- •73000, М. Херсон, вул. 40 років Жовтня, 23
- •1 Перелік тем самостійних робіт
- •2 Перелік завдань самостійних робіт Самостійна робота № 1
- •Основні теоретичні відомості Електрони в атомі
- •Принцип заборони Паулі
- •Енергетична діаграма твердого тіла
- •Самостійна робота № 2
- •Основні теоретичні відомості Вольтамперна характеристика pn переходу
- •Розподіл Ферми
- •Види електронної емісії
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Пробої pn переходу
- •Температурні і частотні властивості pn переходу
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 3
- •Основні теоретичні відомості Гетероперехід
- •Перехід метал – напівпровідник
- •Перехід метал – діелектрик – напівпровідник
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 4
- •Основні теоретичні відомості Проведення експерименту
- •Фотоефект у pn переході
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 5
- •Основні теоретичні відомості
- •Терморезистори
- •Фоторезистори
- •Варистори
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 6
- •Основні теоретичні відомості
- •Класифікація діодів
- •Основні характеристики діодів
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 7
- •Основні теоретичні відомості Варикап
- •Імпульсний діод
- •Високочастотний діод
- •Фотодіод
- •Світлодіод
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота №8
- •Основні теоретичні відомості Класифікація транзисторів
- •Фізичні процеси в біполярних транзисторах.
- •Модуляція товщини бази.
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 9
- •Основні теоретичні відомості Активний режим, режим глибокого відсічення, режим насичення транзистора
- •Три схеми включення транзистора
- •Статичний режим роботи транзистора
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 10
- •Основні теоретичні відомості Динамічний режим роботи біполярний транзистора
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 11
- •Основні теоретичні відомості Підсилювальні властивості транзисторів.
- •Біполярний транзистор як активний чотириполюсник
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Список використаних джерел 57
- •Додаткова
- •Для нотаток
Закріплення вивченого матеріалу
Дати у зошиті відповіді на питання:
6.1 Який прилад називається діодом?
6.2 Наведіть класифікацію діодів.
6.3 Наведіть відміну між площинним та точковим діодами.
Самостійна робота № 7
Тема: Варікап. Імпульсний діод. Фотодіод. Світлодіод. 31
Мета:
Знати - умовне графічне позначення (УГП), основні параметри, схему включення діодів
Вміти - пояснити принцип дії діодів
План вивчення теми:
1 Варікап
2 Імпульсний діод
3 Фотодіод
4 Світлодіод
Рекомендована література
Гершунский Б.С «Основы электроники и микроэлектроники» К., «В.Ш.», 1987, ст.94-102, 105-109
Исаков Ю.А. « Промышленная электроника » Киев 1975 , ст. 20-22
Основні теоретичні відомості Варикап
Варикап - це напівпровідниковий діод, в якому використовується залежність ємності від величини зворотної напруги і який призначений для застосування як елемент з електрично керованою ємністю.
Напівпровідниковий діод володіє дифузійною і бар'єрною ємностями. У якості варикапів використовують тільки діоди при зворотному зміщенні яких виявляється тільки бар'єрна ємність.
Якщо до діода прикласти зворотну напругу, то висота потенційного бар'єра зросте на величину прикладеної напруги , зросте і напруженість електричного поля на електронно- дірковиму переході.
Зовнішня зворотна напруга відштовхує носії углиб напівпровідника. У результаті відбувається розширення PN переходу. Зміна зворотної напруги, прикладеної до переходу, приводить до зміни бар'єрної ємністі між Р і N областями.
Зміна зворотної напруги приводить до зміни бар'єрної ємності. величина бар'єрної ємності визначається по формулі:
Сб=es/4pd, (7.1)
де e - відносна діелектрична проникність матеріалу;
s – площа PN переходу d - ширина PN переходу.
О
сновною
характеристикою варикапа (див. рисунок
7.1) є залежність його ємності від величини
зворотної напруги (вольтфарадна
характеристика).
Величина номінальної ємності варикапа може змінюватися в межах від 10х-100х пФ.
Параметри варикапа:
ємність варикапа;
коефіцієнт перекриття по місткості;
добротність варикапа;
максимально допустима;
температурний коефіцієнт ємності;
максимально допустима потужність.
Варикапи застосовуються в схемах з електронною настройкою коливальних контурів. Контур утворений індуктивністю і ємністтю варикапа.
Р
озділовий
конденсатор служить, для того щоб
індуктивність не закорачувала варикап
по постійному струму. Ємність конденсатору
С1 повинна бути в декілька десятків
разів більше ємності варикапа. Перебудова
контуру здійснюється переміщенням
движка потенціометра R2.
Імпульсний діод
Імпульсний діод призначений для роботи в швидкодіючих імпульсних схемах з часом перемикання 1 мкс і менш.
Імпульсні діоди виготовляються точковими, сплавними, зварними і дифузійними.
Схема включення імпульсного діода і його основна характеристика приведені на рисунку 7.3.
При
прямому включенні через діод протікає
прямий струм, величина якого визначається
амплітудою вхідного сигналу, опором
навантаження і опором відкритого діода.
Якщо вхідний сигнал змінюється
стрибкоподібно, то діод закривається
не вмить. У перший момент часу
спостерігається різке збільшення
зворотного струму через діод, який
поступово меншає.
Це явище пов'язане зі специфікою роботи PN переходу і являє собою вияв ефекту накопичення. Під час протікання прямого струму через PN перехід здійснюється інжекція носіїв. У безпосередній близькості до переходу створюється концентрація неосновних носіїв заряду, яка у багато разів перевищує концентрацію рівноважних носіїв: чим більше концентрація носіїв, тим більше зворотний струм.
Основною характеристикою імпульсного діода перехідна характеристика.
Параметри імпульсного діоду
Час відновлення зворотного опору;
Заряд перемикання;
Загальна місткість;
Імпульсне пряме напруження;
Імпульсний прямий струм.
