Задачі до табл. 1.2

Задача 1. Знайти напругу на діодах u_d1 і u_d2 для схеми, наведеної на рисунку. Застосувати закони Кірхгофа і врахувати, що струм i_dk, який протікає через k-й діод пов’язаний із напругою на ньому u_dk залежністю , де i_0k – зворотний струм k-го діода, _T – тепловий потенціал, m_k – коефіцієнт неідеальності k-го діода.

Значення напруги джерела e, опори резистора R, параметри діодів вибрати із таблиці відповідно до варіанта:

№ варіанту	e, В	R, кОм	i01, нА	i02, нА	m1	m2	T, мВ
1	6	1.5	2	5	1.5	1.7	26
2	5	0.4	10	2	2	1.8	26
3	10	1	8	20	1.2	1.6	26

Задача 2. Знайти напругу на тріодах u_a1 і u_a2 для схеми, наведеної на рисунку. Застосувати закони Кірхгофа і врахувати, що струм i_a, який протікає через тріод пов’язаний із напругами u_a і u_s залежністю

,

д е g – первеанс тріода, D – проникність тріода,  – коефіцієнт, який залежить від співвідношення відстаней анод-катод і сітка анод.

Струмом сіток знехтувати.

Значення напруг джерел e_s, e_a, опори резистора R, и параметри тріода вибрати із таблиці відповідно до варіанта:

№ варіанту	ea, В	es1, В	es2, В	R, кОм	g, 10-4A/В3/2				D
					T1	T2	T1	T2	T1	T2
1	250	2	100	100	1	5	3	4	0.05	0.03
2	200	3	70	50	10	2	3.5	4	0.05	0.01
3	300	2.5	120	70	3	4	4	5	0.02	0.07

Задача 3. Знайти напругу u_вих для схеми, наведеної на рисунку. Застосувати закони Кірхгофа і врахувати, що струм стоку i_d польового транзистора із керуючим p-n переходом пов’язаний із напругою u_ds залежністю

,

де  – питома крутизна транзистора;

g₂₂ – вихідна провідність транзистора, u₀ – напруга відсічки.

Значення напруг джерел E і u_вх, опір резисторів R₁ і R₂, і параметрів транзисторів вибрати із таблиці відповідно до варіанта:

№ варіанту	E, В	uвх, В	R1, кОм	R2, кОм	u0, В		, 10-4А/В2		g22, 10-5См
					VT1	VT2	VT1	VT2	VT1	VT2
1	10	2	2	0.1	-3	-4	2	4	2	1
2	5	3	1	0.6	-5	-2	0.8	5	10	2
3	7.5	5	6	1	-2	-3	1	2	4	6

Задача 4. Знайти напругу u_вих для схеми, наведеної на рисунку.

З астосувати закони Кірхгофа і врахувати, що струм стоку МДН-транзистора i_d пов’язаний з напругою u_ds залежністю

,

де  – питома крутизна транзистора,

g₂₂ – вихідна провідність транзистора, u₀ – порогова напруга.

Значення напруг джерел E, u_вх1, u_вх2 і параметрів транзисторів вибрати із таблиці відповідно до варіанта:

№ варіанту	E, В	uвх1, В	uвх2, В	u0, В			, 10-4А/В2			g22, 10-4 См
				VT1	VT2	VT3	VT1	VT2	VT3	VT1	VT2	VT3
1	9	4	10	3	2.5	2	2	2	4	2	1	4
2	8	5	12	2	2.5	1.5	10	8	2	4	6	2
3	12	4	15	3	3.5	3	5	1	4	5	1	8

Задача 5. Знайти напруги u_be і u_сe на біполярному транзисторі для схеми, наведеної на рисунку. Застосувати закони Кірхгофа і врахувати, що струми транзистора пов’язані з напругами u_be і u_сe залежностями , , , де i_e0 - зворотній струм емітерного переходу транзистора, i_c0 - зворотний струм колекторного переходу транзистора, - коефіцієнт передачі струму емітера, _T - тепловий потенціал, m_e - коефіцієнт неідеальності емітерного переходу транзистора, m_с - коефіцієнт неідеальності колекторного переходу транзистора h₁₂ - коефіцієнт зворотного зв’язку.

З начення напруг джерел e_b і e_c, опорів резисторів R_b і R_c і параметрів транзистора вибрати із таблиці відповідно до варіанта:

№ варіанту	eb, В	ec, В	Rb, 103 Ом	Rc, 102 Ом	ie0, 10-9А	me	ic0, 10-9А	mc	T, 10-3В		h12, 10-3
1	4	10	5	1	1	1.01	1.5	1.5	26	0.98	2
2	5	12	4	1.5	2	1.05	2.8	1.4	26	0.99	1
3	6	15	7	2	2.5	1.06	4	1.6	26	0.99	1.5

Задача 6. Знайти напругу u_вих для схеми, наведену на рисунку. Застосувати закони Кірхгофа і врахувати, що струм стоку МДН-транзистора i_d пов’язаний із напругою u_ds залежністю

,

де  – питома крутизна транзистора;

g₂₂ – вихідна провідність транзистора, u₀ – порогова напруга.

Значення напруг джерел E, u_вх1, u_вх2 і параметрів транзисторів вибрати із таблиці відповідно до варіанта

№ варіанту	E, В	uвх1, В	uвх2, В	u0, В			, 10-4А/В2			g22, 10-4 См
				VT1	VT2	VT3	VT1	VT2	VT3	VT1	VT2	VT3
1	8	4	6	-1	2	3	1	2	3	0.4	0.1	0.6
2	10	5	7	-2	3	2	1	0.1	0.8	0.1	0.05	0.1
3	12	6	8	-1.5	2.5	3	2	1	1	0.5	0.2	0.8

Задача 7. Знайти напругу на діоді u_d для схеми, наведеної на рисунку. Застосувати закони Кірхгофа і врахувати, що струм i_d, який протікає через діод пов’язаний із напругою u_d залежністю , де i₀ – зворотний струм діода, _T – тепловий потенціал, m – коефіцієнт неідеальності діода, а опір бази діода пов’язаний зі струмом діода i_d залежністю: , r_b0 – опір бази діода в рівноважному стані, i_ – струм, який відповідає переходу до високих рівнів інжекції. Задачу розв’язувати як систему із двох рівнянь.

R

E

u_d

i_d

VD

Значення напруги джерела E, опір резистора R, параметри діоду вибрати із таблиці у відповідності до варіанта

№ варіанту	E, В	R, кОм	i0, нА	rb0, кОм	i, мА	m	T, мВ
1	5	4	10	2	1	1.5	26
2	7	2	1	0.5	0.3	2	26
3	10	8	5	10	3	1.8	26