- •Тема 1. Напiвпровiдниковi прилади
- •1.2. Провiднiсть напiвпровiдникiв
- •1.3. Електронно-дірковий перехід
- •1.4. Напівпровідникові діоди
- •1.5. Біполярні транзнстори
- •Між характеристичними та внутрішніми параметрами транзистора для кожної схеми вмикання існує певний зв’язок.
- •1.6. Польові транзнстори
- •Тема 2. Інтегральні мікросхеми
- •1.1. Планарна технологія
- •2.2. Основні терміни і визначення в мікроелектроніці
- •2.4. Напівпровідникові інтегральні мікросхеми
- •2.5. Тонкоплівкові гібридні інтегральні мікросхеми
- •Тепер можна оцінити питому ємність діелектрика із виразів
- •Тема з. Оптоелектронні елементи tа системи
- •3.1. Особливості оптоелектроніки
- •3.2. Джерела (випромінювачі) світла
- •3.3. Фотоприймачі
- •Загальний колекторний струм фототранзистора
- •3.4. Оптичні лінії зв'язку
- •3.5. Оптоелектронні індикатори
- •3.6. Оптрони
- •Mіkросхеmоtехhіка
- •Тема 4. Електронні підсилювачі
- •4.1. Класифікація та структурні схеми підсилювачів
- •Розглядаючи вхідне коло підсилювача з джерелом напруги (рис. 4.1, а), можемо записати
- •4.2. Осhоbhі характеристики підсилювачів
- •Для багатокаскадного підсилювача
- •4.3. Режим роботи підсилювального каскаду
- •4.4. Зворотний зв'язок у підсилювачах
- •Тема 5. Базові елементи лінійних інтегральних підсилювачів.
- •5.1. Особливості аналогової інтегральної схемотехніки
- •5.2. Методи забезпечення і стабілізація режиму роботи транзисторного каскаду підсилення
- •5.3. Елементарні каскади підсилення
- •5.4. Складений транзистор
- •5.5 Диференційні каскади підсилення
- •5.6. Вибіркові каскади підсилення
- •Тема 6. Операційні підсилювачі
- •6.1. Призначення та основні властивості операційних підсилювачів
- •6.2. Передавальні характеристики операційних підсилювачів
- •6.3. Сtруktурhі схеми операційних підсилювачів
- •6.4. Операційні підсилювачі загального призначення
- •6.5. Операційні підсилювачі окремого застосування
- •6.6. Найважливіші показники операційних підсилювачів
- •6.7. Інвертуюче, неінвертуюче та диференційне ввімкнення операційних підсилювачів
- •Вхідний і вихідний опори такої моделі в першому на6лиженні визначаються рівняннями
- •6.8. Розв'язуючі пристрої на стандартних операційних підсилювачах
- •Якщо до входу оп прикласти напругу в вигляді стрибка із сталою амплітудою Uд, то
- •Тема 7. Генератори гармонічних kоливань
- •7.1. Класифікація та ііризначення генераторів гармонічних коливань
- •7.2. Умови самозбудження автогенераtорів
- •Таким чином, щоб одержати стійкий автоколивальний процес з частотою коливань
- •7.5. Стабілізація частоти вихідних коливань в автогенераторах
- •Тема 8. Імпульсні пристрої на інтегральних mікросхеmах
- •8.1. Особливості імпульсного режиму електронних пристроїв
- •8.2. Ключовий режим роботи біполярних транзисторів
- •При цьому струм колектора в режимі насичення
- •8.3. Імпульсний режим роботи операційних підсилювачів. Компаратори
- •Скориставшись рівністю (8.11) та (8.12) для напруги гістерезисну, отримаємо
- •8.4. Диференціюючі та інтегруючі ланцюжки
- •8.1. Електронні ключі
- •8.6. Автоколивні мультивібратори
- •Період коливань мультивібратора симетричної схеми
- •Тривалість зрізу залежить від часу заряджання конденсатора
- •Частота слідування імпульсів
- •8.7. Загальмовані мультивібратори
- •Має низький негативний рівень, а напруга , що збігається з напругою на відкритому діоді vd1, майже дорівнює нулю.
- •8.8. Генератори лінійно–змінної напруги
- •Тема. 9. Цифрові елементи та пристрої
- •9.1. Загальна характеристика цифрових логічних інтегральних мікросхеm
- •9.2. Схеми цифрових логічних елементів
- •9.3. Тригери
6.2. Передавальні характеристики операційних підсилювачів
Увімкнення
ОП у зовнішнє коло з джерелом вхідного
сигналу ±
Uвх,
опором
навантаження Rн
і
двома джерелами живлення
і
показано
на рис. 6.2, а.
Джерело
живлення має три режими: позитивний,
негативний і загальнозаземляючий. Таке
джерело називається джерелом з
розщепленим живленням. Звичайно джерела
живлення
і
симетричні,
то6то мають рівні напруги. Але існують
спеціальні ОП з несиметричним живленням
(наприклад,
=
12В
і
= -
6В) або які мають однополярне живлення.
Від ОП до джерела, живлення струми
повертаються через навісні елементи,
в даному випадку через опір
навантаження. Вхідна напруга диференційна
незалежно від того, який із входів
підсилювача заземлений.
Рис. 6.2
Передавальні характеристики ОП Uвих = φ(Uвх) (рис. 6,2, 6), які належать до інвертуючого і неінвертуючого входів, зображуються у вигляді двох кривих. Як видно, вхідні і вихідні напруги можуть симетрично змінюватися відносно нуля (бути біполярними). При заземленому неінвертуючому вході (рис. 6.2, а) сигнал передається на вихід підсилювача з інвертуванням фази вхідного сигналу (крива 1). При заземленні інвертуючого входу фаза підсилюваного сигналу в процесі підсилення не змінюється (крива 2). Вихідна напруга знімається відносно середньої точки джерела живлення, Якщо Uвх = 0, то Uвих = 0, В чому й полягає умова балансу ОП.
Рис. 6.3
Нахиленим (лінійним) ланкам передавальних характеристик, від повідають пропорційні залежності вихідної напруги від вхідної, При відсутності зовнішніх кіл зворотного зв'язку нахил передавальних характеристик ΔUвих /ΔUвх визначається власним коефіцієнтом підсилення КпU. Граничне значення амплітуди вихідного сигналу близьке до 2ЕС. Але при цьому значно зростають нелінійні спотворення підсилюваного сигналу. Горизонтальні ланки перехідних характеристик відповідають режиму насичення або відсічки транзистора вихідного каскаду, При цьому зміна вхідної напруги не викликає зміни вихідної напруги, яка досягає максимуму, близького до ЕС,
У реальному ОП спостерігається розбалансування. В такому разі на виході підсилювача існує деяка напруга +ΔUвих або - ΔUвих (криві 1 і 3 на рис. 6.3, а) при Uвих = 0. Для усунення розбалансування (крива 2) на вхід підсилювача необхідно подати напругу зміщення Uзм (рис. 6.3, б) в КпU разів меншу за відхилення вихідної напруги. Якщо на вході ОП існує деяка синфазна ЕРС Есф, як і в звичайному диференційному каскаді (див. п. 5.5), то напруга на виході підсилювача матиме деяке зміщення ΔUвих.сф при Uвх = 0. Для компенсації цього зміщення між входами ОП необхідно прикласти напругу компенсації помилок ΔUсф (рис. 6.3, в).
6.3. Сtруktурhі схеми операційних підсилювачів
Найбільшого застосування набули в наш час трикаскадні і двокаскадні інтегральні ОП відповідно першого і другого поколінь. На рис. 6.4, а показано структурну схему трикаскадного ОП.
В цій схемі перший каскад - це простий диференційний підсилювач (ДП) з резистивним навантаженням, джерелом стабільного струму в колі емітерів, який має два входи і два виходи (див. рис. 5.12, а). Для підвищення вхідного опору і знижений статичних і дрейфових помилок цей каскад працює в режимі мікроамперних струмів, проте одержати високий коефіцієнт підсилення (див. формулу (5.43)) не можна.
Рис. 6.4
Другий каскад - підсилювач напруги (ПН), також виконаний за схемою диференційного підсилювача, працює в режимі міліамперних струмів і тому має значний коефіцієнт підсилення. Вихід цього каскаду по постійній складовій струму узгоджений з входом кінцевого підсилювача, який підсилює амплітуду сигналу (ПА) і складається з каскадів за схемами ЗЕ, ЗБ і ЗК. Найчастіше вихідний каскад створюється за схемою ЗК (емітерний повторювач), що забезпечує необхідне навантаження всієї схеми ОП. В підсилювачі амплітуди (ПА), що споживає основну частину струму всього підсилювача, остаточно формується амплітуда вихідного сигналу. Наявність в ПА емітерного повторювача (вихідний каскад) зумовлює низький вихідний опір ОП. Загальний коефіцієнт підсилення три каскадного ОП може досягати 100 000 і більше. Вхідні характеристики ОП повністю зумовлені вхідними характеристиками ДП, а вихідні - показниками кінцевого каскаду за відповідною схемою вмикання.
Вхідний диференційний опір ОП в мікрорежимі при великому опорі RЕ джерела стабільного струму виражається сумою вхідних опорів обох транзисторів ДП. З врахуванням виразу (5.36) його можна розрахувати за формулою
Rвх.д ≈ 2h11Е =[4тφт(h2ІЕ + l)]/І0. (6.1)
Вихідний опір підсилювача зумовлюється відношенням ЕРС в режимі холостого ходу до змінної складової вихідного струму в режимі короткого замикання
Rвих ≈ КпU Uвх /Івих.к.з. (6.2)
Транзистори ОП в інтегральному виконанні мають біполярну структуру n-р-n-типу. Незважаючи на малі вхідні ємності інтегральних транзисторів, кожний каскад характеризується власною сталою часу, яка задає частотну характеристику каскаду, тобто частотна характеристика всього ОП зумовлюється трьома сталими часу.
Промислова реалізація двокаскадних ОП (рис. 6.4, б) стала можливою після розробки інтегральних транзисторів p-n-p-типу із задовільними малосигнальними параметрами і частотними властивостями, що дозволило застосувати в схемотехніці диференційні каскади з динамічним навантаженням, в яких підвищений коефіцієнт підсилення. Отже, подальша модернізація технології виготовлення інтегральних структур дала можливість функції першого і другого каскадів сполучити в одному каскаді підсилення (ДП). При цьому загальне підсилення двокаскадних ДП другого покоління зберігається на попередньому рівні, хоча виключається одна стала часу, що покращує частотні якості таких підсилювачів.
