- •73000, М. Херсон, вул. 40 років Жовтня, 23
- •1 Перелік тем самостійних робіт
- •2 Перелік завдань самостійних робіт Самостійна робота № 1
- •Основні теоретичні відомості Електрони в атомі
- •Принцип заборони Паулі
- •Енергетична діаграма твердого тіла
- •Самостійна робота № 2
- •Основні теоретичні відомості Вольтамперна характеристика pn переходу
- •Розподіл Ферми
- •Види електронної емісії
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Пробої pn переходу
- •Температурні і частотні властивості pn переходу
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 3
- •Основні теоретичні відомості Гетероперехід
- •Перехід метал – напівпровідник
- •Перехід метал – діелектрик – напівпровідник
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 4
- •Основні теоретичні відомості Проведення експерименту
- •Фотоефект у pn переході
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 5
- •Основні теоретичні відомості
- •Терморезистори
- •Фоторезистори
- •Варистори
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 6
- •Основні теоретичні відомості
- •Класифікація діодів
- •Основні характеристики діодів
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 7
- •Основні теоретичні відомості Варикап
- •Імпульсний діод
- •Високочастотний діод
- •Фотодіод
- •Світлодіод
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота №8
- •Основні теоретичні відомості Класифікація транзисторів
- •Фізичні процеси в біполярних транзисторах.
- •Модуляція товщини бази.
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 9
- •Основні теоретичні відомості Активний режим, режим глибокого відсічення, режим насичення транзистора
- •Три схеми включення транзистора
- •Статичний режим роботи транзистора
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 10
- •Основні теоретичні відомості Динамічний режим роботи біполярний транзистора
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Самостійна робота № 11
- •Основні теоретичні відомості Підсилювальні властивості транзисторів.
- •Біполярний транзистор як активний чотириполюсник
- •Закріплення вивченого матеріалу
- •Список використаних джерел 57
- •Додаткова
- •Для нотаток
Три схеми включення транзистора
У залежності від того, який електрод транзистора є загальним для вхідного і вихідного сигналів, розрізняють три схеми включення транзистора (рисунок 9.1): із спільною базою (СБ); із спільним емітером (СЕ); із спільним колектором (СК).
У цих схемах джерела постійної напруги і резистори забезпечують режими роботи транзисторів по постійному струмі, тобто необхідні значення напруг і початкових струмів. Вхідні сигнали змінного струму створюються джерелами Uвх. Вони змінюють струм емітера транзистора, а відповідно і струм колектора. Збільшення струму колектора (рисунок 9.1, а, б) і струму емітера (рисунок 9.1, в) відповідно на резисторах RK і RЕ створять збільшення напруг, що і є вихідними сигналами Uвих. Параметри схем звичайно вибирають так, щоб Uвих було б у багато разів більше збільшення Uвх, що його викликало, (рисунок 9.1, а, б) чи близько до нього (рисунок 9.1, в).
Статичний режим роботи транзистора
Статичні характеристики транзистора для будь-якої схеми включення показують зв'язок між струмами транзистора і напругами на його електродах.
Для кожної схеми включення існують чотири сімейства статичних характеристик:
Вхідні: Iвх=f(Uвх) при Uвих=const
Вихідні: Iвих=f(Uвих) при Iвх=const
Керуючі (характеристики прямої передачі)
Перехідні (характеристики зворотної зв'язок)
Звичайно для аналізу роботи транзистора і визначення його параметрів використовують тільки сімейства вхідних і вихідних характеристик.
Статичний режим роботи транзистора при включенні транзистора з СБ:
Вихідні: Iк=f(Uкб) при Iе=const
Вхідні: Iе=f(Uбе) при Uкб=const
Вихідні характеристики (рисунок 9.2,б) майже паралельні осі напружень. Колекторна напруга має незначний вплив. Нахил характеристик значно збільшується в області близькій до пробою. При підвищенні температури вихідні характеристики зміщаються в область великих струмів. Для кремнієвих транзисторів цим зміщенням можна нехтувати, так як ці прилади працюють при малих температурах. Вхідні характеристики (рисунок 9.2, а) утворять щільні пучок, що пояснюється слабим впливом колекторного напруження на струм емітера. Тому при розрахунках використовують одну характеристику при Uк= - 5В.
Статичний режим роботи транзистора при включенні транзистора з СЕ:
Вихідні: Iк=f(Uке) при Iб=const
Вхідні: Iб=f(Uбе) при Uке=const
Вихідні характеристики схеми з СЕ (рисунок 9.3, б) мають більший нахил в порівнянні з характеристиками схеми з СБ, що пояснюється більш сильним впливом колекторної напруги на коефіцієнт передачі струму.
Допустима напруга на колекторі для схеми з СЕ менше, ніж для схеми з СБ. Вхідні характеристики (рисунок 9.3, а) розташовуються близько один до одного і тому при розрахунках використовується одна характеристика. Вхідні характеристики більш лінійні.
Закріплення вивченого матеріалу
Заповнити таблицю 9.1
Таблиця 9.1
|
СБ |
СЕ |
СК |
Uвх |
|
|
|
Uвих |
|
|
|
Iвх |
|
|
|
Iвих |
|
|
|
Rвх |
|
|
|
Rвих |
|
|
|
KI |
|
|
|
