Затем определяют коэффициент усиления по мощности всего тзч по формуле (23):

;

где Р_вх – мощность сигнала звуковой частоты на входе первого каскада ТЗЧ (можно принять это значение равным 1мкВт).

Учитывая, что коэффициент усиления по мощности выходного каскада (К_рвых) порядка 30…100, рассчитывают коэффициент усиления по мощности предварительных каскадов и число каскадов предварительного усиления по формуле (24):

.

Полученное значение К_рпред позволяет ориентировочно определить число каскадов предварительного усиления, полагая, что один каскад, выполненный по схеме с общим эмиттером, обеспечивает коэффициент усиления по мощности порядка 30…100.

При использовании в ТЗЧ местной или глубокой ООС, что необходимо для получения хорошей АЧХ тракта звуковой частоты или при использовании регуляторов тембра, число каскадов предварительного усиления необходимо увеличить на 1…2.

Исходя из расчёта ТЗЧ, составляется структурная схема тракта звуковой частоты.

5. Электрический расчет усилительных каскадов радиоприемника.

5.1 Введение

Электрический расчет выполняется для двух усилительных каскадов приемника. Рекомендуется выполнить расчет одного каскада апериодического и одного каскада резонансного усилителя. Такие усилители могут быть использованы в УВЧ или в УПЧ приемника. Выбор рассчитываемых каскадов производится по согласованию с преподавателем (руководителем проекта) после выполнения предварительных расчетов и составления подробной структурной схемы приемника.

При выборе той или иной схемы транзисторного усилителя необходимо учитывать следующие общие соображения, а именно: из различных вариантов схем необходимо выбрать такую, которая может реализовать требования по коэффициенту усиления в нужной полосе частот, с минимальными искажениями и при этом имеет наименьшее число элементов и высокую надежность.

5.2 Апериодический усилитель

5.2.1 Рассмотрим схему апериодического усилителя с последовательной отрицательной обратной связью (рисунок 1). Такая схема, при правильном выборе параметров резисторов делителя напряжения R₁ и R₂ и термостабилизирующей цепи состоящей из резистора R₃ и конденсатора C₃, обеспечивает устойчивое усиление в диапазоне температур и, поэтому получила наибольшее распространение.

Рисунок 1 Схема апериодического усилителя.

В качестве исходных данных для расчета апериодического каскада выбираются следующие величины:

• рабочая частота усилителя (среднее значение частоты для УВЧ или значение промежуточной частоты для УПЧ) или полоса частот;

• тип транзистора, который выбирается по методике, указанной в разделе 4;

• параметры транзистора: ток коллектора I_к, который определяется по ВАХ транзистора и зависит от схемы включения и выбранного режима, крутизна S ВАХ транзистора, выходное сопротивление транзистора R_вых, емкость коллектора транзистора C_к;

• входное сопротивление транзистора последующего каскада R_вх;

• напряжение питания усилительного каскада Е_к;

• коэффициент нестабильности схемы V.

В результате расчета требуется определить следующие параметры усилителя:

• сопротивление резистора нагрузки в цепи коллектора R_к;

• коэффициенты усиления каскада К_о на крайних частотах диапазона;

• сопротивления резисторов цепи термокомпенсации R₁, R₂, R₃;

• величину разделительной емкости конденсатора С_р.

5.2.2 Порядок расчета апериодического усилителя

5.2.2.1 Определяется эквивалентное сопротивление нагрузки R_э в цепи эмиттера (формула (25)), исходя из условия получения максимального коэффициента усиления, считая его равным максимальному устойчивому коэффициенту усиления апериодического усилителя:

, (25)

где S - крутизна ВАХ транзистора на максимальной рабочей частоте;

К_max - максимальный коэффициент усиления, определяемый по формуле (26) как коэффициент устойчивого усиления на максимальной частоте диапазона, т.е.:

. (26)

Внимание! В данной формуле величина Y_21э измеряется в мСм, f_max - в МГц, С_12э - в пФ.

5.2.2.2 Определяется по формуле (27) величина сопротивления нагрузки R_к в цепи коллектора:

; (27)

где: R_вх - входное сопротивление последующего каскада, можно принять, что его значение равно 10кОм;

R_вых – выходное сопротивление транзистора усилителя, можно принять, что его значение равно 100кОм.

Принимается ближайшее меньшее номинальное (по шкале Е12) значение для сопротивления резистора R_к.

5.2.2.3 Определяется по формуле (28) реальное эквивалентное сопротивление нагрузки каскада:

. (28)

5.2.2.4 Реальный коэффициент усиления каскада вычисляется по формуле (29):

. (29)

5.2.2.5 Полученное значение К_о должно удовлетворять двум условиям: оно должно быть больше значения выбранного в п.2.7, и не должно превышать значения К_max (см. п.5.2.2.1).

Если полученное значение коэффициента К_о окажется меньше предварительного значения, выбранного в п.2.7, необходимо либо выбрать другой тип транзистора с лучшими усилительными свойствами, либо увеличить число каскадов апериодических усилителей.

Если полученное значение коэффициента К_о окажется больше значения К_max необходимо уменьшить значение сопротивления R_э (формула (25)) и произвести повторные расчеты.

5.2.2.6 Для расчета значений параметров радиоэлементов схемы апериодического усилителя задаются:

- коэффициентом нестабильности V (этот параметр определяет степень стабилизации, которая обеспечивается в данной схеме, он зависит от параметров цепи стабилизации и от коэффициента усиления транзистора по току, его можно принять равным от 1,5 до 4);

- величиной напряжения Е_э (делитель R₁, R₂ делит коллекторное напряжение Е_к на два напряжения: напряжение между базой и коллектором — Е_к и напряжение между базой и эмиттером — Е_э), напряжение Е_э выбирается равным 0,6 …0,9В иногда до1,5В, более точное значение определяется режимом работы транзистора, т.е. также по ВАХ транзистора.

Определяют величины сопротивлений резисторов цепи термокомпенсации R₁, R₂, R₃ и емкости конденсатора С₃ по нижеприведенным формулам (30), (31), (32), (33):

(30)

где I_к - ток коллектора транзистора, определяемый по его ВАХ при заданном напряжении на коллекторе и сопротивлении R_к;

Е_э - напряжение между базой и эмиттером.

Полученное значение сопротивления R₃ округляется до ближайшего номинального значения по шкале Е12 и используется в дальнейших расчетах.

; (31)

Полученное значение сопротивления R₂ округляется до ближайшего номинального значения по шкале Е12 и используется в дальнейших расчетах.

. (32)

Полученное значение сопротивления R₁ округляется до ближайшего номинального значения по шкале Е12.

Чтобы сопротивление резистора R₃ не создавало отрицательной обратной связи на рабочих частотах, его обычно блокируют конденсатором С₃, емкость которого определяется по формуле (33):

(33)

где f_min - минимальная рабочая частота;

R₃ – сопротивление резистора в цепи эмиттера.

Полученное значение емкости конденсатора С₃ округляется до ближайшего номинального значения по шкале Е6.

Определяют величину разделительной емкости конденсатора С_р по формуле (34):

(34)

где f_min - минимальная рабочая частота усилителя;

R_вх - входное сопротивление усилителя, равное

.

Полученное значение емкости конденсатора С_р округляется до ближайшего номинального значения по шкале Е6.

5.3 Резонансный усилитель

5 .3.1 Рассмотрим схему резонансного усилителя на транзисторе VT1 (рисунок 2) с автотрансформаторным включением контура в цепь коллектора и автотрансформаторной связью с последующим каскадом, который выполнен на транзисторе VT2.

Рисунок 2 Схема резонансного усилителя.

При такой связи ослабляется влияние входа и выхода транзистора на колебательный контур. В схеме используется стабилизация режима работы транзисторов методом эмиттерной стабилизации. Питание цепей транзисторов осуществляется от источника Е_к (на рис. не указан). Плавная настройка колебательного контура осуществляется конденсатором переменной емкости С или с помощью варикапа. В последнем случае схему необходимо видоизменить.

В качестве исходных данных для расчета резонансного усилителя выбираются следующие величины:

• полоса рабочих частот f_min - f_max;

• тип транзистора;

• Y-параметры транзистора;

• напряжение питания усилительного каскада Е_к;

• индуктивность L или емкость C колебательного контура;

• полоса пропускания усилителя 2F или эквивалентная добротность на минимальной частоте Q_эmin;

• необходимый коэффициент усиления К_min.

В результате расчета требуется определить следующие параметры усилителя:

• коэффициенты включения колебательного контура m₁ и m₂;

• индуктивности катушек связи L₁ и L₂;

• коэффициент усиления каскада К_о (для проверки);

• сопротивление резистора нагрузки в цепи коллектора R_к;

• сопротивления резисторов цепи термокомпенсации R₁, R₂, R₃;

• величину разделительной емкости конденсатора С_р.

5.3.2 Порядок расчета резонансного усилителя

5.3.2.1 Рассчитывается значение индуктивности колебательного контура L по формуле (36):

(36)

где f – для УВЧ это средняя частота диапазона частот f_min - f_max , для УПЧ это частота f_пч ;

С – для УВЧ это среднее значение емкости переменного конденсатора или емкости варикапа.

Примечание – Если задано два диапазона частот, то значение колебательного контура L УВЧ рассчитывается для более высокочастотного диапазона, а для второго более низкочастотного диапазона необходимо рассчитать емкость дополнительного конденсатора, который включается параллельно переменному конденсатору (или варикапу) по формуле (37):

(37)

5.3.2.2 Определяется по формуле (38) волновые сопротивления контура на крайних частотах диапазона f_min - f_max (каждого из диапазонов, если их задано два или более)

. (38)

5.3.2.3 Вычисляется по формуле (39) коэффициент устойчивого усиления на максимальной рабочей частоте диапазона (для двухдиапазонного приемника необходимо рассчитать эту величину для каждого диапазона):

(39)

Внимание! В данной формуле величина Y_21э измеряется в мСм, f_max - в МГц, С_12э - в пФ.

5.3.2.4 Проверяется по формуле (40) возможность выполнения условия устойчивости при выбранном типе транзистора и параметрах контура (для этого необходимо, чтобы произведение m₁ m₂ 1):

(40)

Примечания

1. Если производится расчет резонансного УВЧ, то значение Q_эmax выбирается согласно п. 4.3.1.4б.

2. Если производится расчет резонансного УПЧ, то значение Q_эmax можно принять равным 20…35 для f_пч =465кГц и 100…150 для f_пч=10,7МГц

Если произведение m₁ m₂ окажется слишком малым ( 0,001), то целесообразно уменьшить , увеличив емкость контура или немного уменьшив добротность Q.

Если m₁ m₂ в результате расчетов будет больше единицы, необходимо применить транзисторы с большим значением Y_21э/ С₁₂ или несколько увеличить .

5.3.2.5 Вычисляются по формуле (41) резонансные коэффициенты усиления на крайних частотах рабочего диапазона:

, (41)

где  – значение волнового сопротивления контура, зависящее от частоты, см. п.5.3.2.2.

Q_э – значение добротности контура выбранное в 4.3.1.4б, для минимальной частоты диапазона это – Q_эmin, для максимальной частоты диапазона это – Q_эmax .

Полученные значения К_о должны удовлетворять двум условиям: минимальное значение К_оmin должно быть больше значения выбранного в п.4.3.1.7, а максимальное значение К_оmax не должно превышать значение К_уст (см. п.5.3.2.3).

Значения коэффициентов усиления К_о и выбранного в п. 4.3.1.7 не должны различаться более чем на (10…20)%. При не выполнении этого условия необходимо откорректировать расчеты проведенные в соответствии с п. 4.3.1.7.

5.3.2.6 Рассчитываются по формулам (42) и (43) значения индуктивности связи L₁ и L₂:

, (42) . (43)

5.3.2.7 Расчет значений: сопротивления нагрузки в цепи коллектора R_к; сопротивлений цепи термокомпенсации R₁, R₂, R₃; разделительной емкости С_р производится в соответствии с п. 5.2.2.6, с учетом режимов работы транзистора, что определяется по его ВАХ.

Расчет емкости конденсатора фильтра С_ф производится по формуле (44):

(44)

где f_min – минимальная частота диапазона (для двухдиапазонного приемника это самая минимальная частота), для УПЧ это f_пч ;

R' – сопротивление фильтра, его можно принять равным 10… 30 Ом.

6. Выбор транзисторов и расчет y- параметров

6.1 Апериодический и резонансный усилители приемника должны обеспечить необходимый коэффициент усиления в рабочей полосе частот. Минимальные значения этого параметра задаются в качестве предварительных в 4.3.1.7, формула (19). Поэтому для каждого конкретного усилителя необходимо выбрать такой тип транзистора, который обеспечит нужный коэффициент усиления.

Расчет апериодического и резонансного усилителей осуществляется на основе Y-параметров. В справочниках по транзисторам, как правило, приводятся низкочастотные h-параметры, поэтому необходимо выбрать по справочнику тип транзистора, исходя, прежде всего из значений f_гр, Р_расс, f_max≤0,3f_гр. Для проведения необходимых расчетов выписать из справочника параметры транзистора: h_11б, h_21э , h_21э, h_22б, С_к, _К, f_гр, Р_расс.

6.2 Расчет Y-параметров производится по нижеприведенным формулам (48), (49), (50), (51), (52), (53), (54), в которых:

(45); (46); (47)

где f_о - рабочая частота усилителя, в качестве которой можно выбрать f_max,

ВНИМАНИЕ! для УПЧ все значения частот в приведенных формулах это f_пч.

- активная составляющая входной полной проводимости Y_11э:

(48)

- активная составляющая выходной проводимости Y_22э:

(49)

- полная проводимость прямой передачи:

(50)

- модуль полной проводимости прямой передачи:

(51)

- выходная емкость:

(52)

- полная проводимость обратной передачи:

(53)

- емкость обратной передачи:

(54)

7. Моделирование принципиальной схемы с помощью виртуальной программы Multisim 12.

7.1 Получить индивидуальное задание у преподавателя: схему электрическую принципиальную, значении и виды характеристик и параметров апериодического усилителя, которые необходимо измерить.

7.2. Включить компьютер. Запустить виртуальную программу моделирования Multisim 12 и собрать заданную схему в данной виртуальной программы.

7.3 В окне программы в поле меню открыть папку (Open file). В появившемся окне запустить модель схемы, например апериод. усилитель (рисунок 1 - схема исследования апериодического усилителя).

Рисунок 1

7.4 Снять амплитудные характеристики апериодического усилителя при нескольких значениях напряжения питания. Для этого последовательно выполнить следующие операции:

7.4.1 Двойным нажатием левой кнопки мыши по источнику напряжения V1 открыть окно его параметров (POWER_SOURCES). Установить значение напряжения на коллекторе U_К транзистора Voltage (V) равным 15В.

7.4.2 Двойным нажатием левой кнопки мыши по источнику напряжения V2 открыть окно его параметров (POWER_SOURCES). Установить: значение входного переменного напряжения U_ВХ (Voltage (RMS)) равным 0, значение частоты входного сигнала f_С (Frequency (F)) указанное преподавателем.

7.4.3 Включить схему (запустить её моделирование) с помощью меню Simulate (Run). Измерить:

- значение выходного напряжения усилителя U_ВЫХ – показания прибора XXМ1.

- ток потребления усилителя I_П – показание прибора U1.

Полученные значения U_ВЫХ и I_П занести в таблицу 1.

Выключить схему повторным нажатием меню Simulate (Run).

Таблица 7.1

UВХ, мВ	0	1	2	3	4	5	10	20	50	100	200	300
напряжение на коллекторе UК =15В
UВЫХ, мВ
IП, мА
напряжение на коллекторе UК =25В
UВЫХ, мВ
IП, мА
напряжение на коллекторе UК =50В
UВЫХ, мВ
IП, мА

7.5 Указанную в п.п.4.2 и 4.3 операцию, повторить для значений напряжений U_ВХ, которые приведены в таблице 1. Полученные значения U_ВЫХ и I_П также занести в таблицу 1.

7.6 Двойным нажатием левой кнопки мыши по источнику напряжения V1 открыть окно его параметров (POWER_SOURCES). Установить значение напряжения на коллекторе U_К транзистора Voltage (V) равным 25В.

7.7 Повторить операции указанные в п.п.4.2 … 4.4. Полученные значения U_ВЫХ и I_П также занести в таблицу 1.

7.8 Двойным нажатием левой кнопки мыши по источнику напряжения V1 открыть окно его параметров (POWER_SOURCES). Установить значение напряжения на коллекторе U_К транзистора Voltage (V) равным 50В.

7.9 Повторить операции указанные в п.п.4.2 … 4.4. Полученные значения U_ВЫХ и I_П также занести в таблицу 1.

7.10 По данным таблицы 1 построить на одном графике амплитудные характеристики усилителя (зависимость выходного напряжения U_ВЫХ от входного напряжения U_ВХ) при U_К =15В, U_К =25В и U_К =50В.

7.11. Определить по амплитудным характеристикам номинальный режим работы усилителя для каждого их трех значений напряжений U_К =15В, U_К =25В и U_К =50В (номинальный режим соответствует точке перегиба амплитудной характеристики после которой усилитель переходит в режим насыщения). Вычислить коэффициенты усиления данной схемы для значений напряжений U_К =15В, U_К =25В и U_К =50В по формуле (1):

г де: U_ВХ.НОМ - номинальный уровень входного сигнала,

U_{ВЫХ.НОМ} - номинальный уровень выходного сигнала.

7.12 Измерить АЧХ (амплитудно-частотную характеристику) усилителя. Для этого последовательно выполнить следующие операции::

7.12.1 Двойным нажатием левой кнопки мыши по источнику напряжения V1 открыть окно его параметров (POWER_SOURCES). Установить значение напряжения на коллекторе U_К транзистора Voltage (V) равным 15В.

7.12.2 Включить схему (запустить её моделирование) с помощью меню Simulate (Run).

7.12.3 Зарисовать с экрана прибора Bode Plotter-XBP1 АЧХ усилителя (режим Mode: Magnitude прибора Bode Plotter-XBP1). Измерить значения уровня сигнала для частот f_С указанных в таблице. Полученные значения U_ВЫХ (в дБ) занести в таблицу 2.

Таблица 7.2

fС, кГц	10	50	250	3250	4500	25000	1000000
	напряжение на коллекторе UК =15В
UВЫХ, дБ
	напряжение на коллекторе UК =25В
UВЫХ, дБ
	напряжение на коллекторе UК =50В
UВЫХ, дБ

Выключить схему повторным нажатием меню Simulate (Run).

7.12.4 Указанную в п.5.3 операцию, повторить для значений напряжение на коллекторе U_К =25В и U_К =50В. Полученные значения U_ВЫХ занести в таблицу

VI Технологическая Часть

4.1 Цель и задачи

Цель - систематизация и закрепление знаний в области современных методов организации изготовления РЭА и ЭВА – автоматизированного производства (АП).

Задачами технологической части является:

- овладение навыками разработки технологических маршрутов автоматизированного производства РЭА и ЭВА, оформления технологических документов с помощью ПК.

4.2. Объем и содержание

Объектом технологического проектирования является печатная плата (печатный узел).

Технологическая часть должна содержать:

- текстовую информацию в виде пояснительной записки, оформленной в соответствии с требованиями разд. 11 ГОСТ 2.105-68 ЕСКД “Общие требования к текстовым документам” объемом 5-10 листов, сохранить в формате «.docx» как единый файл с приложениями для архивирования на кафедре. Название файла должно начинаться с фамилии и включать название устройства,

- графические материалы, иллюстрирующие текстовую информацию, формата А4 (структурные схемы, эскизы, таблицы, маршрутные карты),

- приложения.

Структура технологической части приведена в табл. 4.1.

Таблица 4.1.

Раздел	Содержание	Графические материалы, приложения
Основные этапы разработки технологического процесса устройства.	. Разработка технологических процессов изготовления платы и установки навесных элементов. Выбор типа оборудования. Формирование маршрута изготовления.	* Маршрутная карта *Структурная схема (Сетевой график)

Таблицы и рисунки располагаются последовательно с текстом. В приложениях помещаются:

- маршрутная карта.

-Структурная схема

(Сетевой график)

В технологической части описывается технологический процесс изготовления платы и установки навесных элементов. Формируется рациональный технологический маршрут изготовления заданной печатной платы (печатного узла). Синтезируетcя маршрутная карта с помощью программы MS Project. Текстовая информация иллюстрируется структурной схемой рационального технологического маршрута изготовления платы. Маршрутная карта помещается в приложение.

4.3. Разработка технологического маршрута.

Задачей технологической части является синтез технологического маршрута изготовления печатной платы (печатного узла). Необходимо коротко описать основные технологические процессы изготовления печатной платы и сборки устройства. Исходя из технических требований, аргументировать выбор технологического процесса в целом и отдельной технологической операции, параметров.

Обязательными технологическими документами являются

- маршрутная карта (МК).

Маршрутная карта (МК) нужна для организации производства мастеру, менеджеру.

Выбранный технологический маршрут иллюстрируется структурной схемой технологии изготовления (сетевым графиком, рис. 4.2) и маршрутной картой.

При выборе основных технологических процессов (ТП) необходимо руководствоваться, в первую очередь, изложенными в конструкторской документации (КД) требованиями ТЗ печатной платы (печатного узла). Это касается таких ТП как тонко- или толстопленочные технологии, пайки или сварки.

Для части ТП выбор определяется имеющимся на АП оборудовании. Например, для механической обработки контура - гильотинирование, фрезерование, пиление. Определяющими критериями являются конкретные параметры: высокая точность требует фрезерования, большие размеры заготовки - гильотинирования, плоскостность при больших размерах - пиления.

1 2 3 4 6 7 8 14 15 17

9 10

3а 6а 16

5

3б 6б 11

12 13

18 19 20 21 22 26 27 28

23 22а 27 30

24 25 31

Рис. 4.1. Схема изготовления односторонней печатной платы (ПП).

1, 5, 10, 12, 16, 25, 31 – складирование, временное хранение, накопление,

2, 4, 7, 11, 14, 17, 19, 21, 23, 26, 27, 28, 31 – транспортирование,

3 – разрезка заготовки на гильотине, 3а – с помощью пилы, 3б – на фрезерном станке,

6 – прошивка отверстий на сверлильном станке, 6а – на фрезерном станке, 6б – на штампе,

8 - создание маски,

9 - контроль и ретуширование маски,

11 – изготовление фотошаблона,

13 - изготовление фотооригинала,

15 – химическая и гальваническая обработка,

18 – обрезка технологических полей,

20 – контроль,

22 – установка навесных элементов, 22а – установка и сварка навесных элементов,

24 – комплектование навесных элементов,

27 – пайка,

30 – контроль микросборки.

Для полноты процесса изготовления необходимы временная и пространственная непрерывность, а также гарантия качества. Это обеспечивается дополнительными операциями транспортирования, складирования и контроля.

Маршрутная карта может быть сформирована с помощью программы MS Project выстраивает основные и дополнительные операции в определенную последовательность. Маршрутная карта (МК) нужна для организации производства, поэтому основными параметрами являются

- название операции,

- оборудование, на котором выполняется данная операция (допускается запись типа « АЛ герметизации» или автоматизированный склад».

Основным окном является Диаграмма Ганта в меню Вид. Заполняются следующие столбцы:

i - идентификационный номер, ссылка на который позволяет сформировать последовательность операций.

Название задачи – это название групп и отдельных операции: контроль, фрезерование, пробивка отверстий, изготовление …, транспортирование, складирование.

Длительность, Начало, Окончание – временные параметры, определяющие продолжительность технологической операции с привязкой к конкретной дате. Формируется календарная диаграмма. Часть операций может производиться одновременно (изготовление фотошаблонов, подготовка комплектующих).

Предшественники – указывается i предыдущей операции. Впечатывается полное название операции. В сетевом графике появляется стрелка от предшествующей операции к текущей.

Названия ресурсов - название автоматизированного оборудования.

Операции, как правило, объединяют в группы (изготовления ПП). В свою очередь группы также объединяются на более высоком уровне (изготовление печатного узла). Операции и их различные группы составляют иерархию (отличную от иерархии КД). Иерархия операций и групп устанавливается с помощью опций повышения ранга (Promote) или понижения ранга (Demote) с помощью стрелок соответственно влево и вправо на командной строке.

Маршрут изготовления иконографически представляется в виде структурной схемы Вид – Сетевой график. Формируется одновременной с маршрутной картой (МК). Содержит всю информацию о технологической операции в отдельной рамке. Структура соединения рамок стрелками формируется в соответствии со столбцом Предшественники. Образуется прототип листа «Технологической структурной схемы». Для упорядочивания расположения рамок в пределах листа необходимо Разрешить располагать рамки вручную в меню Вид – Сетевой график – Формат – Макет. Тогда появляется возможность собрать всю информацию на одном листе с помощью курсора в виде перекрестия со стрелками.

Рис. 4.2. Фрагмент схемы технологического процесса (маршрута) в виде сетевого графика..

Литература:

1. Положение об итоговой государственной аттестации выпускников образовательных учреждений СПО.

2. ГОСТ 2.105–79 Единая система конструкторской документации. Общие требования к текстовым документам.

3. ГОСТ 2.105–95 Единая система конструкторской документации. Общие требования к текстовым документам.

4. ГОСТ 7.1–84 Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Библиографическое описание документа. Общие требования и правила составления.

5. ГОСТ 7.32–2001 Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления.

6. ГОСТ 7.82—2001 Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Библиографическая запись. Библиографическое описание электронных ресурсов. Общие требования и правила составления.

7. Сапаров В.Е. Дипломный проект от А до Я: Учеб. пособие. – М.: СОЛОН-Пресс, 2003. – 224 с.

8. http://www.internet-law.ru/gosts/003.019 – Каталог государственных стандартов (ГОСТ).

9. В.Г. Костиков, Е.М. Парфенов, В.А. Шахнов "Источники электропитания электронных средств" Москва, Горячая линия - Телеком 2004.

10. Гребнев В.В. Микроконтроллеры семейства AVR фирмы Atmel.-М.: ИП Радиософт, 2005.

11. Костиков В.Г., Парфенов Е.М., Шахнов В.А. Источники электропитания электронных средств. Схемотехника и конструирование: Учебник для вузов. - 2-е изд. - М.: Горячая линия - Телеком, 2004.

12. Семенов Б.Ю. Силовая электроника для любителей и профессионалов. М.: Солон-Р, 2005.

13. Фрунзе А.В. Микроконтроллеры? Это же просто! Т.1. - М.:ООО " ИД СКИМЕН", 2002.