Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лабы МоЕ.doc
Скачиваний:
2
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
12 Мб
Скачать
☆

Питання першого рівню складності

  1. Особливості математичного забезпечення рівнів проектування і моделювання електронних пристроїв, ієрархічність моделей, програмне забезпечення.

  2. Програми схемотехнічного проектування ЕСAD.

  3. Етапи машинного аналізу електронних схем.

  4. Задачі аналізу як етапу проектування.

  5. Види та методика аналізу в програмах ЕСAD.

  6. Види одноваріантного аналізу.

  7. Формування та обробка вихідних даних в постпроцесорі.

  8. Критерії обирання видів аналізу.

  9. Класифікація моделей на схемотехнічному рівні проектування.

  10. Закони Ома, Кірхгофа та комутації.

  11. Моделі пасивних елементів.

  12. Біполярні прилади. Загальні риси приладів, моделей.

  13. Моделі діоду й стабілітрону.

  14. Моделі БТ. Порівняння іх по критеріях.

  15. Моделювання потужних біполярних транзисторів.

  16. Малосигнальні моделі БТ.

  17. Макромоделі тиристора.

  18. Особливості моделювання потужних тиристорів.

  19. Способи отримання та зниження розміру математичної моделі схеми (ММС).

  20. Метод Ньютона-Рафсона (методика).

  21. Метод Ейлера (методика).

  22. Етапи формування та розв'язання рівнянь ММС в програмах ECAD (аналоговий алгоритм).

  23. Методи дискретизації та лінеаризації в програмах ECAD.

  24. Особливості ММС для аналізу в режимі малого сигналу.

  25. Особливості ММС для аналізу в режимі статики.

  26. Особливості ММС для аналізу динаміки.

  27. Дуалізм фазових змінних, законів та методів.

  28. Топологія кіл. Граф, дерево, інші топологічні елементи.

  29. Топологічні матриці. Закони Кірхгофа в матричній формі.

  30. Методи однорідного та неоднорідного координатного базису.

Питання другого рівню складності

  1. Особливості математичної моделі схеми при аналізі статики, динаміки, частотних характеристик.

  2. Структурні спрощення та перетворення схем, глобальна та локальна лінеаризація характеристик.

  3. Аналітичне порівняння та історія розвитку методів автоматизованого аналізу.

  4. Розвиток алгоритмів моделювання, програм класу ECAD.

  5. Засоби підвищення ефективності обчислювальних алгоритмів

  6. Поняття координатного базису. Способи його мінімізації.

  7. Порівняння методів неоднорідного координатного базису.

  8. Метод змінних стану (задача).

  9. Метод вузлових потенціалів (задача).

  10. Графоаналітичні методи аналізу (задача).

Є.2 ПЕРЕЛІК ПИТАНЬ, ЩО ВИНОСЯТЬСЯ НА другИЙ МОДУЛЬНИЙ КОНТРОЛЬ

Питання першого рівню складності

  1. Моделі польових транзисторів. Порівняння іх по критеріях.

  2. Моделювання польових транзисторів (ПТКП).

  3. Моделювання польових транзисторів (МОНТ).

  4. Моделювання потужних польових транзисторів.

  5. Малосигнальні моделі польових транзисторів, визначення параметрів.

  6. Макромоделі трансформатора. Макромоделі магнітного осердя.

  7. Макромоделі аналогових інтегральних пристроїв електроніки: структура, принципи побудови.

  8. Порівняння макромоделей операційного підсилювача.

  9. Макромоделі цифрових інтегральних пристроїв електроніки.

  10. Структура бібліотеки цифрових компонентів програми МС.

  11. Порівняти моделі аналогових елементів і цифрових.

  12. Особливості моделювання аналогово-цифрових пристроїв.

  13. Інтерфейс та призначення логічного конвертора.

  14. Методика синтезу комбінаційного пристроя в EWB.

  15. Сутність подійного моделювання.

  16. Багатозначна логіка, дискретизація рівнів сигналу та часу

  17. Особливості аналізу динамічних та статичних режимів.

  18. Способи отримання та зниження розміру математичної моделі схеми (ММС).

  19. Способи завдання початкових умов в ЕСAD.

  20. Мета і задачі перетворення функцій часу.

  21. Перетворення Фур`є: пряме та інверсне.

  22. Аналіз спектральних характеристик, шумів.

  23. Види і особливості багатоваріантного аналізу.

  24. Аналіз із фіксованим та випадковим розкидом внутрішніх та зовнішніх параметрів (варіація температури, параметрів моделей елементів).

  25. Метод Монте-Карло, аналіз на найгірший випадок, аналіз чутливості.

  26. Вторинні параметри статичних, динамічних та частотних характеристик електронних пристроїв.

  27. Зв'язок динамічних та частотних характеристик.

  28. Модифікований метод вузлових потенціалів (методика).

  29. Метод контурних струмів (методика).

  30. Метод вузлових потенціалів (методика).