- •Вопрос №1.Скорость и ускорение при криволинейном движении. Кинематика вращательного движения.
- •2. Кинематика вращательного движения.
- •Вопрос №2.Законы Ньютона. Основное уравнение динамики поступательного даижения.Закон сохранения импульса.
- •Вопрос №3. Работа силы. Энергия и мощность.
- •Вопрос № 4. Потенциальная и кинетическая энергия. Потенциальное силовое поле. Закон сохранения импульса.
- •Вопрос №5.Динамика вращательного движения: основные велечины, основное уравнение и закон сохранения момента импульса.
- •Механические волны. Скорость и длина волны, волновой фронт. Функция плоской бегущей гармонической волны.
- •Вопрос №9. Внутренняя энергия и теплота. Распределение энергии по степеням свободы молекул в идеальном газе.
- •Вопрос №10.Теплоёмкость термодинамической системы. 1-ое начало термодинамики.
- •Вопрос №11.Тепловые двигатели. Кпд тепловых двигателей. 2-ое начало термодинамики.
- •Вопрос №13.Потенциал электростатического поля. Связь потенциала с напряжённостью.
- •Вопрос 15. Проводники в электростатическом поле. Электростатическая индукция.
- •Вопрос №16.Ёмкость. Конденсаторы. Электрическое поле в плоском конденсаторе. Плотность энергии электрического поля.
- •Вопрос №17.Поляризация в диэлектриках. Полярные и неполярные диэлектрики.
- •Вопрос №18.Сила и плотность электрического тока. Условия существования электрического тока. Эдс и напряжение.
- •Вопрос 19. Закон Ома( для участка цепи, цепи с источником эдс, дифференциальная формулировка). Мощность источника эдс.
- •Вопрос 20. Физическая природа сопротивления. Основные представления электронной теории проводимости. Сверхпроводимость.
- •Вопрос 21. Термоэлектронная эмиссия. Вакуумный диод: устройство, назначение и вольт- амперная характеристика.
- •Вопрос 22. Электрический ток в жидкостях. Электролиз.
- •Вопрос 23. Электрический разряд в газах: ионизация, вольт- амперная характеристика, виды газового разряда. Плазма.
- •Вопрос 24. Контактная разность потенциалов. Термоэлектрические явления Зеебека и Пельтье.
- •Вопрос 25. Магнитное поле: магнитный момент контура с постоянным током, напряженность, закон Био- Свара.
- •Вопрос 26. Закон Ампера. Взаимодействие прямолинейных проводников с постоянным током.
- •Вопрос 27. Векторы намагничения и магнитной индукции. Поток магнитной индукции. Замкнутый хар-тер силовой линии мп.
- •Вопрос 28. Работа при перемещении проводника и контура с постоянным током в мп.
- •Вопрос 29. Закон полного тока. Вихревой характер магнитного поля.
- •Вопрос 31. Электромагнитная индукция. Вихревое электрическое поле.
- •Вопрос 32. Самоиндукция. Эдс самоиндукции. Индуктивность.
- •Вопрос 33. Напряженность и энергия магнитного поля в соленоиде. Плотность энергии магнитного поля.
- •Вопрос 34. Колебательный контур. Электромагнитные колебания.
- •Вопрос 35. Основные законы электродинамики. Электромагнитное поле
- •Вопрос 36. Перенос энергии электромагнитного поля. Вектор Пойнтинга. Поток электромагнитного поля вдоль проводника с током
- •Вопрос 37. Свойство электромагнитных волн. Шкала электромагнитных волн. Интенсивность света
- •Вопрос 38. Лучевая оптика. Законы отражения и преломления. Полное внутреннее отражение. Световоды.
- •Вопрос 39. Волновая оптика. Интерференция световых волн.
- •Вопрос 40. Принцип Гюйгенса- Френеля в объяснении дифракции света. Дифракционный спектр.
- •Вопрос 41. Поглощение света. Закон Бугера. Спектры поглощения.
- •Вопрос 42. Нормальная и аномальная дисперсия света. Ход лучей в призме. Дисперсионный спектр.
- •Вопрос 43. Рассеяние света .Закон Рэлея.
- •Вопрос 44. Излучение абсолютно черного тела. Гипотеза и формула Планка.
- •Вопрос 45. Фотоэлектронная эмиссия. Законы внешнего фотоэффекта. Формула Эйнштейна.
- •Вопрос 48. Постулаты Бора. Опыт Франка и Герца.
- •Вопрос 50. Гипотеза де Бройля. Дифранция электронных пучков в тонких слоях кристаллов.
- •Вопрос 51. Корпускулярно-волновой дуализм. Соотношение неопределённостей. Boлновая функция и ее физический смысл.
- •Вопрос 52. Вероятности квантовых переходов. Молекулярные спектры. Люминесценция.
- •Вопрос 53. Стимулированное излучение. Устройство лазеров. Свойства лазерного излучения.
- •Вопрос54.Энергетические зоны в кристаллах. Проводники, диэлектрики и полупроводники. Энергия активации.
- •Вопрос 55. Собственная проводимость в полупроводниках. Проводимость n-типа и р-типа
- •Вопрос 56. Примесная проводимость в полупроводниках. Электрические свойства контакта полупроводников n-типа и р-типа
Вопрос 53. Стимулированное излучение. Устройство лазеров. Свойства лазерного излучения.
Стимулированное излучение. А.Эйнштейн для объяснения наблюдавшегося в эксперименте термодинамического равновесия между веществом и испускаемым и поглощаемым им излучением постулировал, что помимо поглощения и спонтанного излучения должен существовать третий, качественно иной тип взаимодействия. Если на активные атомы (в кристаллах их называют активными центрами), находящийся в возбужденном состоянии 2, действует внешнее излучение с частотой, удовлетворяющей условию ħω21 = Е2 – Е1, то возникает cтимулированный переход в основное состояние 1 с излучением фотона той же энергии ħω = Е2 – Е1 дополнительно к тому фотону, под действием которого произошел КП. Таким образом, в процесс вынужденного излучения вовлечены 2 фотона: первичный фотон, вызывающий (стимулирующий) испускание излучения возбужденным атомом, и вторичный фотон, испущенный атомом. Стимулированное излучение (вторичные фотоны) тождественно вынуждающему (первичным фотонам): оно имеет такую же частоту, фазу, поляризацию, направление распространения. Следовательно, вынужденное излучение оказывается строго когерентным с вынуждающим излучением, т.е. испущенный фотон неотличим от фотона, падающего на атом. Испущенные фотоны, двигаясь в одном направлении и встречая возбужденные атомы, стимулируют вынужденные переходы: происходит размножение фотонов. Для того, чтобы могло происходить усиление излучения, необходимо, чтобы интенсивность вынужденного излучения превышала интенсивность поглощения фотонов. А для этого необходимо превышение заселённости возбуждённого состояния (числа атомов в возбуждённом состоянии) над заселённостью основного состояния (числом атомов в основном состоянии).
Оказывается, можно практически получить системы, в к-рых на более высоком уровне расположено больше частиц, чем на нижнем. Такие системы получили название систем с инверсной заселённостью. Если обратиться к формуле Больцмана, связывающей населённости энергетических уровней с температурой тела: n2/n1= е(—(Е2 – Е1) /kТ), то это соответствует состоянию, когда температура отрицательна (тогда показатель степени в формуле положителен). Состояния системы, при которых заселённость верхнего уровня выше, чем нижнего, называются состояниями с отрицательной температурой. При этом необходимо иметь в виду, что отрицат. температура не имеет физического смысла, подобного понятию обычной температуры, а является только удобной математич. характеристикой неравновесности системы. Процесс перевода системы в состояние с инверсией населенностей называется накачкой (осуществляется оптическими, электрическими и другими способами). Инверсная среда, в к-рой происходит усиление падающего на нее пучка света, называется активной. Для закона Бугера [мощность излучения, как известно, от пути пучка x зависит так: I(x) = I0×exp (-κx)] в подобных средах должен быть характерен отрицательный коэффициент поглощения κ.
Материалы, в к-рых удалось образовать инверсную заселённость уровней, представлены ныне многими тысячами сред. К ним относятся рубин, стёкла, активированные неодимом или титаном, гранат, фторид лития—натрия с примесью эрбия, александрит, смесь гелия и неона (также с включением примеси кадмия), ксенон, криптон, аргон, водород, окись углерода, углекислый газ, вода, аммиак, сероводород, многие полупроводники, растворы и пары красителей... Удалось получить инверсию в газовых средах с использованием обычных паров воды и даже воздуха.
Лазеры. Эффект усиления излучения в активных средах используется в лазерах (аббревиатура от — Light Amplification of Stimulated Emission of Radiation — LASER), устаревшее название - оптические квантовые генераторы. Лазеры подразделяются:
по типу активной среды (твердотельные, газовые, полупроводниковые и жидкостные);
по методам накачки (оптические, тепловые, химические, электроионизационные и др.);
по режиму генерации (непрерывного или импульсного действия).
Устройство лазера (источника когерентного излучения) образовано тремя основными элементами:
1) активной (усиливающей свет) средой; 2) резонатором, который образует положительную обратную связь для излучения; 3) системой накачки, с помощью к-рой активной среду возбуждают для получения усиления.
В усиливающей среде всегда присутствует излучение в виде люминесценции. Оно распространяется вдоль оптической оси резонатора 2 (рис.4). Это излучение многократно усиливается активной средой за счет его циркуляции между зеркалами R0 и R. Одно из зеркал (R0) обычно полностью отражает излучение, другое (R) - частично пропускает свет. В то же время излучение, которое идёт под наклонными углами к оси резонатора (4), выходит из активной среды без заметного усиления. Поэтому лазер генерирует распространяющийся вдоль оси резонатора и крайне слабо расходящийся световой пучок, луч (5).
Схема лазера: 1 - активная среда, 2 - резонатор, образованный двумя параллельными плоскими зеркалами, 3 - система накачки
Когда световые монохроматич. волны, излучённые атомами лазерного вещества, пройдут несколько раз вперёд и назад между зеркалами R0 и R, они становятся почти плоскими. Зеркало R частично прозрачно и отражает не весь падающий на него свет. Прошедший сквозь это зеркало свет и есть практически используемый свет, излучаемый лазером. Резонатором определена дискретность в спектре свечения лазеров. Из световых волн усиливаются те, к-рые могут существовать в резонаторе (их длины волн д-ны укладываться вдоль оси резонатора целое число раз). Из этих волн в веществе активной среды усиливаются только волны с частотами, к-рые попадают в спектральную полосу усиления – группируются в окрестности резонансной частоты усиления ω21, удовлетворяющей условию ħω21 = Е2 – Е1.
У полупроводниковых лазеров (где активный элемент - кристаллик полупроводника или контакт из 2-х полупроводников разного типа) активные центры (такие, как, напр-р. в люминесцентных кристаллах – среди них рубин или гранат) отсутствуют ¾ лазерное излучение рождается здесь в результате соответствующих изменений состояния электронного коллектива – переходов между энергетич. зонами.
Свойства лазерного излучения. Лазерные лучи — это пучки ЭМ волн, обладающие уникальными свойствами. Ниже вкратце остановимся на трёх особенностях лазерного излучения.
Для лазера характерна очень высокая направленность светового луча. Угол его расходимости примерно в 104 раз меньше, чем луча хорошего прожектора. На поверхности Луны лазерный луч создает пятно диаметром около 10 км. Благодаря высокой направленности энергия лазерного луча может передаваться на очень большие, в том числе и космические, расстояния. Это создает основу для осуществления связи, передачи по лазерному лучу как телефонных разговоров, так и телевизионных изображений. При этом мощность передатчика (лазера) может быть в дес. и сотни тыс. раз меньше мощности обычных радиостанций. Лазерный луч предполагается использовать и для передачи энергии.
Второе уникальное свойство лазерного луча — его монохроматичность, т. е. необычайно узкий спектральный состав. Спектральная ширина его излучения во много раз меньше, чем у всех других источников света и радиоволн. Напр-р, ширина линии люминесценции рубина равна ~3×1011 Гц. В спектроскопии такая линия считается узкой. В то же время в лучших лазерах удается получить полосу излучения, ширина которой всего неск-ко Гц. Высокая монохроматичность не свойственна всем типам лазеров. В ряде случаев (полупроводниковые лазеры, лазеры на растворах красителей) полоса излучений весьма широка, что также может быть использовано на практике.
Интенсивность и длительность свечения. Выбор типа лазеров для его практического использования зависит от поставленной задачи. Есть лазеры непрерывного действия. Однако большинство лазерных систем излучает отдельные световые импульсы или целую серию импульсов. Длительности импульсов также различны. В режиме свободной генерации длительность генерации близка к длительности свечения ламп накачки.
В так называемых моноимпульсных генераторах длительность свечения
~10-8с.
Широко применяются
источники импульсов пикосекундной
длительности
(
<10-12с),
достигнуты длительности импульсов,
сравнимые с периодом колебания
светового вектора (~
фс).
Для сокращения длительности
импульсов внутри резонатора
размещают различные управляющие
устройства.
Широко известны гелий-неоновые
лазеры непрерывного
действия.
Они излучают
чаще всего красный свет. Мощность
лазера
0,002…0,020 Ватт,
что во много раз меньше мощности
лампочки карманного фонаря.
Газовые непрерывные лазеры на смеси СО2—N2—Не(Н2О), работающие в невидимой ИК области спектра (l~10 мкм), имеют мощности в ~106 раз больше (~102…103 Ватт). Чтобы оценить возможности этих лазеров, нужно вспомнить из школьного курса физики, что для плавления 1 см 3 металла необходимо ~50 Дж. Если мощность лазерного луча 500 Вт, то, в принципе, он м-т расплавить за 1с около 10 см3 металла. Реальные цифры, достигаемые на опыте, существенно меньше, так как значительная доля световой энергии, падающей на поверхность металла, отражается от неё.
Мощности, полученные в твердотельных лазерах на кристаллах (напр-р, на рубине или стекле, активированном неодимом) намного больше. С помощью устройств этого типа нетрудно получить энергию 50 Дж за интервал ~ 10-4 с, что соответствует мощности ~ 500 тыс. Вт. В моноимпульсных и пикосекундных лазерах возможны мощности лазеров в тысячи и миллионы раз выше. Это намного превосходит спектральные яркости всех других источников света, в том числе и Солнца на его поверхности. Заметим здесь, что понятие мощности говорит о концентрации энергии во времени, о способности системы произвести значительное действие в заданный (обычно короткий) интервал времени. Лазерный луч м-но сфокусировать в очень малом объёме ¾ напр-р, в сфере диаметром ~0,1 мм. Огромные мощности некоторых типов лазеров еще раз свидетельствуют о высоком качестве лазерной энергии. М-но, напр-р, получить в считанные мгновения плотности энергии, превышающие плотности энергии ядерного взрыва, в пике светового импульса мощности в современных лазеров достигают неск-ких десятков тераВатт. С помощью лазеров такого типа удается получить температуры, равные десяткам миллионов градусов, давления ¾ ~ 108 атмосфер. С помощью лазеров получены самые высокие магнитные поля и т.д.
