що рівність
+
=1
виконуватиметься при меншій анодній
напрузі і ввімкнення тиристора
відбуватиметься при меншому значенні
(рисунок 13.5, в). Фізично це означає, що
накопичення надлишкових зарядів у
базах структури відбуватиметься швидше,
ніж у випадку диністора, тому що джерело
напруги керування у колі будь-якої з
баз прискорює інжекцію через відповідний
ЕП.
Струм
і напруга кола керування невеликі,
струм у анодному колі може досягати
одиниць амперів (у тиристорах середньої
потужності) або десятків – сотень
амперів (в силових тиристорах) при
анодних напругах від десятків – сотень
вольтів до тисяч вольтів. Тому триністори
– це своєрідні підсилювачі потужності
з коефіцієнтом підсилення
.
Триністори серед інших тиристорних структур мають найбільше практичне застосування в електроніці. Для більшого керування тиристором керувальний електрод з’єднують з базою, що має меншу ширину, оскільки коефіцієнтом передачі струму емітера саме такої транзисторної структури (n-p-n – на рисунку 13.5, а і p-n-p – на рисунку 13.5, б) легше керувати, ніж коефіцієнтом передачі транзистора з товстою базою.
13.1.4 Симістори
Симетричний тиристор, або симістор, - це тиристор, який має практично однакові ВАХ при різних полярностях прикладеної напруги. Симістор являє собою багатошарову структуру - - - - - типу, що складається з п’яти напівпровідникових областей, типи провідності яких чергуються і які утворюють чотири - переходи (рисунок 13.6).
Рисунок 13.6 – Структура (а, б) та ВАХ (в) симетричного тиристора
Якщо
до такого тиристора прикласти напругу
плюсом до області
,
а мінусом до області
(рисунок 13.6, а), то перехід I
увімкнеться в зворотному напрямі, і
струм, що проходить через нього, буде
дуже малим. Робочою частиною у такому
режимі буде
-
-
-
- структура, в якій відбуватимуться
процеси, звичайні для диністора.
Якщо
зовнішню напругу прикласти плюсом до
області
,
а мінусом до області
,
то в зворотному напрямі ввімкнеться
перехід 4, і робочою частиною симістора
буде диністор структури
-
-
-
(рисунок 13.6, б).
Таким чином, симістор може бути поданий у вигляді двох тиристорів, увімкнених паралельно і назустріч один одному. ВАХ симістора показана на рисунку 13.6, в.
13.2 Способи комутації тиристорів
13.2.1 Увімкнення тиристорів
Крім описаного у попередньому параграфі способу вмикання тиристора шляхом повільного збільшення анодної напруги до величини , існують й інші способи.
1 Вмикання за допомогою струму керування.
Цей
спосіб уможливлює вмикання тиристора
у триністорному режимі у разі, коли на
аноді приладу є деяка напруга (
<
).
Тоді, збільшуючи струм
,
можна ввімкнути тиристор. Найбільш
поширеним способом керування є імпульсний
спосіб. При цьому процес накопичення
нерівноважних носіїв відбувається не
миттєво, і тому для ввімкнення тиристора
необхідно, щоб імпульс струму керування
мав певну тривалість і амплітуду.
Розглянемо випадок керування за
катодом. Час перемикання тиристора
можна розбити на два інтервали, що
відповідають різним законам зміни
струму через тиристор (рисунок 13.7). Час
затримки
визначається
часом дифузії інжектованих з
емітера
електронів через
базу
до КП. Струм через КП і, отже, тиристор
зростатимуть відчутно лише тоді, коли
інжектовані електрони досягнуть КП.
На діаграмі рисунку 13.7 – не проміжок
часу, за який струм збільшиться до 0.1
від усталеного значення (або час, за
який анодна напруга на тиристорі
знизиться до 0.9 від свого початкового
значення).
Рисунок 13.7 – Перехідні процеси струму і напруги при вмиканні тиристора
Час
наростання
зв’язаний
з інерційністю процесу накопичення
нерівноважних носіїв заряду в базах
тиристора. За цей проміжок часу струм
анода різко зростає до величини 0.9
,
а напруга на аноді зменшується від 0.9
до 0.1
.
Це інтервал часу відповідає перебуванню
робочої точки на ділянці негативного
диференційного опору (ділянка III
на ВАХ рисунка 13.2,
в), і тому процес перемикання має
регенеративний, лавиноподібний,
нестійкий характер. Цей процес обов’язково
закінчиться зміною стану приладу,
навіть якщо в цей час припиниться дія
імпульсу керування . Саме тому тривалість
імпульсу управління може вибиратись
у межах
.
Закінчення перемикання тиристора
відповідає моменту, коли знак напруги
на КП зміниться на протилежний. Реальна
тривалість імпульсу керування досягає
15-20 мкс. Після закінчення імпульсу
тиристор перебуватиме у відкритому
стані і надалі, якщо
,
або
(див. ВАХ рисунок 13.2, в), тобто якщо робоча
точка буде на IV ділянці ВАХ.
Процес відкривання тиристора за допомогою імпульсу струму керування має ще й інші особливості. Спочатку відкривання КП відбувається у вузькому каналі біля клерувального електрода.
Оскільки більша частина амплітуди імпульсу керування падає на розподільному опорі бази, і тому інжекція через ЕП збільшується не на всій його площі, а на ділянці біля керувального електрода. Виникає струмопровідний “шнур”, який може призвести до локального перегріву тиристорної структури. Лише потім за рахунок дифузії носіїв канал розширюється на всю площу переходу.
2 Увімкнення тиристора за допомогою імпульсу анодної напруги
При імпульсному керуванні за анодом також спостерігається явище, коли напруга вмикання зменшується порівняно з напругою вмикання у неперервному режимі. Тиристор умикатиметься за допомогою імпульсу анодної напруги, амплітуда якого менша за величину в режимі, коли напруга на аноді тиристора зростає повільно. Це явище зумовлене дією бар’єрної ємності КП, струм через яку під час перезаряду дорівнює
(13.3)
і
буде тим більшим, чим більша швидкість
наростання анодної напруги на тиристорі
(ефект
).
Цей струм, проходячи через емітерні
переходи приладу, спричиняє збільшення
коефіцієнтів передачі
та
,
і тоді сума
+
досягає одиниці при меншій напрузі.
Інакше кажучи, дія ємнісного струму КП
аналогічна до дії струму керування у
триністорі.
