Задачі для нелінійного рівняння

Задача 1 Знайти напругу на діоді u_d для схеми, наведеної на рисунку. Застосувати другий закон Кірхгофа і врахувати, що струм i_d, який протікає через діод пов’язаний з напругою u_d залежністю , де i₀ — зворотний струм діода, _T — тепловий потенціал, m — коефіцієнт неідеальності діода.

Значення напруги джерела Е, опір резистора R, і параметри діода вибрати із таблиці відповідно до варіанта

№ варіанту	Е, В	R, кОм	i0, нА	m	T, мВ
1	5	1	3	1.7	26
2	10	1.8	6	1.8	26
3	15	3	8	1.6	26

Задача 1 Знайти напругу на тріоді u_a для схеми, наведеної на рисунку. Застосувати другий закон Кірхгофа і врахувати, що струм i_a, який протікає через тріод пов’язаний з напругою u_a залежністю , де g — первеанс тріода, D — проникність тріода,  — коефіцієнт, який залежить від співвідношення відстаней анод-катод і сітка анод.

Значення напруг джерел e_s, e_a, опір резистора R, параметри тріода вибрати із таблиці відповідно до варіанта

№ варіанту	ea, В	es, В	R, кОм	g, 10-4 A/В3/2	D	
1	200	2	50	1.5	0.02	3
2	180	1.5	40	1	0.05	3.5
3	250	3	80	1.7	0.07	4

Задача 3 Знайти напругу на діоді u_d для схеми, наведеної на рисунку. Застосувати другий закон Кірхгофа і врахувати, що струм i_d, який протікає через діод пов’язаний з напругою u_d залежністю , де g – первеанс діода.

Значення напруг джерела e, опір резистора R, і параметрів діода вибрати із таблиці відповідно до варіанта

№ варіанту	ea, В	R, кОм	g, A/В3/2
1	200	80	0.05
2	250	10	0.1
3	180	40	0.03

Задача 4 Знайти напругу на польовому транзисторі із керуючим p-n переходом u_ds для схеми, наведеної на рисунку. Застосувати другий закон Кірхгофа і врахувати, що струм стоку i_d пов’язаний с напругою u_ds залежністю:

,

де  – питома крутизна транзистора; g₂₂ – вихідна провідність транзистора;

u₀ – напруга відсічки.

R

e_ds

u_ds

i_d

VT

e_gs

Значення напруг джерел e_gs і e_ds, опір резистора R, параметрів транзистора вибрати із таблиці відповідно до варіанта

№ варіанту	egs, В	eds, В	R, кОм	u0, В	, А/В2	g22, См
1	1.5	10	3	-3	2.10-3	10-4
2	2.5	12	4	-4	1.5.10-3	2.10-4
3	3	15	5	-5	3.10-3	2.10-4

Задача 5 Знайти напругу на польовому МДН-транзисторі u_ds для схеми, наведеної на рисунку. Застосувати другий закон Кірхгофа і врахувати, що струм стоку i_d пов’язаний із напругою u_ds залежністю

,

де  – питома крутизна транзистора, g₂₂ – вихідна провідність транзистора.

e_ds

u_ds

i_d

VT

e_gs

З

R

начення напруг джерел e_gs и e_ds, опір резистора R і параметрів транзистора вибрати із таблиці відповідно до варіанта

№ варіанту	egs,В	eds,В	R, кОм	u0, В	, А/В2	g22, См
1	4	10	5	2	8.10-4	6.10-5
2	5	12	4	3	9.10-4	8.10-5
3	4	15	7	2.5	1.10-3	10-4

Задача 6 Знайти напругу u_be на біполярному транзисторі для схеми, наведеної на рисунку. Застосувати другий закон Кирхгофа и врахувати, що струм емітера i_e пов’язаний з напругою u_be залежністю , де i_e0 – зворотний струм емітерного переходу транзистора, _T – тепловий потенціал, m_e – коефіцієнт неідеальності емітерного переходу транзистора, h₁₂ – коефіцієнт зворотного зв’язку.

R

e_c

u_be

VT

e_b

i_e

Значення напруг джерел e_b і e_c, опір резистора R, параметрів транзистора вибрати із таблиці відповідно до варіанта

№ варіанту	eb,В	ec,В	R, кОм	ie0, 10-9А	me	T, 10-3В	h21,10-3
1	4	10	5	1	1.01	26	2
2	5	12	4	2	1.05	26	1
3	6	15	7	2.5	1.06	26	1.5

Задача 7 Концентрація власних носіїв електричного заряду в кремнії описується рівнянням , де m_n^* – ефективна маса електронів; m_p^*– ефективна маса дірок; m₀- маса електрона; T – абсолютна температура; q – заряд електрона; E_g – ширина забороненої зони кремнію; k – стала Больцмана. При якій температурі концентрація власних носіїв дорівнює n_i = 2^.10¹⁰ см^-3 ? Врахувати, що , , q=1.6^.10^-19 Кл, k=1.38^.10^-23 Дж/К, E_g=1.2 эВ, розмірність коефіцієнта 4.9^.10¹⁵ см^-3К^-3/2.

Таблиця 3.2.

Варіанти завдань для системи нелінійних рівнянь

Номер бригади	Номер задачі	Номер варіанту задачі
	2	1
	3	1
	4	1
	5	1
	6	1
	7	1
	1	1
	2	2
	3	2
	4	2
	5	2
	6	2
	7	2
	1	2
	3	3
	4	3