23. Способы изображения симметричной трехфазной системы эдс.

Простейший трехфазный генератор состоит из неподвижной (статора)и подвижной (ротора) частей. Статор – это полый цилиндр, набранный из листов электротехнической стали. На его внутренней поверхности фрезеруют пазы, в которые укладывают три одинаковые обмотки, повернутые относительно друг друга на 120 . Ротор является электромагнитом. Его необходимо принудительно вращать. При пересечении магнитными силовыми линиями поля ротора обмоток статора в последних наводятся ЭДС одинаковой величины с фазовым сдвигом 120 . Такую систему называют симметричной.

1. Графический способ. Симметричная система ЭДС – это три синусоиды, сдвинутые относительно друг друга по фазе на угол 120.Принято считать, что начальная фа-

за ЭДС фазы А равна нулю, ЭДС фазы Вотстает от ЭДС фазы А на 120 , ЭДС фазы С отстает от ЭДС фазы В на 120.

2. Тригонометрический способ.ЭДС можно записать как синусоидальные функции времени следующим образом:

3. Способ вращающимися векторами в декартовой системе координат.

4. Способ комплексными числами. При изображении векторной диаграммы на комплексной плоскостикаждому вектору можно сопоставить комплексное число. При расчете трехфазных цепей комплексную плоскость обычно поворачивают на угол п/2 против часовой стрелки.

условные положительные направления фазных и линейных напряжений и соотношения между ними: Обычно обмотки генератора соединяют звездой. Напряжения между началом и концом фазы называют фазными а напряжения между началами фаз генератора – линейными. Стрелка источника показывает направление повышения потенциала, поэтому за условные положительные направления фазных напряжений принимают направления от начала к концу фаз обмоток, а линейных напряжений – к на-

чалу фазы, являющейся вторым индексом в обозначении напряжения.

топографическая диаграмма фазных и линейных напряжений:

При соединении фаз обмоток генератора треугольником конец одной фазы соединяют с началом другой . В этом случае линейные напряжения равны фазным: Uл =Uф . Топографическую диаграмму напряжений в зависимости от способа соединения фаз приемников строят как представлено на рисунках

24.Расчет цепей с диодами. Виды пробоев p-n перехода.

Основная трудность, возникающая при анализе цепей с диодами, заключается в том, что вольт-амперная характеристика этих приборов нелинейна в середине рабочей области.При ручных расчетах цепей с диодами используют графические методы или кусочно-линейное представление ВАХ диода.

аналитический метод расчета. ВАХ диода представляют набором линейных отрезков, каждый из которых заменяет реальную ВАХ в определенном диапазоне изменения напряжений и токов.Прямой ток диода имеет достаточно большую величину уже при не-

значительном прямом напряжении, а обратный ток диода ничтожно мал даже при достаточно большой величине обратного напряжения. Если включить диод в цепь, в которой напряжения значительно больше, чем прямое напряжение диода, а токи значительно больше обратного тока диода, то простейшую модель диода можно получить, полагая прямое напряжение и обратный ток равными нулю. Такой элемент называют идеальным диодом. Поведение идеального диода описывается уравнениями:

U = 0, I > 0;

I = 0, U < 0.

Когда диод смещен в прямом направлении, он эквивалентен короткому замыканию. При обратном напряжении идеальный диод подобен разрыву. Очевидно, что мощность идеального диода при любой полярности приложенного напряжения равна нулю:p = ui = 0

При анализе цепей с идеальными диодами можно использовать следующую процедуру.

1. На первом шаге полагаем, что все диоды смещены в прямом направлении, и заменяем их короткими замыканиями.

2. Анализируем полученную схему и определяем направления токов

через диоды. Если направление тока, полученное в результате расчета, совпадает с прямым током диода, оставляем короткое замыкание, если нет – заменяем его разрывом.

3. Анализируем цепь, полученную на втором шаге, и находим фактические значения напряжений и токов.

Туннельный пробой наблюдается тогда, когда напряженность электрического поля такова, что становится возможным туннельный переход из валентной зоны полупроводника с электропроводностью одного типа в зону полупроводника с электропроводностью другого типа. Как правило, тунельный пробой наблюдается при напряжениях ниже 6 В.

Лавинный пробой обусловлен образованием носителей заряда из-за ударной ионизации атомов полупроводника. Если напряженность электрического поля достаточно велика, то электроны приобретают энергию, достаточную для того, чтобы выбивать другие электроны из атомов кристаллической решетки. Этот процесс приводит к быстрому (лавинному) нарастаниюобратного тока.

Тепловой пробой происходит при нагреве перехода. За счет тепловой энергии происходит генерация пар электрон – дырка. Это приводит к увеличению обратного тока и дальнейшему увеличению температуры. Процесс нарастает лавинообразно и приводит к изменению структуры кристалла, выводя его из строя.