- •Схемотехника 1
- •1 Электронды аспаптар жайлы жалпы түсінік
- •1.1 Шалаөткізгішті аспаптар
- •1.2 Металл-шалаөткізгіш байланыстар
- •1.3 Шалаөткізгішті диодтар
- •1.4 Биполяр транзисторлар
- •1.5 Транзистор көмегімен күшейту
- •1.6 Өрістік транзисторлар (өт)
- •2 .1.2 Тұрақты ток генераторлы диффузиялық күшейткіш.
- •2.1.1 Дифференциалдық күшейткіштің жұмыс істеу режимдері.
- •2.1.3 Дифференциалдық күшейткіштер сұлбаларының әртүрлігі.
- •2.1.4 Динамикалық жүктемелі дифференциалдық күшейткіш.
- •2.2 Күшейткіштердің шығыс каскадтары
- •2 .2.1 Қарапайым екітактілі сұлба.
- •2.2.2 Жеке бастапқы ығысулы қуат күшейткіш.
- •2.3.1 Операциялық күшейткіштердің қажеттілігі және негізгі параметрлері.
- •2.3.2 Екікаскадты операциялық күшейткіш.
- •2.3.3 Сыртқы тізбектер.
- •2.3.4 Терістейтін операциялық күшейткіш.
- •2 .3.6.3 Инвертирлеуші дифференциатор (2.19 суретті қара). Rос арқылы жүретін ток , с сыйымдылық жүрген ток . Кіріс тогы нөлге тең болғандықтан,
- •3.2.1 Қисындық интегралдық микросұлбалардың тиекті параметрлері.
- •3.2.2 Диодты-транзисторлық логика – дтл сұлбасы.
- •3.2.3 Транзисторлы-транзисторлық логикалы-ттл сұлбасы.
- •3.2.3.1 Қарапайым инверторлы транзисторлы-транзисторлық логикалы ттл сұлбасы.
- •3 .2.3.2 Күрделі инверторлы ттл сұлбасы тл сұлбасы (3.11 суретті қара) екі бөліктен тұрады:
- •3.2.4 Эмиттерлі байланысқан логика эбл – сұлбалары.
- •3.2.4.1 Эбл сұлбаларының ерекшеліктері .
- •3.2.4.2 Ток ауыстырып қосқыш.
- •3.2.4.3 Эбл базалық сұлбасының жұмыс істеу қағидасы.
- •3.2.5 Өрістік транзисторлардағы қисындық элементтер.
- •3 .2.5.1 Мдш –тің қисындық элементтері.
- •3.3.2 Дешифратор.
- •3.3.2.2 Матрицалық дешифраторды синтездеу.
- •3.3.3 Шифратор.
- •3.3.4 Мультиплексор
- •3.5 Демультиплексор
- •3.4.2.3 Қозғалу регистрлері.
- •4 Аналогды - сандық және сандық-аналогты түзеткіш
- •4.1 Параллель аст
- •4.2 Тізбектелген аст
- •4.3 Тізбекті пареллель аст
- •4.4 Санды -аналогтық түрлендіргіштер
2.1.1 Дифференциалдық күшейткіштің жұмыс істеу режимдері.
Дифференциалдық күшейткіш (2.1суретті қара) дифференциалдық деп аталатын кіріс сигналдарының айырмасын күшейтеді. Оны биополярлық және униполярлық транзисторларда құрастыруға болады. Олар параллель-баланысты каскад немесе теңестірілген көпір болып табылады. Ортақ Rэ эмиттерлік кедергілі екі тұрақтыток күшейткішінде құрастырылады.
К
оллекторлық
жүктемелер Rк1 = Rк2.
Бірдей VT1 және
VT2 транзисторлары Rк1 және Rк2 резисторларымен
бірге бір диоганалына Ек қуат
көзі, ал екіншісіне Rн-жүктеме
қосылған көпір иығы болып келеді.
Каскад екі көзден Eк = Eэ, қуат алады, яғни қорытқы қуат.
көмегі
арқылы ортақ нүктеге қатысты эмиттерлердің
потенциалы VT1 және VT2 азаяды,
осы кезде потенциалдарды келістіру
қажеттілігі керек болмайды.
Дискретті транзисторларда абсолюттік симметрияны алу қиын,
сондықтан ДК интегралдық микросұлба-
2.1 сурет ларда құрастырылады.
ДК мүмкін жұмыс режимдерін қарастырайық:
а)
Тыныштық режимі ДК екі кірісі де
жермен қысқа тұйықталған, яғни
.
База
- эмиттер тыныштық кернеу минусі
Uэ
тең.
Өз кезегінде эмиттердегі кернеуі
.
Осыдан
базадағы кернеу е
.
Екі
транзистор да ашық активті режимде
жұмыс істейді. Тыныштық токтары
ағып
жатыр. Олар Rк1 және Rк2 бірдей
кернеу түсуін тудырады, осыдан
.
кернеу
с Rн алынады.
.
Эмиттер токтары Iэ1= Iэ2; Iэ = Iэ1+ Iэ2.
Сұлбаның артықшылықтары:
- ЭҚК теңестіруші көзі керек емес;
-
қуат кернеуінің тұрақсыздығы мен
температураның тұрақсыздығынан дрейф
азаяды. Мысалы, Ек кернеу
немесе қоршаған орта температурасын
арттырған кезде коллекторлардағы
кернеудің өсімді бірдей
шамалары
жағынан да, таңбасы жағынан бірдей,
ендеше Δ
.
б) Кіріс сигналды режим. Сигналды берудің үш тәсілін қарастыралық:
1)
сигнал ес>0
транзисторлар базаларының арасына
беріледі (2.2 суретті қара). Сонда,
,
.
Коллекторлық
токтар өсімшелері 0<
,
коллекторлық кернеулер өсімшелері 0>
.
Шығыс кернеуі
.
Коллектор
тогының өзгерісін эмиттер тогы өзгерісі
тудырады 0<
,
жалпы эмитттер тогы
,
осыдан,
эмиттер
тогы тұрақты.
Эмиттерде кернеу өсімшесі жоқ, UЭ де тұрақты. Яғни, тұрақты құраушы бойынша кернеу тұрақтану орын алады, айнымалы құраушы бойынша кері байланыс жоқ.
2.2 сурет
2) сигнал базалардың біреуіне беріледі, ал екіншісіне жермен қосылған (2.2 суретті қара). Мұндай кіріс дифференциалдық кіріс деп аталады.
База
тогы артады
.
Осыдан коллектор тогы да
мен
эмиттер тогы да
артады.
Колектордағы кернеу
азаяды. Эмиттерлік токтар қосындысы
тұрақты.
Осыдан,
,
,
.
Шығыс кернеу, алдыңғы жағдайдағы
сияқты
;
3)
сигналдар бір-біріне тәуелсіз көздерден
екі кірісіне
және
берілген
(2.2 суретті қара). Бұл жерде
суперпозиция қағидасы орындалады.
2 .1.2 Тұрақты ток генераторлы диффузиялық күшейткіш.
Кіріс сигналдарының айырмасы дифференциалдық сигнал деп аталады. Синфазалық сигнал-екі кірісте де бір уақытта әсер ететін сигнал, мысалы, кернеу көзі, температура немесе тағы басқа өзгергеннен кейінгі сигнал, яғни бөгет, оның әсерін азайту қажет. Синфазалық сигнал (СС) әсерін азайту үшін эмиттер тогын 2.3-сурет 2.3 сурет тұрақтандыру керек. Екі кіріс син-
фазалық
кернеу әсер етсін делік, ол Iк1 және
Iк2, коллектор
токтарын күшейтуге тырысады, ал олардың
қосындысы Iэ тең
тұрақты шама. Яғни, коллектор тогы
артпайды, коллектор кернеулері және
шығыс кернеуі өзгермейді. Эмиттер тогын
тұрақтандыру үшін эмиттерлік
кедергіні
арттыруға
болады, бірақ ол кезде кернеу көзін де
арттыру керек, оны өзгертудің керегі
жоқ.
орнына
ток көзін немесе транзисторлардағы
тұрақты ток генераторын (ТТГ) (2.3 суретті
қара).
ТТГ сызбаны: VT3-транзисторы, VD-диод, R1, R2, R3 - резисторлары және қуат көзі – Еэ кіреді.
Iэ тогы дифференциалды күшейткіш транзистор элементтеріндегі VT1 және VT2 токтар қосындысы болып табылады және ол тұрақты ток генераторынан VT3 беріледі.
ТТГ
сұлбасы –
ортақ базалы сұлба бойынша құрылған
күшейткіш. База берілетін VT3 ығысуы
R1, VD, R2 бөлгіші
арқылы беріледі. VD диод
телекомпенсация үшін қызмет
көрсетеді,
орындалады.
R1>> R2, Rэ шарты
орындалуы керек. R1 арқылы
жүретін ток тұрақты, R1 үлкен
температураға тәуелсіз. Кирхгофтың
1-заңы бойынша
.
Температура артқан кезде VT3 кіріс сипаттамасы солға жылжиды, яғни элементтер тогы Iэ3. артады. Осымен біруақытта VD диод кедергісі кемиді, I2, ток артады, осыдан I1 ‑ I2 тең болатын Iб3 тогы кемиді. Iк3 = a Iб3 да азаяды. Сонымен, дифференциалды күшейткіштің элементтер тогы Iэ тұрақты болып сақталып қалады.
Iэ аналитикалық жолмен табалық.
Iб3 << Iэ және Iэ3 = Iк3 = Iэ,
онда
.
(1.1)
Деп есептуге болатындықтан, онда Iб3 << I1, то I1 = I2.
2.3-суреті бойынша
.
(1.2)
Одан
(1.1), ендеше
табамыз Iэ
,
ескере отырып Iэ ток температураға аз ғана тәуелді, ТТГ талап ететін болып табылады.
