- •73000, М. Херсон, вул. 40 років Жовтня, 23
- •1 Перелік тем самостійних робіт
- •2 Перелік завдань самостійних робіт Самостійна робота № 1
- •Основні теоретичні відомості Електрони в атомі
- •Принцип заборони Паулі
- •Енергетична діаграма твердого тіла
- •Самостійна робота № 2
- •Основні теоретичні відомості Вольтамперна характеристика pn переходу
- •Розподіл Ферми
- •Види електронної емісії
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Пробої pn переходу
- •Температурні і частотні властивості pn переходу
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 3
- •Основні теоретичні відомості Гетероперехід
- •Перехід метал – напівпровідник
- •Перехід метал – діелектрик – напівпровідник
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 4
- •Основні теоретичні відомості Проведення експерименту
- •Фотоефект у pn переході
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 5
- •Основні теоретичні відомості
- •Терморезистори
- •Фоторезистори
- •Варистори
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 6
- •Основні теоретичні відомості
- •Класифікація діодів
- •Основні характеристики діодів
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 7
- •Основні теоретичні відомості Варикап
- •Імпульсний діод
- •Високочастотний діод
- •Фотодіод
- •Світлодіод
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота №8
- •Основні теоретичні відомості Класифікація транзисторів
- •Фізичні процеси в біполярних транзисторах.
- •Модуляція товщини бази.
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 9
- •Основні теоретичні відомості Активний режим, режим глибокого відсічення, режим насичення транзистора
- •Три схеми включення транзистора
- •Статичний режим роботи транзистора
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 10
- •Основні теоретичні відомості Динамічний режим роботи біполярний транзистора
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 11
- •Основні теоретичні відомості Підсилювальні властивості транзисторів.
- •Біполярний транзистор як активний чотириполюсник
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Список використаних джерел 57
- •Додаткова
- •Для нотаток
Основні теоретичні відомості Проведення експерименту
Пластина кремнію має омічні контакти і з'єднана послідовно з навантажувальним опором Rн і джерелом напруги V0. Пластина буде освітлюватися джерелом світла. За допомогою фільтрів зі спектра виділяється випромінювання з бажаною довжиною хвилі . Між джерелом світла і пластиною розміщений модулятор. При одному положенні модулятора світло попадає на пластину (модулятор відкритий), при іншому пластина затемнена.
Рисунок 4.1 - а) схема експерименту: 1-джерело світла, 2-фільтри. 3- модулятор, 4- кремнієва пластина з омічними контактами; б) залежність від часу зміни напруги на навантажувальному опорі
Спочатку модулятор відкритий і через пластину і навантажувальний опір тече темновий струм, обумовлений темновим опором пластини. У момент t0 модулятор освітлюється, і пластина виявляється освітленою. Опір пластини падає, струм у ланцюзі зростає і пропорційно струму зростає спадання напруги на опорі навантаження Rн. Зміна напруги на навантаженні реєструється на екрані осцилографа.
1. Виберемо фільтри, що пропускають інфрачервоне випромінювання з довжиною хвилі l=5мкм. Відкриваємо модулятор і через якийсь час (t0) закриємо його. На екрані спостерігається крива 1. Ця крива відображає зміну в часі опору кремнієвої пластини. Коли модулятор відкривається, опір пластини починається зменшуватися, а струм зростати. Через якийсь час досягається стаціонарний стан: R=const. Після закриття модулятора опір пластини починає зростати, а напруга в ланцюзі падати.
П
2. Змінимо набір фільтрів так, щоб довжина хвилі світла l=1мкм. знову проробимо досвіди на повітрі й у вакуумі. В обох випадках одержуємо криву 3.
Зробимо висновки з експерименту:
1. Довжині хвилі l=5мкм відповідає енергія фотона 0,25еВ. Ця величина менше, ніж енергія утворення пари електрон-дірка в кремнії (1,1еВ). Тому світло з довжиною хвилі 5мкм не здатне безпосередньо генерувати носії заряду. Проте відбувається поглинання світла. Поглинання відбувається на вільних носіях, що маються в кристалі (кремній P або N типу). Енергія фотона передається вільному електрону (дірці), а потім, у результаті зіткнення носіїв із граткою, - гратці кристала. Кристал нагрівається. За рахунок збільшення температури кришталевої гратки збільшується концентрація носіїв, і ми фіксуємо збільшення струму в ланцюзі.
2. Якщо змінити умови тепловідводу, зміниться і тепловий режим кристала. При розміщенні кристала у вакуумі умови для тепловідводу погіршуються: тепер зразок може віддавати надлишкове тепло тільки за рахунок випромінювання. Охолодження за рахунок конвекції повітря виключено. При такому ж самому світловому потоці, що падає не пластину, установлюється більш висока температура, ніж у першому досліді і зміна опору вище.
3. Довжині хвилі l=1мкм відповідає енергія фотона 1,25еВ. При поглинанні такого кванта світла в кристалі кремнію виникає пари електрон – дірка.
Збільшення провідності кристала під дією світла обумовлене не зміною температури кристала, а зростанням числа вільних носіїв, що виникають у результаті поглинання світла, називається явищем фотопровідності.
