- •Оглавление
- •Первая и вторая научно-технические революции
- •Третья научно-техническая революция
- •Природные и искусственные наночастицы
- •Свойства наночастиц
- •Общие принципы получения наночастиц
- •История возникновения нанотехнологии
- •Ближайшие перспективы нанотехнологии
- •Туннельный эффект. Зонная теория и гетероструктуры
- •Сканирующие микроскопы
- •Основные» принципы ст микроскопии
- •Асм и его возможности
- •Технологические применения зондовой микроскопии
- •Кластеры и особенности их свойств
- •Методы получения кластеров. Магические числа
- •Квантовые точки Роль процессов самоорганизации
- •Методы модификации свойств кластеров
- •Области применения кластеров
- •Природа магнетизма
- •Магнитные свойства кластеров
- •Методы получения магнитных кластеров
- •Области применения магнитных кластеров
- •Суперпарамагнетизм
- •Магнитные нанослои, гигантское магнитосопротивление
- •Магнитная память
- •Аллотропные соединения углерода
- •История открытия фуллеренов и их структура
- •Соединения фуллеренов и их свойства
- •Методы получения фуллеренов
- •Углеродные нанотрубки - история открытия, структура
- •Использование фуллеренов и углеродных нанотрубок
- •Электрические свойства нанотрубок
- •Электрические свойства нанотрубок
- •Механические свойства углеродных нанотрубок
- •Углеродные наноконтейнеры
- •Использование фуллеренов и нанотрубок в наноэлектромеханических системах (нэмс)
- •Углеродные наноструктуры в природе и в изделиях ремесленников
- •Перспективы применения фуллеренов и нанотрубок
- •Сверхрешетки
- •Дифракция на одно-, двух-, трехмерной сверхрешетке. Зонная теория фотонных кристаллов
- •Оптоэлектроника. Возможности оптического компьютера
- •Получение фотонных кристаллов
- •Применение фотонных кристаллов
- •Фотонные кристаллы в природе
- •Микро- и наноэлектроника
- •Одноэлектронный транзистор
- •Новая логика
- •Физические основы памяти
- •Полупроводниковые гетероструктуры и сверхрешетки
- •Основные материальные элементы современной электроники
- •Новые материалы
- •Технологии
- •Роль процессов самоорганизации
- •Использование нейронов
- •Дисплеи
- •Перспективы
- •Определение понятия «наноматериалы»
- •Нанокристаллические материалы
- •Композиты и нанокомпозиты
- •Н анопористые материалы
- •Нанопленки и покрытия
- •Методы получения наноматериалов
- •Гибридные наноматериалы
- •«Умные» материалы
- •Основные составляющие наноробота
- •Ассемблер э. Дрекслера
- •Мэмс - микроэлектромеханические системы
- •«Умная пыль»
- •Наномоторы
- •Нанопереключатели
- •Угроза «серой слизи». Идея нанофабрик
- •Нано и биотехнология
- •Основные области применения нанотехнологии в медицине
- •Биодатчики (биосенсоры)
- •«Умные» устройства в медицине
- •Новые имплантаты
- •Доставка лекарства «по адресу»
- •Наноматериалы в медицине
- •Перспективы медицинской диагностики
- •Нанотехнология - «путь к бессмертию и свободе»
- •Дистанционная хирургия
- •Нанотехнология в производстве средств гигиены
- •Нанопокрытия
- •Внедрение нанотехнологии в производство парфюмерии и пищевую промышленность
- •Новые спортивные товары
- •«Умная» одежда и обувь
- •Влияние нанотехнологии на военные доктрины
- •Костюм солдата будущего
- •Использование новых материалов в «костюме скорпиона»
- •Мэмс и нэмс системы
- •Экзоскелет
- •Биодатчики в костюме солдата будущего
- •Наносредства для защиты от химического и биологического оружия
- •Проблемы, связанные с применением нанотехнологии в военном деле
Магнитные нанослои, гигантское магнитосопротивление
Кроме магнитных кластеров, в технике широко применяются многослойные магнитные структуры - системы чередующихся нанослоев материалов с разными магнитными свойствами (рис. 3.6). Наноструктура на рисунке представляет собой магнитную сверхрешетку.
Э
лектрическое
сопротивление такой структуры зависит
от относительного направления
намагниченности магнитных слоев.
Изменить направление намагниченности
можно магнитным полем. Отношение значений
сопротивления при параллельном и
антипараллельном направлении
намагниченности в соседних слоях
называется ГМС
соотношением.
ГМС соотношение зависит от материалов
слоев, их количества, температуры и в
некоторых случаях составляет несколько
десятков процентов. Причина этого
эффекта заключается в разной степени
рассеяния электронов со спинами,
направленными по направлению
намагниченности и против.
Именно применение эффекта ГМС позволило за несколько последних лет резко увеличить информационную плотность жестких дисков, открыло возможности создания новых видов магнитной операционной памяти, лучшей, чем полупроводниковые аналоги, во многом определило развитие спинтроники.
Спинтроника - раздел электроники, который изучает магнитные наноструктуры и рассматривает в совокупности электрический заряд электрона и его спин.
В 2007 г. А. Ферту и П. Грюнбергу за открытие гигантского магнитосопротивления была присуждена Нобелевская премия по физике с формулировкой «может рассматриваться как первое по настоящему эффективное приложение многообещающей области нанотехнологий».
Информация на современном жестком диске заключена в доменной структуре. Считывающая головка содержит ГМС структуру, в которой один магнитный слой имеет постоянную намагниченность, другой магнитный слой, контактирующий с диском, меняет намагниченность в зависимости от того, какой сигнал записан на домене («единица» или «нуль»). Между магнитными слоями имеется нанослой полупроводника. Изменение силы тока в ГМС структуре в зависимости от намагниченности домена также представляется в двоичном коде («да» или «нет»).
Магнитная память
Требования к увеличению быстродействия электропики включают, в частности, требование увеличения быстродействия в магнитных запоминающих устройствах, где при записи информации происходит изменение намагниченности участка ферромагнетика. Современные материалы со сверхбыстрым «откликом» меняют намагниченность за доли наносекунды.
Магнитные свойства вещества используются для создания различных типов магнитной памяти. Дело в том, что увеличение плотности размещения транзисторов и, соответственно, уменьшение расстояний между ними приводит к появлению токов утечки, к перегреву компьютера. Между тем магнитная память энергонезависима и сохраняется при выключении питания. Компьютер с магнитной памятью процессора будет загружаться практически мгновенно и не потребует сильного охлаждения. В 2006 г. создан рабочий прототип микропроцессора нового типа с такой памятью. Сделаны шаги по созданию с помощью наномагнитов универсального логического элемента, который сможет заменить логические элементы, разработанные на основе транзисторов.
В 2003 г. был предложен новый тип памяти, основанный на нанокольцах кобальта диаметром меньше 100 нм. Кобальтовые наночастицы представляют собой напомагнитики с южным и северным полюсами, которые самопроизвольно собираются в кольца, причем силовые линии их магнитных полей образуют замкнутую структуру (рис. 3.7). Таким образом, это достаточно замкнутая система, которая может служить элементарной ячейкой памяти. Ориентация общего магнитного поля частичек по или против часовой стрелки позволяет кодировать двоичную информацию. Большим преимуществом таких устройств памяти будет использование ее при комнатной температуре и простота получения. Заметим, что образование такой структуры - типичный пример самоорганизации. Исследователи полагали, что кобальтовые наночастицы образуют просто цепочки, но получили нанокольца.
Н
анотехнология
- междисциплинарная область, граничащая,
в частности, с биотехнологией.
Неудивительно, что и в области
наномагнетизма ученые и технологи
обратились к молекулам, присущим
биологическим объектам.
В английской компании «Nanomagnetics» проводятся работы по созданию наномагнитов на базе белка апоферритина. Этот белок имеет сферическую форму диаметром 12 нм с внутренней полостью диаметром 8 нм. В полости находится включение, которое в молекулярном дизайне принято называть «гостем». В данном случае «хозяин» (белок) принимает «гостя» - атом железа. Чтобы заменить «гостя», белок сначала обрабатывается раствором кислоты, затем - раствором, который позволяет внедрить в нанополость магнитный кобальт-платиновый сплав. Полученный раствор наносится на жесткий диск и нагревается. Возникающий в итоге процессов самосогласованного структурообразования плотно упакованный слой уже позволил разместить около 450 Гбит на см2, но планируется за счет такой технологии довести емкость жестких дисков до 5000 Гбит на см2.
При экспериментальном исследовании магнитных свойств наномагнитов используются магнитные силовые микроскопы. Весьма актуальным оказывается компьютерный эксперимент: математическое моделирование широко используется при проектировании конкретных новых магнитных элементов памяти.
Лекция: Фуллерены и нанотрубки
