- •Техническое описание
- •1. Технические данные
- •2. Состав рлс
- •2.1. Размещение аппаратуры
- •2.2. Состав аппаратуры
- •2.3. Блоки аппаратуры
- •3. Устройство и работа рлс
- •3.1. Принцип работы
- •3.2. Состав и назначение основных систем
- •4. Атенно-фидерная система
- •4.1. Состав и назначение
- •4.3. Диаграмма направленности антенны
- •5. Передающее устройство
- •6. Приемное устройство
- •7. Устройство защиты от помех
- •7.1. Назначение и принцип работы устройства
- •7.3. Блок когерентного гетеродина
- •8.6. Блок трубки
- •8.8. Блок сигналов изображения (блок 25)
- •9. Система перестройки станции
- •9.1. Общие сведения
- •10. Система автоматической подстройки частоты
- •10.1. Назначение системы
- •12. Система подъема и опускания антенны
- •12.3. Мачта
- •12.4. Пульт
- •13. Система передачи азимута
- •13.1. Общие сведения
- •13.4. Формирователь азимутальных импульсов
- •14. Система электропитания
- •14.1. Общие сведения
- •14.2. Станция питания
- •14.3. Станция аппаратная
- •15.1. Общие сведения
- •15.2. Управление
- •15.3. Сигнализация
- •15.4. Работа составных частей системы управления и сигнализации
- •15.5. Блок апу-1 (блок им)
- •15.6. Блок апу-2
- •15.7. Блок впу-1 (блок22м)
- •15.8. Блок впу-2 (блок 23м)
- •16. Система настройки станции на эквивалент (снсэ)
- •16.1. Общие сведения
- •16.2. Структурная схема снсэ
- •17. Система отопления и вентиляции
- •17.2. Система вентиляции
- •17.3. Система отопления
- •18. Контрольно-измерительные приборы
- •18.3. Индикатор коэффициента шума
- •19. Система телефонной и громкоговорящей связи
- •19.1. Общие сведения
- •19.2. Громкоговорящая связь
- •19.3. Телефонная связь
- •20. Функциональные узлы
- •20.1. Общие сведения
- •20.4. Триггер низкочастотный лт2.72 (чертеж ес2.212.017 Сп)
- •20.5. Инвертор низкочастотный ли2.35 (чертеж ес2.035.140 Сп)
- •20.7. Схема собирательная диодная на 3 входа л01.23
- •20.8. Схема собирательная диодная на 2 входа л01.24 (чертеж есз.051.013 Сп)
- •20.9. Повторитель эмиттерный уп3.31 (чертеж ес2.215.002 Сп)
- •20.11. Сумматор квадратичный оф2-01 (чертеж Жг2.204.002)
- •20.12. Ключ биполярный юн2-01 (чертеж ЖгЗ.081.001)
- •2013. Коммутатор юн2-02 (чертеж ЖгЗ.081.002)
- •20.14. Усилитель пилообразных импульсов хб2-01 (чертеж Жг2.2п.001)
- •20.15. Генератор кварцевый ударный гк2-01 (чертеж Жг2.210.001) и усилитель парафазный ух1.01 (уц2.035.300)
15.3. Сигнализация
15.3.1. Сигнализация предназначена для визуального отображения режимов работы аппаратуры на пультах управления (АПУ иВПУ).
Сигнализация режимов на пультах управления АПУ основана на непосредственном включении исполнительными органами управления подсвета кнопок и табло.
Отображение режимов работы аппаратуры на пультах управления ВПУ основано на передаче кодов сигналов контроля по идентичным линиям связи (линия кодов «СК») с последующим преобразованием кодов «СК» в постоянное напряжение, включающее подсвет кнопок и табло.
15.3.2. Функциональная схема канала передачи сигналов контроля с АПУ на ВПУ аналогична каналу передачи команд управленияс ВПУ на АПУ, представленному на рис. 169.Элементы, относящиеся к каналу передачисигналов контроля на рис. 169, указаны вскобках.
15.3.3.Канал передачи сигналов контролясостоит из двух формирователей опорного напряжения ФОН и двух формирователей опорных импульсов ФОН, которые используются вканале управления, шифратора сигналов контроля (LUCK), дешифратора сигналов контроля(ДСК).
15.3.4.Шифратор сигналов контроля ШСКпредназначен для передачи в линию связи кодов сигналов контроля (СК). Работа ШСКаналогична описанной выше работр шифратора команд управления. Коммутирующими элементами являются контакты исполнительныхреле. По одной линии связи может передаваться двенадцать кодов сигналов контроля. Опорному импульсу «ОИ1» соответствует в линиисигнал «СК1», «ОИ2—СК2» и т. д. Одновременно по одной линии связи может передаваться не болре шести сигналов «СК»-
15.3.3. Канал передачи сигналов контроля (ДСК) предназначен для преобразования кодов «СК» в сигналы, включающие подсвет индикаторных элементов ВПУ. Работа ДСК аналогична описанной выше работе дешифратора команд управления. Отличие только в том, что выходы интеграторов нагружены на индикаторные элементы ВПУ, а не на исполнительные устройства.
15.3.6. Рассмотрим для примера передач)' одного сигнала контроля на ВПУ. Допустим, что включен режим работы аппаратуры, при котором замкнуты контакты 5—1 коммутирующего элемента КЭ1. Опорный импульс «ОИ1» через развязывающий диод Д1 и контакты КЭ1 (5—1) поступает в линию связи и далее в виде сигнала «СК1» поступает на вход дешифратора сигналов контроля. Пройдя через устройство У1, сигнал поступает на входы схем совпадения СС2, СС4, СС6, СС8, СС10, СС12.
С выхода схемы СС2 импульс поступает в интегратор И2, где преобразуется в постоянное напряжение, включающее подсвет индикаторного элемента, сигнализирующего о включенном режиме работы аппаратуры.
15.4. Работа составных частей системы управления и сигнализации
15.4.1. Формирователь опорных импульсов (ФОН).
Принципиальная схема ФОН УЦЗ.099.377 ЭЗ состоит из двух разновидностей схем, каждая из которых формирует опорные импульсы одной полярности.
Для формирования шести отрицательных опорных импульсов «ОИ1—ОИ6» используется часть схемы, собранная на транзисторах Т1—Т12, диодах Д1—Д24, резисторах R1 — R36.
Для формирования шести положительных опорных импульсов «ОИ7—ОИ12» используется часть схемы, собранная на транзисторах Т13—Т24, диодах Д25—Д48, резисторах R37— R72.
Формирование шести отрицательных импульсов «ОИ1—ОИ6» производится одинаковыми схемами, поэтому для описания работы формирователей отрицательных импульсов разберем схему формирования опорного импульса «ОИ1».
Схема формирования ОИ1 состоит из схемы совпадения на диодах Д1, Д2, ДЗ и резисторах R1—R3, выпрямительного диода Д4, усилителя-формирователя, собранного на транзисторах Tl, T2, резисторах R4—R6.
На анод диода Д1 поступает синусоидальное напряжение фазы В, на анод диода Д2 — напряжение фазы С, на катод диода Д4 и резистор R1 — напряжение фазы А.
Временная диаграмма одного периода используемых в этом формирователе опорных напряжений представлена на рис. 171.
Формирователь ОИ1 вырабатывает импульс, расположенный в промежутке времени t3—14.
Рассмотрим работу схемы. В течение положительной полуволны синусоидального напряжения фазы А диод Д4 закрыт, поэтому на коллекторе транзистора Т1 и эмиттере транзистора Т2 отсутствует напряжение, а следовательно, промежуток времени, в течение которого действует положительная полуволна напряжения фазы А, можно не рассматривать.
В момент времени t2 начинается формирование отрицательной полуволны напряжения фазы А. К этому моменту на аноде диода Д2 действует положительная полуволна напряжения фазы С, поэтому диод Д2 открыт и напря-жение на его катоде равно разности напряже-жений фазы С и падения напряжения на диоде Д2. Диод Д1 закрыт положительным напряжением на катоде и отрицательным напряжением фазы В, диод ДЗ закрыт положительным напряжением, приложенным к катоду. Транзисторы Т1 и Т2 при этом закрыты.
С момента времени 13 напряжение фазы С становится отрицательным, но диод Д2 еще открыт некоторое время, так как к катоду дио-
• да через резистор R1 приложена отрицательная полуволна напряжения фазы А. Напряжение на катоде диода ДЗ становится отрицательным и растущим по синусоиде. При достижении на катоде диода ДЗ напряжения, ^равного сумме падений напряжений на диоде ДЗ и переходе эмиттер-база транзистора Т1, начинает протекать базовый ток этого транзистора. Поскольку на коллекторе транзистора T в этот момент действует отрицательная полуволна напряжения фазы А, то на] чинает протекать коллекторный ток. Коллек| торный ток транзистора Т1, протекая через ограничительный резистор R4 и резистор R5, создает падение напряжения на резисторе R4, напряжение на базе транзистора Т2 становится более положительным, чем эмиттер, и транзистор Т2 открывается. Начинает формироваться фронт импульса «ОИ1>. Длительность фронта определяется временем полного закрывания диода Д2, т. е. скоростью нарастания отрицательной полуволны напряжения фазы С, смещающей переход диода Д2 в обратном направлении.
После закрывания диода Д2 начинает формиироваться вершина импульса. Базовый ток транзистора Т1 определяется величиной резистора R1, а базовый ток транзистора Т2 оп ределяется величиной резистора R5. Режим транзисторов Tl, T2 выбран таким образом, что при формировании вершины импульса они' работают в режиме насыщения, поэтому вершина импульса в коллекторе транзистора Т2\ повторяет форму полуволны напряжения А
I (рис. 171). Импульс с коллектора транзистора Т2 через ограничительный резистор R6 посту дает в нагрузку, которая находится в блоках АПУ, ВПУ.
Во время формирования вершины импульса «ОИ1» диод Д1 держится закрытым отрицательной полуволной напряжения В. При приближении к моменту времени t4 отрицательная полуволна напряжения В уменьшается по величине. Так как напряжение на катоде диода Д1 отрицательное, равное сумме падений напряжений на диоде ДЗ и переходе эмиттер-база транзистора Т1, то диод Д1 открывается несколько раньше момента времени t4.При открывании диода начинается пере распределение тока базы транзистора Т1 и тока через диод Д1, происходит формирование среза импульса «0111», так как уменьшение базового тока транзистора Т1 приводит к уменьшению его коллекторного тока, а значит базового и коллекторного токов транзистора Т2.
Длительность среза определяется временем полного открывания диода Д1, т. е. скоростью. нарастания напряжения фазы В. Диод Д1 держится открытым в течение времени, превышающего длительность действия отрицательной| :полуволны А.
Таким образом, формирование импульса «0И1» начинается позже момента времени t3 и оканчивается раньше момента времени t4. Длительность импульса, следовательно, меньше 1/6 периода синусоидального напряжения, что исключает возможность перекрытия во времени рядом стоящих опорных импульсов. Диод ДЗ закрыт при приложении к диодам Д1 или Д2 положительных полуволн напряжений, таким образом, снимаются обратные напряжения на электродах транзистора Т1.
Диод Д4 препятствует прохождению в нагрузку положительной полуволны напряжения А через переход база-коллектор транзистора Т2.
Резистор R2 ограничивает ток базы транзистора Т1 при неисправных диодах.
Схемы формирования опорных импульсов «0И2—0И6» идентичны.
Схема на транзисторах ТЗ, Т4 формирует импульсы «0И2», схема на Т5, Т6 формирует «ОИЗ», схема на Т7, Т8 формирует «0И4», схема на Т9, Т10 формирует «0И5», схема на Т11, Т12 формирует «0И6».
Формирование шести положительных опорных импульсов «0И7—0И12» также производится одинаковыми схемами, поэтому для описания работы формирователей положительных импульсов разберем схему формирования опорного импульса «0И7».
Схема формирования 0И7 состоит из схемы совпадения на диодах Д25, Д26, Д27 и резисторах R37—R39, выпрямительного диода Д28. усилителя-формирователя, собранного на транзисторах Т13, Т14, резисторах R40—R42.
На катод диода Д25 поступает синусоидальное напряжение фазы В, на катод диода Д26- -
напряжение фазы С, на анод диода Д28 и резистор R37 — напряжение фазы А.
Временная диаграмма одного периода используемых в этом формирователе опорных напряжений представлена на рис. 174.
Формирователь 0И7 вырабатывает положительный импульс, расположенный в промежутке времени t3, t4.
Рассмотрим работу схемы. В течение отрицательной полуволны синусоидального напряжения фазы А диод Д28 закрыт, поэтому на коллекторе транзистора Т13 и эмиттере транзистора Т14 отсутствует напряжение, а следовательно, промежуток времени, в течение которого действует отрицательная полуволна напряжения фазы А, можно не рассматривать.
В момент времени t2 начинается формирование положительной..полуволны напряжения фазы А. К этому моценту времени на катоде диода Д26 действует отрицательная полуволна напряжения фазы С, поэтому диод Д26 открыт и напряжение на его аноде равно разности напряжения фазы С и падению напряжения на диоде Д26.
Диод Д25 закрыт отрицательным напряжением на аноде и положительным напряжением фазы В, диод Д27 также закрыт отрицательным напряжением, приложенным к аноду. Транзисторы Т13, Т14 при этом закрыты.
С момента времени t3 напряжение фазы С становится положительным, но диод Д26 еще открыт некоторое время, так как к аноду диода через резистор R37 приложена положительная полуволна фазы А. Напряжение на аноде диода Д27 становится положительным и растущим по синусоиде. При достижении на аноде диода Д27 напряжения, равного сумме падений напряжений на диоде Д27 и переходе эмиттер-база транзистора Т13, начинает протекать базовый ток этого транзистора. Поскольку на коллекторе транзистора Т13 в этот момент действует положительная полуволна напряжения фазы А, то начинает протекать коллекторный ток. Коллекторный ток транзистора '1 13, протекая через ограничительный резистор R41 и резистор R40, создает падение напряжения на резисторе R40, напряжение на базе транзистора Т14 становится более отрицательным, чем на эмиттере, и транзистор Т14 открывается. Начинает формироваться фронт импульса «ОИ7». Длительность фронта определяется временем полного закрывания диода Д26, т. е. скоростью нарастания положительной полуволны напряжения фазы С, смещающей переход диода Д26 в обратном направлении. После закрывания диода Д26 начинает формироваться вершина импульса. Базовый ток транзистора Т13 определяется величиной резистора R37, а базовый ток транзистора Т14 определяется величиной резистора R41. Режим транзисторов Т13, Т14 выбран таким образом, что при формировании вершины импульса они работают в режиме насыщения, поэтому вершина импульса в коллекторе транзистора Т14 повторяет форму полуволны напряжения А (рис. 174). Импульс с коллектора транзистора Т14 через ограничительный резистор R42 поступает в нагрузку, которая находится в блоках АПУ, ВПУ.
Во время формирования вершины импульса «ОИ7» диод Д25 держится закрытым положительной полуволной напряжения В.
При приближении к моменту времени t4 положительная полуволна напряжения В уменьшается по величине.
Так как напряжение на аноде диода Д25 положительное, равное сумме падений напряжений на диоде Д27 и переходе эмиттер-база транзистора Т13, то диод Д25 открывается несколько раньше момента времени t4. При открывании диода Д25 начинается перераспределение тока базы транзистора Т13 и тока через диод Д25, происходит формирование среза импульса «ОИ1», так как уменьшение базового тока транзистора Т13 приводит к уменьшению его коллекторного тока, а значит базового и коллекторного токов транзистора Т14. Длительность среза определяется временем полного открывания диода Д25, т. е. скоростью нарастания напряжения фазы В.
Диод Д25 держится открытым в течение времени, превышающего длительность действия положительной полуволны А.
Таким образом, формирование импульса «ОИ7» начинается позже момента времени t3 и оканчивается раньше момента времени t4. Длительность импульса, следовательно, меньше 1/6 периода синусоидального напряжения, что исключает возможность перекрытия во времени рядом стоящих опорных импульсов.
Диод Д27 закрыт при приложении к диодам Д25 или Д26 отрицательных полуволн напряжений, таким образом снимаются обратные напряжения на электродах транзистора Т13.
Диод Д28 препятствует прохождению в нагрузку отрицательной полуволны напряжения А через переход база-коллектор транзистора Т14.
Резистор R38 ограничивает базовый ток транзистора Т13 при неисправных диодах Д25, Д26.
Схемы формирования опорных импульсов «ОИ8—ОИ12» идентичны.
Схема на транзисторах Т15, Т16 формирует импульс «ОИ8», схема на Т17, Т18 формирует «ОЙ9», схема на Т19, Т20 формирует «ОИ10», схема на Т21, Т22 формирует «ОИ11», схема на Т23, Т24 формирует «ОИ12».
15.4.2. Дешифратор команд управления.
Принципиальная схема дешифратора команд управления (ДКУ) УЦЗ.099.378 ЭЗ. ДКУ состоит из двух схем разделения кодов «КУ» по полярности, двенадцати схем совпадения и двенадцати интеграторов.
Контакты 26 и 52 (вход ДШ1 и вход ДШ2) при работе ДКУ на одну линию связи соединяются между собой и на них подаются коды «КУ». В качестве схем разделения используются транзисторы Т2 и Т15 различного типа проводимости. Транзистор Т2 будет открываться импульсами отрицательной полярности, т. е. кодами «КУ1—КУ6», а транзистор Т15—импульсами положительной полярности, т. е. «КУ7—КУ12».
С транзистора Т2 усиленный импульс «КУ» nocTvnaveT на схемы совпадения, собранные на транзисторах:
Т1 для выделения кода «КУ1»;
Т4 для выделения кода «КУ2»;
Т6 для выделения кода «КУЗ»;
Т8 для выделения кода «КУ4»;
Т10 для выделения кода «КУ5»;
Т12 для выделения кода «КУ6».
С транзистора Т15 усиленный импульс «КУ» поступает на схемы совпадения, собранные иа транзисторах:
Т14 для выделения кода «КУ7»;
Т17 для выделения кода «КУ8»;
Т19 для выделения кода «КУ9»;
Т21 для выделения кода «КУЮ»;
Т23 для выделения кода «КУП»;
Т25 для выделения кода «КУ12».
С транзисторов схем совпадения импульсы поступают на интеграторы, собранные на конденсаторах С1—С12 и транзисторах ТЗ, Т5, Т7, Т9, Т11, Т13, Т16, Т18, Т20, Т22, Т24, Т26, для преобразования импульсных сигналов в постоянный сигнал.
Для описания работы принципиальной схемы рассмотрим декодирование кода «К.У7» и! кода «КУ1», декодирование остальных кодов аналогично. Временные диаграммы приведе-- ны на рис. 175, 176.
Схема, декодирования команды «КУ1» собрана на транзисторах Tl, T2, ТЗ, диодах JX'i, Д2, резисторах R1—R10, конденсаторе С1, реле Р 1а. В исходном состоянии импульсы кодов «КУ» отрицательной полярности на контакты 26, 52 платы не поступают, на контакт 28 поступает импульс «ОИ1». Транзистор; Т2 закрыт, и напряжение на его коллекторе держит закрытым транзистор Т1 при поступлении через резистор R1 на базу транзистора отрицательных импульсов «ОИ1». Транзистор ТЗ закрыт, и реле Р1 не включено. При этом соединены контакты 29, 30 платы. Диод ДГ служит для увеличения помехозащищенности схемы. При поступлении на резистор R2 импульса «КУ 1» (рис. 175а) транзистор Т2 открывается, и эмиттер транзистора Т1 подключается к корпусу через диод Д1 и открытый транзистор Т2. Так как в это же время через резистор R1 в базу транзистора Т1 поступает отрицательный импульс «ОИ1», то и транзистор Т1 открывается, и на его коллекторе формируется импульс, изображенный на рис. 1756. По цепи: корпус, диод Д1, транзисторы Т2, Т1, диод Д2, резистор R7 происходит заряд конденсатора С1 (рис. 175в). По мере заряда конденсатора повышается относительно эмиттера потенциал базы транзистора ТЗ, и транзистор ТЗ открывается (рис. 175Т). Режим транзисторов выбран таким образом-, что они работают в режиме насыщения, т. е. падение напряжения на открытых транзисторах составляет несколько десятых долей вольта. После окончания действия импульсов «ОИ1» и кода «КУ1» транзисторы Т1 и Т2 закрываются, но транзистор ТЗ держится открытым до прихода следующего импульса «КУ1» за счет разряда кон-, денсатора С1 по цепи: обкладка конденсато-ра ( + ), резистор R8, переход эмиттер-база транзистора ТЗ, обкладка конденсатора (—). Диод Д2 предотвращает разряд конденсатора С1 через резисторы R7, R5. Так как транзистор ТЗ открыт, то на обмотку Р1а через транзистор ТЗ, ограничительный резистор R10 подастся напряжение питания, и реле срабатывает замыкая выводы платы 30—31 и размыкая выводы 29—30. С приходом очередного им-■ пульса кода «КУ1», следующего с частотой 50 Гц, процесс, описанный выше, повторяется. Если же импульс «КУ1» не поступает, то по мере разряда конденсатора СТ транзистор ТЗ закрывается, и реле Р!а выключается, замыкая выводы 29—30 платы и размыкая выводы 30—31.
Диод ДЗ предотвращает выбросы напряжения в обмотку реле Р1а при его выключении.
Декодирование кодов «КУ2—КУ6» производится аналогично, при этом срабатывают соответственно реле Р2а Рба. Номера замы-! кающихся выводов платы приведены в таблице 5. Схема декодирования команды «КУ7» собрана на
транзисторах Т14, Т15, Т16, диодах Д14, Д15, конденсаторе С7, резисторах R46— R55.
В исходном состоянии на контакты платы 26, 52 импульсы кодов «КУ» положительной полярности не поступают, а на контакт 2 платы поступает импульс «ОИ7». Транзистор Т15 закрыт, и напряжение на его коллекторе держит закрытым транзистор Т14 при поступлении через резистор R46 на базу транзистора импульса положительной полярности «ОИ7». Транзистор Т16 закрыт, реле Р7а не включено, при этом контакты 3—4 платы соединены.
Диод Д14 служит для увеличения помехозащищенности схемы.
При поступлении через резистор R47 (рис. 176а) импульса кода «КУ7» транзистор Т15 открывается, и эмиттер транзистора Т14 подключается к корпусу через диод Д14 и открытый транзистор Т15. Так как в это же время через резистор R46 в базу транзистора Т14 поступает положительный импульс «ОИ7», то транзистор Т14 открывается, и на его коллекторе формируется перепад напряжения, изображенный на рис. 1766. По цепи: обкладка конденсатора С7 (минус), резистор R52. диод Д15, транзисторы Т14, Т15, диод Д14, корпус происходит заряд конденсатора С7 (рис. i76в).
По мере заряда понижается относительно эмиттера потенциал базы транзистора Т16 и он открывается (рис., 176г) Режимы транзисторов выбраны таким образом, что они работают в режиме насыщения.
После окончания действия импульсов «ОИ7» и кода «КУ7» транзисторы Т14, Т15 закрываются, но транзистор Т16 держится открытым до прихода следующего импульса «КУ7» за счет разряда конденсатора С7 по цепи: обкладка конденсатора С7 (минус), резистор R53, переход эмиттер-база транзистора Т16, обкладка конденсатора (плюс). Диод Д15 предотвращает разряд конденсатора С7 через резисторы R52, R50. Так как транзистор Т16 открыт, то на обмотку Р7а через транзистор Т16, ограничительный резистор R55 подается напряжение питания, и реле срабатывает, замыкая выводы 4—5 платы и размыкая выводы 3—4. С приходом очередного импульса кода «КУ7», следующего с частотой 50 Гц, процесс, описанный выше, повторяется. Если же импульс «КУ7» не поступает, то транзистор Т14 во время действия импульса «ОИ7» закрыт, и по мере разряда конденсатора С7 транзистор Т16 закрывается, реле Р7а выключается, замыкая выводы 4—3 платы и размыкая выводы 4—5.
Диод Д16 предотвращает выбросы напряжения в обмотке реле Р7а при его выключении.
Декодирование кодов «КУ8—КУ12» производится аналогично, при этом срабатывают соответственно реле Р8а—Р12а. Номера замыкающихся выводов платы приведены в табл. 5. стаческого стабилизатора на стабилитроне ДЗ напряжением 10—12 В.
Основной выпрямитель Д2—Д5 собран по мостовой схеме и выдает напряжение приблизительно 130 В. На выходе выпрямителя включен конденсатор фильтра С2. В плечи моста включены рабочие обмотки магнитного усилителя.
Магнитный усилитель является предварительным стабилизатором напряжения и позволяет поддерживать постоянный режим работы регулирующего транзистора ППЗ. Напряжение па переходе эмиттер-коллектор транзистора ППЗ устанавливается потенциометром РЕГ. РЕЖИМ ППЗ (R5) и контролируется на гнездах Г1—Г2.
В качестве регулирующего элемента использован составной транзистор, состоящий из основного ППЗ и согласующего ПП1 (У1) и включенные последовательно с нагрузкой. Для защиты составного транзистора от перенапряжения используется цепочка из стабилитронов Д1—Д2 (У1), которые в момент увеличения напряжения пробиваются и шунтируют переход база коллектор транзистора ПП1 (У1). Таким образом, напряжение на переходе не будет превышать суммарного напряжения стабилитронов Д1 и Д2 (У1).
При увеличении напряжения на выходе стабилизатора увеличивается отрицательный потенциал на базе транзистора ППЗ (У1) относительно эмиттера. Эмиттер находится под постоянным потенциалом, снимаемым со стабилитронов Д5 и Д6 (У1). Ток, протекающий через транзистор ППЗ (У1), увеличивается, увеличивается падение напряжения на резисторе R7 (У1), с которого сигнал ошибки подается на базу транзистора ПП2 (У1). Транзистор ПП2 (У1) открывается, ток через него увеличивается, увеличивается падение напряжения на резисторе R4 (У1), сопротивление перехода эмиттер-коллектор транзистора ПП1 (У1) увеличится: падрние напряжения на нем возрастет, и выходное напряжение уменьшится до первоначального значения. Аналогично схема работает при уменьшении напряжения на выходе стабилизатора. Применение магнитного усилителя в схеме позволяет поддерживать постоянное напряжение на переходе эмиттер-коллектор транзистора ППЗ, что достигается подключением обмотки управления магнитного усилителя к данному переходу.
При увеличении падения напряжения на транзисторе ППЗ вследствие увеличения напряжения сети увеличивается ток в обмотке управления магнитного усилителя. Индуктивное сопротивление его рабочих обмоток возрастет, а следовательно, возрастрт и падение напряжения на них, тем самым напряжение на транзисторе ПП1 (У1) останется почти постоянным.
Конструктивно блок выполнен на нестандартном шасси. На передней панели блока размещены предохранители Пр1—Пр4 с сигнальными лампами Л1—Л4 и потенциометры R12 и R14.
Таблица 5
1 |
Номера выводов платы |
|
Код «КУ» 1 |
замкнутых |
разомкнутых |
КУ1 —подан КУ1—снят |
30-31 29-30 |
29-30 30-31 |
КУ2—подан КУ2—снят |
33-34 32-33 |
32-33 33-34 |
КУЗ—подан КУЗ—снят |
38-39 37-38 |
37-38 38-39 |
КУ4—подан КУ4—снят |
42—43 41-42 46-47 45-46 |
41-42 42-43 |
КУ5—подан КУ5—снят |
45-46 46—47 |
|
КУ6—подан КУ6—снят |
50-51 49-50 |
49-50 50—51 |
КУ7—подан КУ7—снят |
4-5 3-4 |
3-4 4-5 |
КУ8—подан КУ8—снят |
7-8 6-7 |
6-7 7—8 |
КУ9—подан КУ9—снят |
12-13 11-12 |
11 — 12 12—13 |
КЮ—подан КУЮ—снят |
16-17 15-16 |
15—16 16—17 |
КУП—подан КУ11—снят |
20—21 19—20 |
19-20 20-21 |
|
|
|
КУ 12—подан КУ 12—снят |
24-25 23-24 |
23-24 24—25 |
5.4.3. Дешифратор сигналов контроля (ДСК).
Принципиальная схема дешифратора сигналов контроля УЦЗ.099.379 ЭЗ.
ДСК по принципу действия полностью аналогичен дешифратору команд управления. Отличие принципиальных схем только в нагрузках транзисторов ТЗ, Т5, Т7, Т9, Til, T13, Т16, Т18, Т20, Т22, Т24, Т26.
В ДКУ нагрузкой является реле, а в ДСК коллекторы перечисленных транзисторов через ограничительные резисторы подключены к выходу платы, а затем к лампочкам индикаторных табло или кнопок. Величина резистора в коллекторной цепи транзисторов Т9, TI8 такова, что позволяет подключить к этим транзисторам реле, расположенные в блоках ВПУ.
Каждому коду «СК» соответствует один выход на плате дешифратора, указанный в таблице 6. При подаче на вход ДСК определенного кода «СК» на соответствующем выводе платы появляется напряжение. Номера выводов платы указаны в табл. 6.
Таблица 6
Вывод платы
Код „СК"
Положительная
»
Полярность напряжения
Отрицательная
СК 1 |
17 |
СК 2 |
18 |
СК 3 |
21 |
СК 4 |
23 |
СК 5 |
25 |
СК 6 |
27 |
СК 7 |
3 |
С К 8 |
4 |
СК 9 |
7 |
С К 10 |
9 |
СК 11 |
11 |
СК 12 |
13 |
