- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Передмова
- •Елементи фізики напівпровідників та електронно- діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Домішкова провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Види струмів у напівпровідниках
- •Лекція 2 електронно-дірковий перехід
- •2.1 Електронно-дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •3.1.2 Ємності переходу
- •3.1.3 Реальна вах р-n-переходу
- •3.1.5 Різновиди електричних переходів та контактів
- •Лекція 4 напівпровідникові діоди
- •4.1 Класифікація та система позначень діодів
- •4.1.1 Випрямлювальні діоди
- •Параметри випрямлювальних діодів
- •4.1.2 Напівпровідникові стабілітрони
- •5.1.2 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •5.1.3 Тунельні та обернені діоди
- •5.1.4 Варикапи
- •6.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •6.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •6.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •Лекція 7 характеристики біполярних транзисторів
- •7.1 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •7.1.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •7.1.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •7.1.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним колектором
- •Лекція 8 параметри біполярних транзисторів
- •8.1 Граничні режими транзистора. Робочий діапазон температур
- •8.1.1 Пробої транзистора
- •8.1.2 Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •8.2 Диференційні параметри біполярного транзистора
- •8.2.1 Оцінка властивостей транзистора
- •8.2.2 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •9.1.2 Схема зі спільним емітером
- •9.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •9.2.1 Схема з фіксованим струмом бази
- •9.2.2 Схема з фіксованим потенціалом бази
- •9.2.3 Схема з температурною стабілізацією в емітерному колі.
- •9.2.4 Схема каскаду зі спільною базою та автоматичним зміщенням робочої точки
- •9.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •9.3.1 Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •Лекція 10 деякі різновиди біполярних транзисторів
- •10.1 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •10.1.1 Вплив ємностей переходів і розподільного опору бази на частотні властивості транзистора
- •10.2 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •10.3 Одноперехідний транзистор
- •10.4 Високочастотні малопотужні транзистори
- •10.5 Потужні транзистори
- •Лекція 11 польові транзистори
- •11.1 Польові транзистори з керувальними p-n-переходами
- •11.1.1 Статичні вхідні характеристики
- •11.1.2 Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •11.1.3 Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •11.1.4 Диференційні параметри польових транзисторів
- •11.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •11.2.1 Ефект поля.
- •11.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •Лекція 12 динамічний режим роботи польових транзисторів
- •12.1 Підсилювальні каскади на польовому транзисторі
- •12.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •12.3 Потужні польові транзистори
- •12.3.1 Потужні мдн - транзистори
- •12.3.3 Транзистори з статичною індукцією
- •Лекція 13 тиристори
- •13.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •13.1.2 Диністорний режим
- •13.1.3 Триністорний режим
- •13.1.4 Симістори
- •13.2 Способи комутації тиристорів
- •13.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Лекція 14 оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •14.1 Загальні відомості
- •14.2 Випромінюючі діоди
- •14.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •14.3.1 Фоторезистори
- •14.3.2 Фотодіоди
- •14.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •14.4 Оптрони та їх застосування
- •Список скорочень
- •Список літератури
- •10.2 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі 128
- •12.1 Підсилювальні каскади на польовому транзисторі 160
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
- •Курс лекцій
- •6.090803 «Електронні системи»,
- •6.090802 «Електронні прилади і пристрої»,
- •6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
10.2 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі 128
10.3 Одноперехідний транзистор 131
10.4 Високочастотні малопотужні транзистори 133
10.5 Потужні транзистори 135
ЛЕКЦІЯ 11 138
ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ 138
11.1 Польові транзистори з керувальними p-n-переходами 138
11.1.1 Статичні вхідні характеристики 145
11.1.2 Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики 145
11.1.3 Статичні вихідні (стокові) характеристики 146
11.1.4 Диференційні параметри польових транзисторів 149
11.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (МДН - транзистори) 150
11.2.1 Ефект поля. 150
11.2.2 МДН - транзистори з індукованим каналом 152
11.2.3 МДН - транзистори із вбудованим каналом 154
11.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури 157
ЛЕКЦІЯ 12 159
ДИНАМІЧНИЙ РЕЖИМ РОБОТИ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ 159
12.1 Підсилювальні каскади на польовому транзисторі 160
12.2 Частотні властивості польових транзисторів 164
12.3 Потужні польові транзистори 167
12.3.1 Потужні МДН - транзистори 167
12.3.3 Транзистори з статичною індукцією 175
ЛЕКЦІЯ 13 176
ТИРИСТОРИ 176
13.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора 176
13.1.2 Диністорний режим 177
13.1.3 Триністорний режим 181
13.1.4 Симістори 183
13.2.2 Вимкнення тиристорів 186
ЛЕКЦІЯ 14 188
ОПТОЕЛЕКТРОННІ НАПІВПРОВІДНИКОВІ ПРИЛАДИ 188
14.1 Загальні відомості 188
14.2 Випромінюючі діоди 188
14.3 Напівпровідникові фотоприймачі 191
14.3.1 Фоторезистори 191
14.3.2 Фотодіоди 193
14.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням 196
14.4 Оптрони та їх застосування 198
Список літератури 202
Курс лекцій з дисципліни «Твердотіла електроніка» /Укладачі: А. І. Новгородцев, О.А.Борисенко,
+ О.М.Кобяков. - Суми: Вид- во СумДУ, 2008.- 205 с.
Кафедра електроніки і комп’ютерної техніки
Навчальне видання
КУРС ЛЕКЦІЙ
з дисципліни «Твердотіла електроніка»
для студентів спеціальностей
6.090803 «Електронні системи»,
6.090802 «Електронні прилади і системи»,
6.090804 «Фізична і біомедична електроніка»
заочної і денної форм навчання
Відповідальний за випуск О.А. Борисенко
Редактор Н.А. Гавриленко
Комп’ютерне верстання А.І. Новгородцев
Підписано до друку 01.2008, поз.
Формат 60х84/16. Папір офс. Гарнітура Times New Roman
Суг. друк офс.
Ум. друк. арк. 1,74. Обл.-вид. арк. 1,22
Тираж 100 пр. Собівартість видання
Зам. № .
Видавництво СумДУ при Сумському державному університеті 40007, м. Суми, вул. Р.-Корсакова, 2
Свідоцтво про внесення суб’єкта видавничої справи до Державного реєстру ДК № 3062 від 17.12.2007.
Надруковано у друкарні СумДУ 40007, Суми,
вул. Р.- Корсакові, 2.
Міністерство освіти і науки України
Сумський державний університет
