- •Классификация электромагнитной обстановки и степени жесткости испытаний объектов на помехоустойчивость
- •Общие положения
- •1.2 Воспроизведение электромагнитных помех при испытаниях автоматических и автоматизированных систем технологического управления электротехническими объектами
- •2 Каналы передачи электромагнитных помех и способы их ослабления
- •Моделирование механизмов связи
- •2.2 Упрощенные модели передачи электромагнитных помех и методы их снижения
- •2.2.1 Связь через общее полное сопротивление
- •2.2.2 Магнитная связь
- •2.2.4 Связь излучением
- •2.2.3 Емкостная связь
- •3 Особенности практической реализации методов снижения помех и оценка вероятных уровней помех
- •3.1 Общие положения
- •3.2 Основные концепции выполнения заземления и прокладки кабелей
- •3.3 Фильтры
- •3.4 Устройства защиты от перенапряжений
- •3.5 Ограничение уровней гармоник напряжений и токов
- •4 Ограничения коммутационных электромагнитных помех в цепях управления с индуктивными элементами
- •4.1 Физические процессы при коммутациях в индуктивных цепях
- •4.2 Критерии оценки схем защиты от помех
- •4.3 Схемы защиты от помех для устройств постоянного тока
- •4.4 Схемы защиты от помех для устройств переменного тока
- •4.5 Схемы защиты от помех для трехфазных установок
- •4.6 Схемы защиты от помех для люминесцентных ламп
- •5 Подавление помех
- •Грозозащита — концепция грозозащитных зон
- •5.2 Проблемы эмс в лабораториях высоких напряжений и в электрофизических установках
- •5.3 Измерения дифференциальными усилителями
- •6 Экспериментальное определение помехоустойчивости
- •6.1 Имитация помех, поступающих по проводам
- •6.1.1 Имитация низкочастотных помех и миллисекундных импульсов в сетях низкого напряжения
- •6.1.2 Имитация широкополосных низкоэнергетических помех в виде пачек импульсов коммутационных перенапряжений
- •6.1.3 Имитация широкополосных мощных перенапряжений (гибридный генератор)
- •6.1.4 Имитаторы разрядов статического электричества
- •6.1.5 Имитация узкополосных помех
- •6.1.6 Серийные приборы
- •6.2 Имитация квазистатических полей и электромагнитных волн
- •6.2.1 Имитация узкополосных полей помех
- •6.2.2 Имитация широкополосных волновых электромагнитных полей
- •6.2.3 Имитация квазистатических полей и электромагнитных волн при помощи генератора тока
- •7 Измерение параметров средств защиты от помех
- •7.1 Экранирующее действие оболочек кабелей
- •7.1.1 Экранирование квазистатических магнитных полей оболочки
- •7.1.2 Экранирование квазистатических электрических полей
- •7.1.3 Экранирование электромагнитных волн
- •7.2 Экранирующие корпусы приборов и стенки помещений
- •7.3 Коэффициент затухания материалов экрана
- •7.4 Коэффициент затухания уплотнений
- •7.5 Коэффициент затухания, обусловленный поглощающими стенами
- •7.6 Коэффициент затухания фильтра
- •8 Некоторые общие проблемы электромагнитной совместимости
- •8.1 Подавление помех, вызываемых выключением катушек
- •8.2. Подавление помех, создаваемых универсальными коллекторными двигателями
- •8.3 Разряды статического электричества
- •8.4 Защита сети электропитания
7.4 Коэффициент затухания уплотнений
Действие электромагнитных экранов основано на образовании токов в экранах. Швы и щели в корпусе экрана, крышке и дверцах затрудняют прохождение тока и должны, поэтому перекрываться проводящими уплотнениями. Качество уплотнения проверяется устройством, показанном на рис. 7.13.
Рис. 7.13 – Устройство, проверяющее качество уплотнений
Эта установка аналогична устройству для измерения сопротивления связи
. (7.11)
Чем меньше падение напряжения на уплотнении при заданном токе, тем лучше экранирующее действие уплотнения. Для обобщения результата измерения учитывают сопротивление связи единицы длины уплотнения. Сжатие уплотнения следует выбирать по рекомендациям изготовителя. Конструкции уплотнений, укладываемых в канавки, должны предусматривать канавки, как в подвижной части, так и в опорной пластине.
Для ослабления влияния емкостной связи в месте уплотнения при высоких частотах опорная пластина в местах контакта выполняется перфорированной. Так как экранирующее действие в основном зависит от удельной проводимости уплотняющего элемента, то оценка качества уплотнения проводится при помощи источника постоянного тока и омметра.
7.5 Коэффициент затухания, обусловленный поглощающими стенами
Электромагнитные волны испытывают у препятствий частичное или полное отражение. При интерференции падающих и отраженных волн возникают стоячие волны с неподвижными в пространстве узлами и пучностями.
Рис. 7.14 – Образец стоячей волны перед проводящей стенкой
На
рис. 7.14 показана стоячая волна перед
проводящей экранирующей стенкой. Если
,
то это означает, что мгновенное значение
напряженности падающей волны
на проводящей поверхности в каждый
момент времени компенсируется таким
же мгновенным значением противоположной
полярности (отраженная волна).
Следовательно, наложение падающих и
отраженных волн всегда приводит к
образованию узла у проводящей стенки
и узлов перед стеной на расстояниях R/2
друг от друга. Отличные от нуля мгновенные
значения амплитуд стоячей волны
ограничиваются огибающей, показанной
штриховыми линиями на рис. 7.14. Максимальное
значение огибающей соответствует
двойной амплитуде падающей волны.
Рис. 7.15 – Образец стоячей волны перед плохо проводящей стенкой
Если стенка изготовлена из плохо проводящего материала,
напряженность Е в стенке отличается от нуля, и в этом случае отражается только часть волны. Наложение падающей волны и волны, отраженной с меньшей амплитудой, приводит к огибающей, показанной на рис. 7.15. Падающая и отраженные волны имеют различные амплитуды, их наложения приводят к образованию бегущей волны. Следует иметь в виду, что огибающая не является синусоидальной функцией. Отношение максимального и минимального значений огибающей называют коэффициентом стоячей волны:
(7.12)
Коэффициент
стоячей волны принимает значение 1, если
препятствия отсутствуют, т.е. не
возникает отраженная волна; он становится
бесконечно большим при полном отражении
у идеально проводящей стены (
).
При известном коэффициенте стоячей волны может быть легко рассчитан коэффициент отражения
. (7.13)
Значение коэффициента отражения колеблется между 0 и 1 и может быть как положительным, так и отрицательным. При известном коэффициенте отражения коэффициент стоячей волны определяется как
. (7.14)
Если относительная магнитная и диэлектрическая проницаемости материала стенки отличается от единицы, то коэффициент отражения является комплексным числом
(7.15)
и в (7.14) следует подставить модуль коэффициента отражения
. (7.16)
На рис. 7.16 показана измерительная установка. Все элементы
Рис. 7.16 – Измерительная установка для определения коэффициента стоячей волны и коэффициента отражения, вызываемого поглощающими стенами
установки механически закреплены на тележке из диэлектрического материала (сухого дерева). Путем горизонтального перемещения на расстояния, которые малы по сравнению с расстоянием между антенной и поглощающей стенкой, могут быть измерены направленным ответвителем и измерительным приемником максимальные и минимальные значения напряженности с интервалом А/2. Коэффициент отражения определяется из максимальных и минимальных значений напряженности в соответствии с (7.13), а коэффициент затухания:
. (7.17)
Коэффициент стоячей волны рассчитывается из (7.12).
Результаты измерений зависят не только от геометрических размеров и коэффициента затухания материала поглотителя, но и от диаграммы направленности примененной антенны и угла падения электромагнитной волны [Л.].
Они зависят и от многократных отражений от стенок потолка и пола безэховой камеры электромагнитных волн, сложность которых понятна из схематического их представления на рис. 7.14 и 7.15. Например, на рис. 7.17 показано распределение напряженностей электрического поля при частоте 50 МГц в безэховой измерительной камере.
