- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Передмова
- •Елементи фізики напівпровідників та електронно- діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Домішкова провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Види струмів у напівпровідниках
- •Лекція 2 електронно-дірковий перехід
- •2.1 Електронно-дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •3.1.2 Ємності переходу
- •3.1.3 Реальна вах р-n-переходу
- •3.1.5 Різновиди електричних переходів та контактів
- •Лекція 4 напівпровідникові діоди
- •4.1 Класифікація та система позначень діодів
- •4.1.1 Випрямлювальні діоди
- •Параметри випрямлювальних діодів
- •4.1.2 Напівпровідникові стабілітрони
- •5.1.2 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •5.1.3 Тунельні та обернені діоди
- •5.1.4 Варикапи
- •6.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •6.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •6.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •Лекція 7 характеристики біполярних транзисторів
- •7.1 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •7.1.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •7.1.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •7.1.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним колектором
- •Лекція 8 параметри біполярних транзисторів
- •8.1 Граничні режими транзистора. Робочий діапазон температур
- •8.1.1 Пробої транзистора
- •8.1.2 Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •8.2 Диференційні параметри біполярного транзистора
- •8.2.1 Оцінка властивостей транзистора
- •8.2.2 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •9.1.2 Схема зі спільним емітером
- •9.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •9.2.1 Схема з фіксованим струмом бази
- •9.2.2 Схема з фіксованим потенціалом бази
- •9.2.3 Схема з температурною стабілізацією в емітерному колі.
- •9.2.4 Схема каскаду зі спільною базою та автоматичним зміщенням робочої точки
- •9.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •9.3.1 Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •Лекція 10 деякі різновиди біполярних транзисторів
- •10.1 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •10.1.1 Вплив ємностей переходів і розподільного опору бази на частотні властивості транзистора
- •10.2 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •10.3 Одноперехідний транзистор
- •10.4 Високочастотні малопотужні транзистори
- •10.5 Потужні транзистори
- •Лекція 11 польові транзистори
- •11.1 Польові транзистори з керувальними p-n-переходами
- •11.1.1 Статичні вхідні характеристики
- •11.1.2 Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •11.1.3 Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •11.1.4 Диференційні параметри польових транзисторів
- •11.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •11.2.1 Ефект поля.
- •11.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •Лекція 12 динамічний режим роботи польових транзисторів
- •12.1 Підсилювальні каскади на польовому транзисторі
- •12.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •12.3 Потужні польові транзистори
- •12.3.1 Потужні мдн - транзистори
- •12.3.3 Транзистори з статичною індукцією
- •Лекція 13 тиристори
- •13.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •13.1.2 Диністорний режим
- •13.1.3 Триністорний режим
- •13.1.4 Симістори
- •13.2 Способи комутації тиристорів
- •13.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Лекція 14 оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •14.1 Загальні відомості
- •14.2 Випромінюючі діоди
- •14.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •14.3.1 Фоторезистори
- •14.3.2 Фотодіоди
- •14.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •14.4 Оптрони та їх застосування
- •Список скорочень
- •Список літератури
- •10.2 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі 128
- •12.1 Підсилювальні каскади на польовому транзисторі 160
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
Параметри випрямлювальних діодів
До цих параметрів належать:
постійна
,
вимірена при даному постійному
;
постійний , вимірений при даній постійній ;
середнє значення випрямленого струму - усереднюється за період;
прямий
та зворотний
опори діода при даних
та
;
диференційний
опір діода
;
максимально
допустима зворотна напруга
;
максимально
допустимий середній прямий струм
;
максимально
допустима середня розсіювана потужність
тощо.
Схема
однопівперіодичного випрямляча з
активним навантаженням показана на
рис. 4.2. В цій схемі струм через діод та
опір завантаження протікає тільки за
час дії половини періоду змінної напруги
.
Як бачимо з рисунка 4.2, такий струм має
пульсуючий характер і протікає в одному
напрямку, змінюючись за величиною від
максимального значення
до нуля.
Рисунок 4.2 – Однопівперіодичний випрямляч: а-схема випрямляча; б-графіки струмів і напруг
Показана
на рис. 4.2 б постійна складова випрямленого
струму
являє собою значення струму, який
проходить за період через опір
завантаження
.
Користуючись графіком (рис. 4.2 б), можна
записати рівність
(4.3
)
Якщо
струм
змінюється
за синусоїдальним законом
,
тоді
Звідки
. (4.4)
Постійну складову випрямленої напруги U0 на опорі Rн можна знайти за законом Ома
U0 = I0Rн = 0,318 I2mRн , (4.5)
де I2mRн = U2m ,
тоді
U0
= 0,318 U2m
=
.
Якщо
замінити U2m=
U2,
отримаємо
U0
=
(4.6)
Якщо напруга мережі U1 відома, то коефіцієнт трансформації трансформатора Тр, повинен дорівнювати
n = U2/UM . (4.7)
Із розглянутої роботи схеми випливає, що у від’ємний півперіод діод знаходиться під напругою, яка діє на зажимах вторинної обмотки трансформатора, тому найбільша зворотна напруга, прикладена до діода, дорівнюватиме
Uзв =U2m = 3,14 U0 (4.8)
Підбираючи діод для роботи в однопівперіодній схемі, необхідно стежити за тим, щоб
Uзв. доп. Uзв = 3,14 U0 (4.9)
де Uзв.дом – максимально допустина зворотна напруга вибраного діода.
Якщо нерівність (4.9) не виконується, необхідно або взяти діод із більш високою допустимою напругою, або ввімкнути кілька однотипних діодів послідовно. Кількість послідовно з’єднаних діодів розраховується за формулою k =Uзв/Uзв. доп., при цьому струм
Iсер Iсер. доп. I0 (4.10)
Якщо нерівність (4.10) не виконується, то необхідно підібрати діод з більш високим значенням Iсер.доп. або ввімкнути кілька однотипних діодів паралельно один до одного.
Кількість діодів розраховують з формули
m = I0/Iсер. доп . (4.11)
