- •73000, М. Херсон, вул. 40 років Жовтня, 23
- •1 Перелік тем самостійних робіт
- •2 Перелік завдань самостійних робіт Самостійна робота № 1
- •Основні теоретичні відомості Електрони в атомі
- •Принцип заборони Паулі
- •Енергетична діаграма твердого тіла
- •Самостійна робота № 2
- •Основні теоретичні відомості Вольтамперна характеристика pn переходу
- •Розподіл Ферми
- •Види електронної емісії
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Пробої pn переходу
- •Температурні і частотні властивості pn переходу
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 3
- •Основні теоретичні відомості Гетероперехід
- •Перехід метал – напівпровідник
- •Перехід метал – діелектрик – напівпровідник
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 4
- •Основні теоретичні відомості Проведення експерименту
- •Фотоефект у pn переході
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 5
- •Основні теоретичні відомості
- •Терморезистори
- •Фоторезистори
- •Варистори
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 6
- •Основні теоретичні відомості
- •Класифікація діодів
- •Основні характеристики діодів
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 7
- •Основні теоретичні відомості Варикап
- •Імпульсний діод
- •Високочастотний діод
- •Фотодіод
- •Світлодіод
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота №8
- •Основні теоретичні відомості Класифікація транзисторів
- •Фізичні процеси в біполярних транзисторах.
- •Модуляція товщини бази.
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 9
- •Основні теоретичні відомості Активний режим, режим глибокого відсічення, режим насичення транзистора
- •Три схеми включення транзистора
- •Статичний режим роботи транзистора
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 10
- •Основні теоретичні відомості Динамічний режим роботи біполярний транзистора
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 11
- •Основні теоретичні відомості Підсилювальні властивості транзисторів.
- •Біполярний транзистор як активний чотириполюсник
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Список використаних джерел 57
- •Додаткова
- •Для нотаток
Закріплення вивченого матеріалу
Визначте значення Rк та ЕК для наведених на рисунку 10.1,б динамічних характеристик АВ та А’В’.
Самостійна робота № 11
Тема: Транзистор-як активний 4-полюсник
Мета:
Знати - правили визначення значень коефіцієнтів посиленнят систему h параметрів транзисторів
Вміти - розрахувати систему h параметрів транзистора
План вивчення теми:
1 Підсилювальні властивості транзисторів.
2 Біполярний транзистор як активний чотириполюсник
Рекомендована література
1 Гершунський Б.С. « Основи електроніки і мікроелектроніка» К. « В.ш.» 1987 ст. 126-138
Основні теоретичні відомості Підсилювальні властивості транзисторів.
Коефіцієнтом посилення називається відношення вихідної величини від вхідної.
KI=DIвих/DIвх - коефіцієнт посилення по струму
KU=Uвих/Uвх - коефіцієнт посилення по напруженню
Kp=KU×KI - коефіцієнт посилення потужності
Біполярний транзистор як активний чотириполюсник
(h- параметри)
Статичні ВАХ використовуються при розрахунках електронних схем з великими рівнями вхідних сигналів. Якщо рівень вхідного сигналу малий і транзистор працює на лінійній ділянці ВАХ (робота в режимі малого сигналу), його можна подати як активний лінійний елемент (чотириполюсник), зображений на рис. 11.1.
В
еличини
U1,
І1 є
вхідними, а U2,
І2 -
вихідними. При аналізі роботи
чотириполюсника два параметри
вибираються як незалежні змінні, а
два інші є їх лінійними функціями. У
зв'язку з цим роботу чотириполюсника
можна охарактеризувати шістьма системами
лінійних рівнянь, кожна з яких складається
з двох рівнянь.
Найчастіше використовується система рівнянь, у якій незалежними змінними величинами є вхідний струм І1 та вихідна напруга U2:
(11.1)
Із системи рівнянь (11.1) можна знайти повні диференціали функцій U1 та І2:
Якщо замінити диференціали функцій незначними приростами амплітудних значень струмів (dІ= ∆І) та напруг (dU = ∆ U) і ввести нові позначення для частинних похідних, то система рівнянь (11.3) матиме вигляд:
Величини коефіцієнтів h визначаються при створенні режимів холостого ходу на вході чотириполюсника і короткого замикання на виході за змінною складовою струму.
З режиму холостого ходу на вході, коли I1, = 0, ∆I1= 0, можуть бути
визначені:
З
режиму короткого замикання на виході,
коли U2
= 0, можна визначити
Система рівнянь (11.3) називається системою h-параметрів. Значення h -параметрів наводяться у довідникових матеріалах на транзистори. Залежно від схеми вмикання транзистора h-параметри мають різні значення. Тому вони позначаються відповідною літерою в індексі (наприклад, для схеми з СЕ – h11е, з СБ - h11б, СК - h11к і т.п.).
Перевагою системи h - параметрів є порівняна простота безпосереднього вимірювання величин коефіцієнтів h (для отримання їх експериментальних значень).
Закріплення вивченого матеріалу
Розрахувати систему h параметрів для транзистора КТ315, характеристики якого наведені на рисунку 11.2.
Рисунок
11.2
