Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
1РЛ1311Тех Опис.doc
Скачиваний:
23
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
3 Мб
Скачать
☆

15.3. Сигнализация

15.3.1. Сигнализация предназначена для визуального отображения режимов работы аппаратуры на пультах управления (АПУ иВПУ).

Сигнализация режимов на пультах управле­ния АПУ основана на непосредственном вклю­чении исполнительными органами управления подсвета кнопок и табло.

Отображение режимов работы аппаратуры на пультах управления ВПУ основано на пе­редаче кодов сигналов контроля по идентич­ным линиям связи (линия кодов «СК») с по­следующим преобразованием кодов «СК» в постоянное напряжение, включающее подсвет кнопок и табло.

15.3.2. Функциональная схема канала передачи сигналов контроля с АПУ на ВПУ аналогична каналу передачи команд управленияс ВПУ на АПУ, представленному на рис. 169.Элементы, относящиеся к каналу передачисигналов контроля на рис. 169, указаны вскобках.

15.3.3.Канал передачи сигналов контролясостоит из двух формирователей опорного напряжения ФОН и двух формирователей опорных импульсов ФОН, которые используются вканале управления, шифратора сигналов контроля (LUCK), дешифратора сигналов контроля(ДСК).

15.3.4.Шифратор сигналов контроля ШСКпредназначен для передачи в линию связи кодов сигналов контроля (СК). Работа ШСКаналогична описанной выше работр шифратора команд управления. Коммутирующими элементами являются контакты исполнительныхреле. По одной линии связи может передаваться двенадцать кодов сигналов контроля. Опорному импульсу «ОИ1» соответствует в линиисигнал «СК1», «ОИ2—СК2» и т. д. Одновременно по одной линии связи может передаваться не болре шести сигналов «СК»-

15.3.3. Канал передачи сигналов контроля (ДСК) предназначен для преобразования ко­дов «СК» в сигналы, включающие подсвет ин­дикаторных элементов ВПУ. Работа ДСК ана­логична описанной выше работе дешифратора команд управления. Отличие только в том, что выходы интеграторов нагружены на индика­торные элементы ВПУ, а не на исполнитель­ные устройства.

15.3.6. Рассмотрим для примера передач)' одного сигнала контроля на ВПУ. Допустим, что включен режим работы аппаратуры, при ко­тором замкнуты контакты 5—1 коммутирую­щего элемента КЭ1. Опорный импульс «ОИ1» через развязывающий диод Д1 и контакты КЭ1 (5—1) поступает в линию связи и далее в виде сигнала «СК1» поступает на вход де­шифратора сигналов контроля. Пройдя через устройство У1, сигнал поступает на входы схем совпадения СС2, СС4, СС6, СС8, СС10, СС12.

С выхода схемы СС2 импульс поступает в ин­тегратор И2, где преобразуется в постоянное напряжение, включающее подсвет индикаторного элемента, сигнализирующего о включен­ном режиме работы аппаратуры.

15.4. Работа составных частей системы управления и сигнализации

15.4.1. Формирователь опорных импульсов (ФОН).

Принципиальная схема ФОН УЦЗ.099.377 ЭЗ состоит из двух разновидностей схем, каждая из которых формирует опорные импульсы од­ной полярности.

Для формирования шести отрицательных опорных импульсов «ОИ1—ОИ6» использует­ся часть схемы, собранная на транзисторах Т1—Т12, диодах Д1—Д24, резисторах R1 — R36.

Для формирования шести положительных опорных импульсов «ОИ7—ОИ12» использу­ется часть схемы, собранная на транзисторах Т13—Т24, диодах Д25—Д48, резисторах R37— R72.

Формирование шести отрицательных им­пульсов «ОИ1—ОИ6» производится одинако­выми схемами, поэтому для описания работы формирователей отрицательных импульсов разберем схему формирования опорного им­пульса «ОИ1».

Схема формирования ОИ1 состоит из схемы совпадения на диодах Д1, Д2, ДЗ и резисторах R1—R3, выпрямительного диода Д4, усилите­ля-формирователя, собранного на транзисто­рах Tl, T2, резисторах R4—R6.

На анод диода Д1 поступает синусоидаль­ное напряжение фазы В, на анод диода Д2 — напряжение фазы С, на катод диода Д4 и ре­зистор R1 — напряжение фазы А.

Временная диаграмма одного периода ис­пользуемых в этом формирователе опорных напряжений представлена на рис. 171.

Формирователь ОИ1 вырабатывает импульс, расположенный в промежутке времени t3—14.

Рассмотрим работу схемы. В течение поло­жительной полуволны синусоидального на­пряжения фазы А диод Д4 закрыт, поэтому на коллекторе транзистора Т1 и эмиттере тран­зистора Т2 отсутствует напряжение, а следо­вательно, промежуток времени, в течение ко­торого действует положительная полуволна напряжения фазы А, можно не рассматривать.

В момент времени t2 начинается формиро­вание отрицательной полуволны напряжения фазы А. К этому моменту на аноде диода Д2 действует положительная полуволна напряже­ния фазы С, поэтому диод Д2 открыт и напря-жение на его катоде равно разности напряже-жений фазы С и падения напряжения на диоде Д2. Диод Д1 закрыт положительным напряже­нием на катоде и отрицательным напряжением фазы В, диод ДЗ закрыт положительным на­пряжением, приложенным к катоду. Транзисто­ры Т1 и Т2 при этом закрыты.

С момента времени 13 напряжение фазы С становится отрицательным, но диод Д2 еще открыт некоторое время, так как к катоду дио-

• да через резистор R1 приложена отрицатель­ная полуволна напряжения фазы А. Напря­жение на катоде диода ДЗ становится отрица­тельным и растущим по синусоиде. При до­стижении на катоде диода ДЗ напряжения, ^равного сумме падений напряжений на диоде ДЗ и переходе эмиттер-база транзистора Т1, начинает протекать базовый ток этого транзистора. Поскольку на коллекторе транзистора T в этот момент действует отрицательная полуволна напряжения фазы А, то на] чинает протекать коллекторный ток. Коллек| торный ток транзистора Т1, протекая через ог­раничительный резистор R4 и резистор R5, создает падение напряжения на резисторе R4, напряжение на базе транзистора Т2 становится более положительным, чем эмиттер, и тран­зистор Т2 открывается. Начинает формироваться фронт импульса «ОИ1>. Длительность фронта определяется временем полного закрывания диода Д2, т. е. скоростью нарастания отрицательной полуволны напряжения фазы С, смещающей переход диода Д2 в обратном направлении.

После закрывания диода Д2 начинает формиироваться вершина импульса. Базовый ток транзистора Т1 определяется величиной ре­зистора R1, а базовый ток транзистора Т2 оп ределяется величиной резистора R5. Режим транзисторов Tl, T2 выбран таким образом, что при формировании вершины импульса они' работают в режиме насыщения, поэтому вершина импульса в коллекторе транзистора Т2\ повторяет форму полуволны напряжения А

I (рис. 171). Импульс с коллектора транзистора Т2 через ограничительный резистор R6 посту дает в нагрузку, которая находится в блоках АПУ, ВПУ.

Во время формирования вершины импульса «ОИ1» диод Д1 держится закрытым отрицательной полуволной напряжения В. При приближении к моменту времени t4 отрицательная полуволна напряжения В уменьшается по величине. Так как напряжение на катоде диода Д1 отрицательное, равное сумме падений напряжений на диоде ДЗ и переходе эмиттер-база транзистора Т1, то диод Д1 открывается несколько раньше момента времени t4.При открывании диода начинается пере распределение тока базы транзистора Т1 и то­ка через диод Д1, происходит формирование среза импульса «0111», так как уменьшение базового тока транзистора Т1 приводит к уменьшению его коллекторного тока, а значит базового и коллекторного токов транзистора Т2.

Длительность среза определяется временем полного открывания диода Д1, т. е. скоростью. нарастания напряжения фазы В. Диод Д1 держится открытым в течение времени, превышающего длительность действия отрицательной| :полуволны А.

Таким образом, формирование импульса «0И1» начинается позже момента времени t3 и оканчивается раньше момента времени t4. Длительность импульса, следовательно, мень­ше 1/6 периода синусоидального напряжения, что исключает возможность перекрытия во времени рядом стоящих опорных импульсов. Диод ДЗ закрыт при приложении к диодам Д1 или Д2 положительных полуволн напряже­ний, таким образом, снимаются обратные на­пряжения на электродах транзистора Т1.

Диод Д4 препятствует прохождению в на­грузку положительной полуволны напряжения А через переход база-коллектор транзистора Т2.

Резистор R2 ограничивает ток базы транзи­стора Т1 при неисправных диодах.

Схемы формирования опорных импульсов «0И2—0И6» идентичны.

Схема на транзисторах ТЗ, Т4 формирует импульсы «0И2», схема на Т5, Т6 формирует «ОИЗ», схема на Т7, Т8 формирует «0И4», схема на Т9, Т10 формирует «0И5», схема на Т11, Т12 формирует «0И6».

Формирование шести положительных опор­ных импульсов «0И7—0И12» также произво­дится одинаковыми схемами, поэтому для опи­сания работы формирователей положительных импульсов разберем схему формирования опорного импульса «0И7».

Схема формирования 0И7 состоит из схемы совпадения на диодах Д25, Д26, Д27 и резисторах R37—R39, выпрямительного диода Д28. усилителя-формирователя, собранного на тран­зисторах Т13, Т14, резисторах R40—R42.

На катод диода Д25 поступает синусоидаль­ное напряжение фазы В, на катод диода Д26- -

напряжение фазы С, на анод диода Д28 и ре­зистор R37 — напряжение фазы А.

Временная диаграмма одного периода ис­пользуемых в этом формирователе опорных напряжений представлена на рис. 174.

Формирователь 0И7 вырабатывает поло­жительный импульс, расположенный в проме­жутке времени t3, t4.

Рассмотрим работу схемы. В течение отри­цательной полуволны синусоидального на­пряжения фазы А диод Д28 закрыт, поэтому на коллекторе транзистора Т13 и эмиттере транзистора Т14 отсутствует напряжение, а следовательно, промежуток времени, в тече­ние которого действует отрицательная полу­волна напряжения фазы А, можно не рас­сматривать.

В момент времени t2 начинается формиро­вание положительной..полуволны напряжения фазы А. К этому моценту времени на катоде диода Д26 действует отрицательная полуволна напряжения фазы С, поэтому диод Д26 открыт и напряжение на его аноде равно раз­ности напряжения фазы С и падению напря­жения на диоде Д26.

Диод Д25 закрыт отрицательным напряже­нием на аноде и положительным напряжением фазы В, диод Д27 также закрыт отрицатель­ным напряжением, приложенным к аноду. Транзисторы Т13, Т14 при этом закрыты.

С момента времени t3 напряжение фазы С становится положительным, но диод Д26 еще открыт некоторое время, так как к аноду дио­да через резистор R37 приложена положитель­ная полуволна фазы А. Напряжение на аноде диода Д27 становится положительным и рас­тущим по синусоиде. При достижении на ано­де диода Д27 напряжения, равного сумме па­дений напряжений на диоде Д27 и переходе эмиттер-база транзистора Т13, начинает про­текать базовый ток этого транзистора. По­скольку на коллекторе транзистора Т13 в этот момент действует положительная полуволна напряжения фазы А, то начинает протекать коллекторный ток. Коллекторный ток тран­зистора '1 13, протекая через ограничительный резистор R41 и резистор R40, создает падение напряжения на резисторе R40, напряжение на базе транзистора Т14 становится более отри­цательным, чем на эмиттере, и транзистор Т14 открывается. Начинает формироваться фронт импульса «ОИ7». Длительность фронта опре­деляется временем полного закрывания диода Д26, т. е. скоростью нарастания положитель­ной полуволны напряжения фазы С, смещаю­щей переход диода Д26 в обратном направле­нии. После закрывания диода Д26 начинает формироваться вершина импульса. Базовый ток транзистора Т13 определяется величиной резистора R37, а базовый ток транзистора Т14 определяется величиной резистора R41. Режим транзисторов Т13, Т14 выбран таким образом, что при формировании вершины импульса они работают в режиме насыщения, поэтому вер­шина импульса в коллекторе транзистора Т14 повторяет форму полуволны напряжения А (рис. 174). Импульс с коллектора транзистора Т14 через ограничительный резистор R42 по­ступает в нагрузку, которая находится в бло­ках АПУ, ВПУ.

Во время формирования вершины импульса «ОИ7» диод Д25 держится закрытым положи­тельной полуволной напряжения В.

При приближении к моменту времени t4 по­ложительная полуволна напряжения В умень­шается по величине.

Так как напряжение на аноде диода Д25 положительное, равное сумме падений напря­жений на диоде Д27 и переходе эмиттер-база транзистора Т13, то диод Д25 открывается не­сколько раньше момента времени t4. При от­крывании диода Д25 начинается перераспре­деление тока базы транзистора Т13 и тока че­рез диод Д25, происходит формирование среза импульса «ОИ1», так как уменьшение базо­вого тока транзистора Т13 приводит к умень­шению его коллекторного тока, а значит базо­вого и коллекторного токов транзистора Т14. Длительность среза определяется временем полного открывания диода Д25, т. е. скоростью нарастания напряжения фазы В.

Диод Д25 держится открытым в течение времени, превышающего длительность дейст­вия положительной полуволны А.

Таким образом, формирование импульса «ОИ7» начинается позже момента времени t3 и оканчивается раньше момента времени t4. Длительность импульса, следовательно, мень­ше 1/6 периода синусоидального напряжения, что исключает возможность перекрытия во времени рядом стоящих опорных импульсов.

Диод Д27 закрыт при приложении к диодам Д25 или Д26 отрицательных полуволн напря­жений, таким образом снимаются обратные напряжения на электродах транзистора Т13.

Диод Д28 препятствует прохождению в на­грузку отрицательной полуволны напряже­ния А через переход база-коллектор транзис­тора Т14.

Резистор R38 ограничивает базовый ток транзистора Т13 при неисправных диодах Д25, Д26.

Схемы формирования опорных импульсов «ОИ8—ОИ12» идентичны.

Схема на транзисторах Т15, Т16 формирует импульс «ОИ8», схема на Т17, Т18 формирует «ОЙ9», схема на Т19, Т20 формирует «ОИ10», схема на Т21, Т22 формирует «ОИ11», схема на Т23, Т24 формирует «ОИ12».

15.4.2. Дешифратор команд управления.

Принципиальная схема дешифратора ко­манд управления (ДКУ) УЦЗ.099.378 ЭЗ. ДКУ состоит из двух схем разделения кодов «КУ» по полярности, двенадцати схем совпадения и двенадцати интеграторов.

Контакты 26 и 52 (вход ДШ1 и вход ДШ2) при работе ДКУ на одну линию связи соеди­няются между собой и на них подаются коды «КУ». В качестве схем разделения использу­ются транзисторы Т2 и Т15 различного типа проводимости. Транзистор Т2 будет открывать­ся импульсами отрицательной полярности, т. е. кодами «КУ1—КУ6», а транзистор Т15—им­пульсами положительной полярности, т. е. «КУ7—КУ12».

С транзистора Т2 усиленный импульс «КУ» nocTvnaveT на схемы совпадения, собранные на транзисторах:

Т1 для выделения кода «КУ1»;

Т4 для выделения кода «КУ2»;

Т6 для выделения кода «КУЗ»;

Т8 для выделения кода «КУ4»;

Т10 для выделения кода «КУ5»;

Т12 для выделения кода «КУ6».

С транзистора Т15 усиленный импульс «КУ» поступает на схемы совпадения, собранные иа транзисторах:

Т14 для выделения кода «КУ7»;

Т17 для выделения кода «КУ8»;

Т19 для выделения кода «КУ9»;

Т21 для выделения кода «КУЮ»;

Т23 для выделения кода «КУП»;

Т25 для выделения кода «КУ12».

С транзисторов схем совпадения импульсы поступают на интеграторы, собранные на кон­денсаторах С1—С12 и транзисторах ТЗ, Т5, Т7, Т9, Т11, Т13, Т16, Т18, Т20, Т22, Т24, Т26, для преобразования импульсных сигналов в постоянный сигнал.

Для описания работы принципиальной схе­мы рассмотрим декодирование кода «К.У7» и! кода «КУ1», декодирование остальных кодов аналогично. Временные диаграммы приведе-- ны на рис. 175, 176.

Схема, декодирования команды «КУ1» со­брана на транзисторах Tl, T2, ТЗ, диодах JX'i, Д2, резисторах R1—R10, конденсаторе С1, реле Р 1а. В исходном состоянии импульсы ко­дов «КУ» отрицательной полярности на контакты 26, 52 платы не поступают, на контакт 28 поступает импульс «ОИ1». Транзистор; Т2 закрыт, и напряжение на его коллекторе держит закрытым транзистор Т1 при поступ­лении через резистор R1 на базу транзистора отрицательных импульсов «ОИ1». Транзистор ТЗ закрыт, и реле Р1 не включено. При этом соединены контакты 29, 30 платы. Диод ДГ служит для увеличения помехозащищенности схемы. При поступлении на резистор R2 импульса «КУ 1» (рис. 175а) транзистор Т2 открывается, и эмиттер транзистора Т1 подключается к корпусу через диод Д1 и открытый транзистор Т2. Так как в это же время через резистор R1 в базу транзистора Т1 поступает отрицатель­ный импульс «ОИ1», то и транзистор Т1 от­крывается, и на его коллекторе формируется импульс, изображенный на рис. 1756. По цепи: корпус, диод Д1, транзисторы Т2, Т1, диод Д2, резистор R7 происходит заряд конденсатора С1 (рис. 175в). По мере заряда конденсатора повышается относительно эмиттера потенциал базы транзистора ТЗ, и транзистор ТЗ откры­вается (рис. 175Т). Режим транзисторов выбран таким образом-, что они работают в ре­жиме насыщения, т. е. падение напряжения на открытых транзисторах составляет несколь­ко десятых долей вольта. После окончания действия импульсов «ОИ1» и кода «КУ1» транзисторы Т1 и Т2 закрываются, но транзис­тор ТЗ держится открытым до прихода следу­ющего импульса «КУ1» за счет разряда кон-, денсатора С1 по цепи: обкладка конденсато-ра ( + ), резистор R8, переход эмиттер-база транзистора ТЗ, обкладка конденсатора (—). Диод Д2 предотвращает разряд конденсатора С1 через резисторы R7, R5. Так как транзис­тор ТЗ открыт, то на обмотку Р1а через тран­зистор ТЗ, ограничительный резистор R10 по­дастся напряжение питания, и реле срабаты­вает замыкая выводы платы 30—31 и размыкая выводы 29—30. С приходом очередного им-■ пульса кода «КУ1», следующего с частотой 50 Гц, процесс, описанный выше, повторяется. Если же импульс «КУ1» не поступает, то по мере разряда конденсатора СТ транзистор ТЗ закрывается, и реле Р!а выключается, замы­кая выводы 29—30 платы и размыкая выводы 30—31.

Диод ДЗ предотвращает выбросы напря­жения в обмотку реле Р1а при его выключении.

Декодирование кодов «КУ2—КУ6» произво­дится аналогично, при этом срабатывают соответственно реле Р2а Рба. Номера замы-! кающихся выводов платы приведены в табли­це 5. Схема декодирования команды «КУ7» со­брана на

транзисторах Т14, Т15, Т16, диодах Д14, Д15, конденсаторе С7, резисторах R46— R55.

В исходном состоянии на контакты платы 26, 52 импульсы кодов «КУ» положительной полярности не поступают, а на контакт 2 пла­ты поступает импульс «ОИ7». Транзистор Т15 закрыт, и напряжение на его коллекторе дер­жит закрытым транзистор Т14 при поступле­нии через резистор R46 на базу транзистора импульса положительной полярности «ОИ7». Транзистор Т16 закрыт, реле Р7а не включено, при этом контакты 3—4 платы соединены.

Диод Д14 служит для увеличения помехоза­щищенности схемы.

При поступлении через резистор R47 (рис. 176а) импульса кода «КУ7» транзистор Т15 открывается, и эмиттер транзистора Т14 подключается к корпусу через диод Д14 и от­крытый транзистор Т15. Так как в это же вре­мя через резистор R46 в базу транзистора Т14 поступает положительный импульс «ОИ7», то транзистор Т14 открывается, и на его коллек­торе формируется перепад напряжения, изоб­раженный на рис. 1766. По цепи: обкладка конденсатора С7 (минус), резистор R52. диод Д15, транзисторы Т14, Т15, диод Д14, корпус происходит заряд конденсатора С7 (рис. i76в).

По мере заряда понижается относительно эмиттера потенциал базы транзистора Т16 и он открывается (рис., 176г) Режимы транзис­торов выбраны таким образом, что они рабо­тают в режиме насыщения.

После окончания действия импульсов «ОИ7» и кода «КУ7» транзисторы Т14, Т15 закрыва­ются, но транзистор Т16 держится открытым до прихода следующего импульса «КУ7» за счет разряда конденсатора С7 по цепи: об­кладка конденсатора С7 (минус), резистор R53, переход эмиттер-база транзистора Т16, обкладка конденсатора (плюс). Диод Д15 предотвращает разряд конденсатора С7 через резисторы R52, R50. Так как транзистор Т16 открыт, то на обмотку Р7а через транзистор Т16, ограничительный резистор R55 подается напряжение питания, и реле срабатывает, за­мыкая выводы 4—5 платы и размыкая выводы 3—4. С приходом очередного импульса кода «КУ7», следующего с частотой 50 Гц, процесс, описанный выше, повторяется. Если же им­пульс «КУ7» не поступает, то транзистор Т14 во время действия импульса «ОИ7» закрыт, и по мере разряда конденсатора С7 транзистор Т16 закрывается, реле Р7а выключается, за­мыкая выводы 4—3 платы и размыкая выво­ды 4—5.

Диод Д16 предотвращает выбросы напря­жения в обмотке реле Р7а при его выключе­нии.

Декодирование кодов «КУ8—КУ12» произ­водится аналогично, при этом срабатывают со­ответственно реле Р8а—Р12а. Номера замы­кающихся выводов платы приведены в табл. 5. стаческого стабилизатора на стабилитроне ДЗ напряжением 10—12 В.

Основной выпрямитель Д2—Д5 собран по мостовой схеме и выдает напряжение прибли­зительно 130 В. На выходе выпрямителя вклю­чен конденсатор фильтра С2. В плечи моста включены рабочие обмотки магнитного усили­теля.

Магнитный усилитель является предвари­тельным стабилизатором напряжения и позво­ляет поддерживать постоянный режим работы регулирующего транзистора ППЗ. Напряже­ние па переходе эмиттер-коллектор транзисто­ра ППЗ устанавливается потенциометром РЕГ. РЕЖИМ ППЗ (R5) и контролируется на гнездах Г1—Г2.

В качестве регулирующего элемента исполь­зован составной транзистор, состоящий из ос­новного ППЗ и согласующего ПП1 (У1) и включенные последовательно с нагрузкой. Для защиты составного транзистора от перенапря­жения используется цепочка из стабилитронов Д1—Д2 (У1), которые в момент увеличения напряжения пробиваются и шунтируют пере­ход база коллектор транзистора ПП1 (У1). Та­ким образом, напряжение на переходе не бу­дет превышать суммарного напряжения ста­билитронов Д1 и Д2 (У1).

При увеличении напряжения на выходе ста­билизатора увеличивается отрицательный по­тенциал на базе транзистора ППЗ (У1) отно­сительно эмиттера. Эмиттер находится под по­стоянным потенциалом, снимаемым со стаби­литронов Д5 и Д6 (У1). Ток, протекающий че­рез транзистор ППЗ (У1), увеличивается, уве­личивается падение напряжения на резисторе R7 (У1), с которого сигнал ошибки подается на базу транзистора ПП2 (У1). Транзистор ПП2 (У1) открывается, ток через него увели­чивается, увеличивается падение напряжения на резисторе R4 (У1), сопротивление перехода эмиттер-коллектор транзистора ПП1 (У1) уве­личится: падрние напряжения на нем возрас­тет, и выходное напряжение уменьшится до первоначального значения. Аналогично схема работает при уменьшении напряжения на вы­ходе стабилизатора. Применение магнитного усилителя в схеме позволяет поддерживать постоянное напряжение на переходе эмиттер-коллектор транзистора ППЗ, что достигается подключением обмотки управления магнитного усилителя к данному переходу.

При увеличении падения напряжения на транзисторе ППЗ вследствие увеличения на­пряжения сети увеличивается ток в обмотке управления магнитного усилителя. Индуктив­ное сопротивление его рабочих обмоток воз­растет, а следовательно, возрастрт и падение напряжения на них, тем самым напряжение на транзисторе ПП1 (У1) останется почти по­стоянным.

Конструктивно блок выполнен на нестан­дартном шасси. На передней панели блока размещены предохранители Пр1—Пр4 с сиг­нальными лампами Л1—Л4 и потенциометры R12 и R14.

Таблица 5

1

Номера выводов платы

Код «КУ» 1

замкнутых

разомкнутых

КУ1 —подан КУ1—снят

30-31 29-30

29-30 30-31

КУ2—подан КУ2—снят

33-34 32-33

32-33 33-34

КУЗ—подан КУЗ—снят

38-39

37-38

37-38 38-39

КУ4—подан КУ4—снят

42—43

41-42

46-47 45-46

41-42 42-43

КУ5—подан КУ5—снят

45-46 46—47

КУ6—подан КУ6—снят

50-51 49-50

49-50 50—51

КУ7—подан КУ7—снят

4-5 3-4

3-4 4-5

КУ8—подан КУ8—снят

7-8

6-7

6-7

7—8

КУ9—подан КУ9—снят

12-13 11-12

11 — 12 12—13

КЮ—подан КУЮ—снят

16-17 15-16

15—16 16—17

КУП—подан КУ11—снят

20—21 19—20

19-20 20-21

КУ 12—подан КУ 12—снят

24-25 23-24

23-24 24—25

5.4.3. Дешифратор сигналов контроля (ДСК).

Принципиальная схема дешифратора сигна­лов контроля УЦЗ.099.379 ЭЗ.

ДСК по принципу действия полностью ана­логичен дешифратору команд управления. Отличие принципиальных схем только в на­грузках транзисторов ТЗ, Т5, Т7, Т9, Til, T13, Т16, Т18, Т20, Т22, Т24, Т26.

В ДКУ нагрузкой является реле, а в ДСК коллекторы перечисленных транзисторов че­рез ограничительные резисторы подключены к выходу платы, а затем к лампочкам индика­торных табло или кнопок. Величина резистора в коллекторной цепи транзисторов Т9, TI8 такова, что позволяет подключить к этим транзи­сторам реле, расположенные в блоках ВПУ.

Каждому коду «СК» соответствует один вы­ход на плате дешифратора, указанный в таб­лице 6. При подаче на вход ДСК определенно­го кода «СК» на соответствующем выводе пла­ты появляется напряжение. Номера выводов платы указаны в табл. 6.

Таблица 6

Вывод платы

Код „СК"

Положительная

»

Полярность напряжения

Отрицательная

СК 1

17

СК 2

18

СК 3

21

СК 4

23

СК 5

25

СК 6

27

СК 7

3

С К 8

4

СК 9

7

С К 10

9

СК 11

11

СК 12

13