- •Оглавление
- •Первая и вторая научно-технические революции
- •Третья научно-техническая революция
- •Природные и искусственные наночастицы
- •Свойства наночастиц
- •Общие принципы получения наночастиц
- •История возникновения нанотехнологии
- •Ближайшие перспективы нанотехнологии
- •Туннельный эффект. Зонная теория и гетероструктуры
- •Сканирующие микроскопы
- •Основные» принципы ст микроскопии
- •Асм и его возможности
- •Технологические применения зондовой микроскопии
- •Кластеры и особенности их свойств
- •Методы получения кластеров. Магические числа
- •Квантовые точки Роль процессов самоорганизации
- •Методы модификации свойств кластеров
- •Области применения кластеров
- •Природа магнетизма
- •Магнитные свойства кластеров
- •Методы получения магнитных кластеров
- •Области применения магнитных кластеров
- •Суперпарамагнетизм
- •Магнитные нанослои, гигантское магнитосопротивление
- •Магнитная память
- •Аллотропные соединения углерода
- •История открытия фуллеренов и их структура
- •Соединения фуллеренов и их свойства
- •Методы получения фуллеренов
- •Углеродные нанотрубки - история открытия, структура
- •Использование фуллеренов и углеродных нанотрубок
- •Электрические свойства нанотрубок
- •Электрические свойства нанотрубок
- •Механические свойства углеродных нанотрубок
- •Углеродные наноконтейнеры
- •Использование фуллеренов и нанотрубок в наноэлектромеханических системах (нэмс)
- •Углеродные наноструктуры в природе и в изделиях ремесленников
- •Перспективы применения фуллеренов и нанотрубок
- •Сверхрешетки
- •Дифракция на одно-, двух-, трехмерной сверхрешетке. Зонная теория фотонных кристаллов
- •Оптоэлектроника. Возможности оптического компьютера
- •Получение фотонных кристаллов
- •Применение фотонных кристаллов
- •Фотонные кристаллы в природе
- •Микро- и наноэлектроника
- •Одноэлектронный транзистор
- •Новая логика
- •Физические основы памяти
- •Полупроводниковые гетероструктуры и сверхрешетки
- •Основные материальные элементы современной электроники
- •Новые материалы
- •Технологии
- •Роль процессов самоорганизации
- •Использование нейронов
- •Дисплеи
- •Перспективы
- •Определение понятия «наноматериалы»
- •Нанокристаллические материалы
- •Композиты и нанокомпозиты
- •Н анопористые материалы
- •Нанопленки и покрытия
- •Методы получения наноматериалов
- •Гибридные наноматериалы
- •«Умные» материалы
- •Основные составляющие наноробота
- •Ассемблер э. Дрекслера
- •Мэмс - микроэлектромеханические системы
- •«Умная пыль»
- •Наномоторы
- •Нанопереключатели
- •Угроза «серой слизи». Идея нанофабрик
- •Нано и биотехнология
- •Основные области применения нанотехнологии в медицине
- •Биодатчики (биосенсоры)
- •«Умные» устройства в медицине
- •Новые имплантаты
- •Доставка лекарства «по адресу»
- •Наноматериалы в медицине
- •Перспективы медицинской диагностики
- •Нанотехнология - «путь к бессмертию и свободе»
- •Дистанционная хирургия
- •Нанотехнология в производстве средств гигиены
- •Нанопокрытия
- •Внедрение нанотехнологии в производство парфюмерии и пищевую промышленность
- •Новые спортивные товары
- •«Умная» одежда и обувь
- •Влияние нанотехнологии на военные доктрины
- •Костюм солдата будущего
- •Использование новых материалов в «костюме скорпиона»
- •Мэмс и нэмс системы
- •Экзоскелет
- •Биодатчики в костюме солдата будущего
- •Наносредства для защиты от химического и биологического оружия
- •Проблемы, связанные с применением нанотехнологии в военном деле
Сверхрешетки
В современной физике и технике успешно используются сверхрешетки. Сверхрешетки (crystal super-lattic) - это твердые тела с периодическим чередованием областей, в которых какая-либо физическая величина, характеризующая свойства тела (магнитные, электрические, упругие и т, д.), имеет разные значения.
При этом размеры таких областей и расстояния между ними на несколько порядков больше межатомных расстояний. Еще в 1962 г. академик Л. В. Келдыш рассмотрел теоретически сверхрешетку и особенности ее зонной структуры.
Периодическая по одной оси, слоистая структура называется одномерной сверхрешеткой (1D - от англ. dimension - размерность). Так, слоистая структура на рисунке 3.6 представляет собой ID-магнитную сверхрешетку: чередующиеся слои отличаются магнитными свойствами. Пример двумерной (2D) полупроводниковой сверхрешетки - это система квантовых ям, разделенных барьерными слоями с туннельным типом проводимости на поверхности полупроводника. В этих поверхностных структурах периодически, по двум направлениям, изменяются электрические свойства. В трехмерной (3D) сверхрешетке по трем направлениям периодически повторяются одинаковые по размеру области с различными физическими свойствами.
Дифракция на одно-, двух-, трехмерной сверхрешетке. Зонная теория фотонных кристаллов
В
1980-х гг. появился термин фотонный кристалл
(photonic
crystal).
Фотонные кристаллы - оптические
сверхрешетки. В них периодически
изменяется коэффициент преломления.
В школьном курсе физики (11 класс) рассматривается дифракционная решетка и условия дифракции света на ней. Такая решетка состоит из чередующихся непрозрачных и прозрачных областей. Явление дифракции наблюдается на периодической решетке, если длина волны падающего электромагнитного излучения X соизмерима с периодом решетки. Например, в обычном кристалле явление дифракции наблюдается для рентгеновских лучей, длина волны которых порядка расстояний между атомами, но не наблюдается в видимом диапазоне электромагнитных колебаний.
Эффект дифракции можно также получить за счет периодического чередования областей с разным коэффициентом преломления п (рис. 5.1,а). В этом случаев появляются дополнительные возможности управлениям условиями интерференции за счет изменения величины п.
Таким образом, на базе твердого тела, кристаллического или аморфного, можно искусственно создать дифракционную решетку с периодом, сравнимым с длиной волны в видимом диапазоне или инфракрасной области. Для этого в твердом теле нужно получить периодически повторяющиеся области с разным коэффициентом преломления - оптическую сверх решетку или фотонный кристалл (рис. 5.1).
Расстояния между объектами, образующими фотонный кристалл, и размер самих объектов на несколько порядков превышают расстояния между атомами основной среды (для оптического диапазона в 1000 раз, т. е. на три порядка). Фотонные решетки, как все наноструктуры, заполняют область между атомными кристаллическими решетками и макроскопическими искусственными периодическими структурами.
Периодическое изменение коэффициента преломления может быть создано в одном, двух или трех измерениях. Соответственно, получим так называемые 1D-, 2D-, ЗD-фотонные кристаллы (рис. 5.1,б). Фактически это и есть одномерные, двумерные и трехмерные дифракционные решетки.
Дифракционная решетка, изображенная на страницах школьного учебника, соответствует одномерному фотонному кристаллу (1D-структуре). 1D-структурой является и конструкция из тонких параллельных слоев двух материалов (см. рис. 5.1, б), при этом толщина слоев должна быть одного порядка с длиной волны интересующего нас электромагнитного излучения, а площадь может иметь вполне макроскопические размеры.
Условия максимума интерференции для двумерной дифракционной решетки структуры) по сравнению с одномерной, естественно, усложняются. Вместо чередования светлых и темных линий на экране, параллельном плоскости решетки, получается система светлых точек преломления).
Самый интересный случаи - трехмерная дифракционная решетка (ЗD-структура). Условия максимума скрученности интерференции настолько усложняются, что для данной длины волны они могут не выполниться ни для такой решетке волны с некоторыми длинами волн распространяться вообще не могут. Так появляется представление о фотонной запрещенной зоне. Возникает ситуация, аналогичная существованию запрещенной энергетической зоны для электронов в зонной теории твердых тел. Понятие запрещенной зоны для электромагнитных волн (photonic band gap) ввел в 1987 г. Э. Яблонович.
Физическая природа возникновения запрещенных зон для электронов и фотонов одна и та же - это условия распространения волн в среде с периодически изменяющимися свойствами. Волновая природа электрона ставит его «на одну доску» с электромагнитным излучением.
По аналогии с классической зонной теорией фотонные кристаллы делят на проводники, диэлектрики и полупроводники. Фотонные проводники обладают широкими разрешенными зонами, в этих прозрачных для видимого света телах свет на больших расстояниях почти не поглощается. У фотонных диэлектриков широкие запрещенные зоны, у фотонных полупроводников они более узкие. В отличие от обычных непрозрачных сред, в которых световая энергия поглощается и переходит в тепловую, фотонные диэлектрики не поглощают свет, - он в них просто не распространяется.
В запрещенной зоне фотонных кристаллов можно создавать энергетические уровни, аналогичные донорным и акцепторным уровням для классических полупроводников. Такой примесной проводимости соответствуют, например, пустоты на месте некоторых элементов фотонного кристалла, их объединение в нитевидные полости или отдельные включения вещества с другим значением показателя преломления (локальное изменение коэффициента преломления). Нитевидные полости являются идеальными проводниками света при любой их форме и извилистости. Свет идет по ним, как ток по проводу любой скрученности.
