Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лабы МоЕ.doc
Скачиваний:
2
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
12 Мб
Скачать
☆

15.2 Етапи виконання роботи

Для синтеза логического устройства, заданного логическим выражением необходимо произвести следующие действия.

1. Ознайомитися із структурою бібліотеки цифрових компонентів програми МС.

2. Ознайомитися із структурою та параметрами моделей основних логічних елементів з бібліотеки цифрових примітивів програми МС.

3. Дослідити характеристики схеми змішаного типу з бібліотечного файлу програми МС mixed4.cir. Визначити типи вузлів, логіку роботи цього пристрою, особливості представлення графиків в поспроцесорі.

15.3 Контрольні питання

1. Структура бібліотеки цифрових компонентів програми МС.

2. Структура та параметри моделей основних логічних елементів.

3. Порівняти моделі аналогових елементів і цифрових.

4. Особливості моделювання аналогово-цифрових пристроїв.

5. Багатозначна логіка, дискретизація рівнів сигналу та часу.

6. Сутність подійного моделювання.

список рекомендованої літератури

Основна:

  1. Системы автоматизированного проектирования в радиоэлектронике / Справочник под ред. Норенкова И.П. – М.: Радио и связь, 1986. – 368 с.

  2. Амелина М.А., Амелин С. А. Программа схемотехнического моделирования Micro Cap 8. / Справочное издание. – М: Горячая линия-Телеком, 2007. – 464 с.

  3. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC . – М.: Солон-Р., 1999. – 506 с.

  4. Бессоннов Л.А. Теоретические основы электротехники. – М.: Высш. школа, 1978. – 528 с.

  5. Руденко, В. С. Основы промышленной электроники / В. С. Руденко, В. И. Сенько, В. В. Трифонюк. – К.: Вища школа, 1985. – 400 с.

  6. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. – М.: Высш. школа, 1982, с. 287-314.

  7. Горбачов Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. – М.: Енергоатомиздат, 1988, с. 189-210, 215-218.

  8. Сигорский В.П. Основы анализа электронных схем. – К.: Вища школа, 1971. – 567с.

  9. Тугов Н.Н., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы – М.: Энергоиздат, 1990 – 676 с.

  10. Переверзєв А.В., Василенко О.В. Моделювання в електроніці. Учбовий посібник для студентів напрямку Електроніка». — Запоріжжя: ЗДІА, 2003. — 160с., іл.

Додаткова:

  1. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования Мicro-Cap7. –М.: Солон, 2003. – 368 с.

  2. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab8.0. – М.: Солон, 1999. – 698с.

  3. Семенов Б.Ю. Силовая электроника: от простого к сложному. – М.: Солон-Пресс, 2005.– 415 с.

  4. Василенко О.В. Конспект лекцій по курсу „Аналіз електронних схем” – Запоріжжя: ЗДІА, 2002. – 72 с.

  5. Переверзєв А.В., Василенко О.В. Конспект лекцій по курсу „Автоматизація схемотехнічного проектування” – Запоріжжя: ЗДІА, 2002. – 72 с.

  6. Electronic Circuit Analysis Program. Reference Manual. – Spectrum Software, 2007. – 916 с.

Додаток А

Схеми для лабораторної роботи №4

Схема №1 Схема №2

Схема №3 Схема №4

Схема №5 Схема №6

Схема №7 Схема №8

Додаток Б

Таблиця Б.1 – Параметри моделі діода

Назва

парам.

Параметр

Знач.

по умовч.

Од.

вимір.

IS

Струм насичення при температурі 27°С

10-14

А

RS

Об’ємний опір

0

Ом

N

Коефіцієнт інжекції

1

ISR

Параметр струму рекомбінації

0

А

NR

Коефіцієнт емісії для струму ISR

2

IKF

Граничний струм при високім рівні інжекції

∞

А

TT

Час переносу заряду

0

с

CJO

Бар’єрна ємність при нульовому зміщенні

0

Ф

VJ

Контактна різність потенціалів

1

В

M

Коефіцієнт лавинного множення

0,5

EG

Ширина забороненої зони

1,11

еВ

FC

Коефіцієнт нелінійності бар’єрної ємності прямозміщеного переходу

0,5

BV

Зворотна напруга пробою (позитивна величина)

∞

В

IBV

Початковий струм пробою, відповідний напрузі BV (позитивна величина)

10-10

А

NBV

Коефіцієнт неідеальності на ділянці пробою

1

IBVL

Початковий струм пробою низького рівня

0

А

NBVL

Коефіцієнт неідеальности на ділянці пробою низького рівня

1

XTI

Температурний коефіцієнт струму насичення

3

TIKF

Лінійний температурний коефіцієнт IKF

0

°С -1

TBV1

Лінійний температурний коефіцієнт BV

0

°С -1

TBV2

Квадратичний температурний коефіцієнт BV

0

°С-2

TRS1

Лінійний температурний коефіцієнт RS

0

°С-1

TRS2

Квадратичний температурний коефіцієнт RS

0

°С-2

KF

коефіцієнт флікер-шуму

0

AF

Показник степені у формулі флікер-шумі

1

T_

MEASURD

Температура вимірювань

°С

T_ABS

Абсолютна температура

°С

T_REL_

GLOBAL

Відносна температура

°С

T_REL_

LOCL

Різність між температурою діода і

моделю-прототипа

°С

Додаток В

Завдання для лабораторної роботи №7

Прилад

Uпит, В

KT 315

15

KT 814

40

Режими посилення A,AБ,Б

Схема №1

Прилад

Uпит, В

KT 361

15

KT 815

40

Режими посилення A,AБ,Б

Схема №2

Прилад

Uпит1,2, В

KT 315+KT361

15

KT 814+KT815

40

Схема №3

Додаток Д

Основні функції для спектрального аналізу в МС9

Назва

Дія

Приклад

HARM(u[,BW])

амплітудні значення (середня множина синусних та косинусних функцій) гармонік сигналу u(t). BW - ширина смуги.

HARM(V(OUT)) – амплітуди гармонік напруги V(OUT); HARM(IC(Q1)) – амплітуди гармонік струму IC(Q1)

THD(S[,FR])

поточний накопичуючий коефіцієнт спотворень спектру S у відсотках відносно амплітуди гармоніки опорної частоти FR; або відносно складової на частоті першої гармоніки (1/Tmax).

THD(HARM(V(1))) – повний коефіцієнт гармонік напруги V(1); THD(HARM(I(D1))) – повний коефіцієнт гармонік струму I(D1).

IHD(S[,FR])

коефіцієнт нелінійних спотворень окремих складових спектра S у відсотках відносно амплітуди гармоніки опорної частоти FR.

IHD(HARM(V(A))) – індивідуальні коефіцієнти гармонік напруги V(A); IHD(HARM(IB(Q1))) –струму IB(Q1).

FFT(u)

значення класичного прямого перетворення Фур’є дискретних відліків сигналу u(t), тобто ряд коефіцієнтів Фур'є aN, та bN .

FFT(V(A)) – пряме перетворення Фур’є напруги V(A); FFT(IB(Q1)) – пряме перетворення Фур’є струму бази IB(Q1).

IFT(S)

зворотне перетворення Фур’є спектру S.

IFT(V(5)*I(R10));

IFT(FFT(x(t)))=x(t).

CONJ(S)

комплексно пов’язаний спектр для спектру S.

CONJ(FFT(V(1))).

AC(u)

автокореляція сигналу u(t)

AC(V(OUТ))

Додаток Е

Основні вторинні параметри, що оптимізуються в МС9

Ілюстрація

Функція

Опис

Rise_Time

Знайти зміни у виразі X , коли вираз У збільшується

Fall_Time

Знайти зміни у виразі X, коли вираз Y зменшується

Peak_X

Знайти n-ий локальний максимум у виразі X

Peak_Y

Знайти n-ий локальний максимум у виразі Y

Valley_X

Знайти n-ий локальний мінімум у виразі X

Valley_Y

Знайти n-ий локальний мінімум у виразі YУ

Period

Знайти n-ий період у виразі Y.

Frequency

Знайти n-у частоту у виразі Y.

High_X

Знайти найбільше значення у виразі X

у виділеній частині

High_Y

Знайти найбільше значення у виразі Y

у виділеній частині

Low_X

Знайти найменше значення у виразі X

у виділеній частині

Low_Y

Знайти найменше значення у виразі Y

у виділеній частині

X_Range

Знайти межі Xmin-max в межах n-го випадку вказаного діапазону

Y_Range

Знайти межі Y min-max в межах n-го випадку вказаного діапазону X

Slope

Знайти крутизну нахилу (дельта Y/дельта X)

у n-ому випадку вказаного значення X

Додаток Є

Є.1 ПЕРЕЛІК ПИТАНЬ, ЩО ВИНОСЯТЬСЯ НА ПЕРШИЙ МОДУЛЬНИЙ КОНТРОЛЬ