- •1. Предмет фтт. Основные проблемы фтт.
- •2. Классификация твердых тел. Типы связи.
- •4. Молекулярные кристаллы(мк). Ионные кристаллы(ик).
- •6. Ковалентные кристаллы (кк). Металлы. Плотнейшие упаковки.
- •7. Кристаллические решетки. Вектор трансляции. Элементарная ячейка. Примитивная ячейка Вигнера-Зейтца.
- •8. Решетки Браве. Сингонии. Индексы Миллера.
- •9. Элементы симметрии кристаллов. Точечная группа симметрии. Пространственные группы симметрии.
- •10. Дифракция в кристаллах. Закон Вульфа-Брэгга. Основные дифракционные методы.
- •11. Обратная решетка: свойства, физический смысл.
- •12. Зоны Бриллюэна.
- •13. Классификация дефектов кристаллического строения.
- •14. Точечные дефекты: основные типы, равновесная концентрация, дефекты Шоттки и Френкеля.
- •15. Центры окраски. Радиационные дефекты.
- •16. Краевые дислокации. Винтовые дислокации.
- •17. Контур и вектор Бюргерса. Энергия дислокации. Источники дислокаций.
- •18. Описание энергетического состояния кристалла при помощи газа квазичастиц. Примеры квазичастиц.
- •Адиабатическое приближение Борна-Оппенгеймера.
- •Валентная аппроксимация
- •Одноэлектронное приближение
- •20. Одноэлектронное приближение. Метод Хартри-Фока.
- •V(r) – периодическая функция, период который совпадает с периодом кристаллической решётки.
- •21. Свойства волнового вектора электрона в кристалле. Свободный электрон и электрон в кристалле. Квазиимпульс. Энергетические зоны.
- •2) Рас электрон в кристалле.
- •22. Энергетический спектр электрона в кристалле. Модель Кронига-Пенни. Случаи сильной и слабой связи.
- •23. Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники.
10. Дифракция в кристаллах. Закон Вульфа-Брэгга. Основные дифракционные методы.
Обычно для исследования структуры кристаллов используют дифракцию волн. Анализ данных, полученных дифракционными методами, позволяет определить:
Средние расстояния между рядами атомов и атомными плоскостями в кристалле.
Углы между плоскостями
Симметрию точечных групп
Координаты отдельных атомов
Размеры элементарной ячейки
В 1912 году Лауэ высказал предположение, что кристаллы можно рассматривать как трёхмерную дифракционную решётку для рентгеновских лучей, длина волны которых сравнима с межатомными расстояниями. Брэг и независимо от него российский учёный Фульф обнаружили, что кристаллические вещества дают характерные картины отражения рентгеновских лучей.
Излучение,
отраженное от соседних плоскостей, при
интерференции усиливается, когда
разность хода лучей равна
,
где Θ–угол падения.
- Закон
Вульфа-Брегга или условие интерференционного
максимума при отражении.
Методы:
Метод Лауэ. Узкий не монохроматический пучок рентгеновских лучей направляется на неподвижно закреплённый монокристаллический образец. Этот пучок содержит рентгеновские лучи с широким диапазоном длин волн. В кристалле дифрагируют только лучи с такимиλ, что для этих длин волн межплоскостные расстояния dи углы падения Θудовлетворяют закону (3.1).
Метод вращения кристалла. Монокристалл вращается вокруг какой-либо фиксированной оси в монохроматическом пучке рентгеновских лучей. При изменении угла Θ, различные атомные плоскости занимают такие положения, при которых может происходить отражение по закону (3.1).
Метод порошка. Пучок монохроматического излучения падает на образец в виде мелкого порошка или поликристаллического материала. В таком образце присутствуют почти все ориентации кристаллитов. Падающие лучи отражаются от тех кристаллитов, которые по отношению к направлению падающего пучка оказываются ориентированными так, что соответствующий угол удовлетворяет (3.1).
11. Обратная решетка: свойства, физический смысл.
Пусть
,
- базисные векторы прямой решётки или
решётки в реальном пространстве. Тогда
основные векторы обратной решётки
запишутся:
Nβ: обратной решётки не существует в кристалле. Она представляет собой удобную абстракцию, позволяющую математически просто и точно описывать условия, в которых протекает то или иное явление.
Семейство параллельных плоскостей (hkl) прямой решётки соответствует узел обратной решётки. Для идеального монокристалла, представляющего собой набор повторяющихся в реальном пространстве одинаковых блоков, обратная решётка в обратном пространстве есть ∞ множество точек, периодически расположенных, расстояние между которыми обратно пропорционально межплоскостному расстоянию d.
Свойство обратной решётки:
Каждый вектор обратной решётки перпендикулярен некоторому множеству плоскостей прямой решётки
В обратном пространстве также вводится понятие трансляций, которое описывается вектором трансляции обратной решётки:
- вектор трансляции обратной решётки
Объём элементарной ячейки обратной решётки обратно пропорционален объёму элементарной ячейки прямой решётки.
Прямая и обратная решётка взаимно сопряжены, т.е. решётка, обратная обратной есть исходная прямая решётка.
Вектор обратной решётки
перпендикулярен (hkl) и по
модулю обратно пропорционален dHKL:
где HKL – совокупность индексов (hkl).
Физический смысл обратной решётки: каждый узел обратной решётки соответствует возможному отражению от плоскостей прямой решётки кристалла. Направление вектора обратной решётки совпадает с направлением отражения от плоскостей (hkl), а n-й узел обратной решётки в этом ряду отвечает отражению n-го порядка от этих плоскостей.
