- •Схемотехника 1
- •1 Электронды аспаптар жайлы жалпы түсінік
- •1.1 Шалаөткізгішті аспаптар
- •1.2 Металл-шалаөткізгіш байланыстар
- •1.3 Шалаөткізгішті диодтар
- •1.4 Биполяр транзисторлар
- •1.5 Транзистор көмегімен күшейту
- •1.6 Өрістік транзисторлар (өт)
- •2 .1.2 Тұрақты ток генераторлы диффузиялық күшейткіш.
- •2.1.1 Дифференциалдық күшейткіштің жұмыс істеу режимдері.
- •2.1.3 Дифференциалдық күшейткіштер сұлбаларының әртүрлігі.
- •2.1.4 Динамикалық жүктемелі дифференциалдық күшейткіш.
- •2.2 Күшейткіштердің шығыс каскадтары
- •2 .2.1 Қарапайым екітактілі сұлба.
- •2.2.2 Жеке бастапқы ығысулы қуат күшейткіш.
- •2.3.1 Операциялық күшейткіштердің қажеттілігі және негізгі параметрлері.
- •2.3.2 Екікаскадты операциялық күшейткіш.
- •2.3.3 Сыртқы тізбектер.
- •2.3.4 Терістейтін операциялық күшейткіш.
- •2 .3.6.3 Инвертирлеуші дифференциатор (2.19 суретті қара). Rос арқылы жүретін ток , с сыйымдылық жүрген ток . Кіріс тогы нөлге тең болғандықтан,
- •3.2.1 Қисындық интегралдық микросұлбалардың тиекті параметрлері.
- •3.2.2 Диодты-транзисторлық логика – дтл сұлбасы.
- •3.2.3 Транзисторлы-транзисторлық логикалы-ттл сұлбасы.
- •3.2.3.1 Қарапайым инверторлы транзисторлы-транзисторлық логикалы ттл сұлбасы.
- •3 .2.3.2 Күрделі инверторлы ттл сұлбасы тл сұлбасы (3.11 суретті қара) екі бөліктен тұрады:
- •3.2.4 Эмиттерлі байланысқан логика эбл – сұлбалары.
- •3.2.4.1 Эбл сұлбаларының ерекшеліктері .
- •3.2.4.2 Ток ауыстырып қосқыш.
- •3.2.4.3 Эбл базалық сұлбасының жұмыс істеу қағидасы.
- •3.2.5 Өрістік транзисторлардағы қисындық элементтер.
- •3 .2.5.1 Мдш –тің қисындық элементтері.
- •3.3.2 Дешифратор.
- •3.3.2.2 Матрицалық дешифраторды синтездеу.
- •3.3.3 Шифратор.
- •3.3.4 Мультиплексор
- •3.5 Демультиплексор
- •3.4.2.3 Қозғалу регистрлері.
- •4 Аналогды - сандық және сандық-аналогты түзеткіш
- •4.1 Параллель аст
- •4.2 Тізбектелген аст
- •4.3 Тізбекті пареллель аст
- •4.4 Санды -аналогтық түрлендіргіштер
2.3.2 Екікаскадты операциялық күшейткіш.
Екі
каскадты операциялық күшейткіштің
сұлбасы 2.14 суретте келтірілген.
Кіріс дифференциалдық
күшейткіші
VT1 ¸ VT4 транзисторларында
құрастырылған. Негізгі транзисторлар VT1 және
VT2 –
p-n-p-типті.
Динамикалық жүктеме (транзисторы VT3 және VT4 ‑ n-p-n-типті) транзисторлары токтың айна немесе токтар шағымдарғыш болып табылады. Токтың айналы ДК дифференциалдық кірісі және біржактылы кірісі болады.
Эмиттерлік тізбектегі ТТГ эмиттерлік токты стабилизациялау және кернеу дрейфін азайту үшін қажет. Каскад ОК талап етілетін кіріс параметрлерімен қамтамасыз етеді.
Екінші
каскад VT5 және VT6 құрама
транзисторларын орташа эмиттер
құрастырылған амплитудалар күшейткіші
болып табылады. ОК кернеу бойынша
қажетті коэффициентін қамтамасыз
етеді. Каскадтың жүктемелік кедергісі
ретінде ТТГ2 ток
көзі
алынады.
2.14 сурет
СК »30 пФ – сиымдылығы жиіліктік сипаттамасы коррециялау үшін қажет. VD1 және VD2 диодтары шығыс каскадында бастапқы жұмыс нүктесінің ығысуын тудыру үшін керек.
Шығыс
каскадына мыналар кіреді: VT7
(n-p-n-типті) және VT8 (p-n-p-типті)
транзисторлардың комплектарлық
жұбы, VD1 және
VD2 диодтары,
тұрақты ток генераторы ТТГ2,
VT6.транзисторы.
Шығыс каскады АВ класындағы екітактілі
күшейткіш болып табылады.
СТГ2, VD1, VD2 және VT6, тұратын
кернеу бөлгіш VT7 және VT8 транзисторларының
жұмыс нүктесін ығыстырады.
. Айтылып
өткендей қажетті бастапқы
ығысу VD1 және VD2 диодтары
арқылы беріледі. Осы диодтар шығыс
күшейткіштің тыныштық режимінің
температуралық стабилизациясын
қамтамасыз етеді.
ОК кірісінде сигнал болмаған кезде Uшығ = 0, жүктеме арқылы жүретін ток Iж = 0. VT7 және VT8 транзисторлары арқылы өте үлкен емес бастапқы ток жүреді, ол VT7 транзисторында UVD1 плюс ығысуынан және VT8 транзисторларында UVD2 – минус ығысуынан туындайды. Диодтар тура бағытта қосылған және әрқашан ашық, сондай-ақ VT6 коллекторынан кернеудің оң төмендеуі берілген кездің өзінде қуат кернеу көздері + Еп1 және ‑ Еп2 есебінен диодтар анодтарына катодтарға қарағанда оң кернеу берілген. Екі транзисторлық базалары айнымалы ток бойынша қысқартылған, себебі айнымалы құраушы бойынша диодтардың кедергісі нөлге жуық. VT7 және VT8 транзисторлары кезекпен ашық. VT6 коллекторынан кернеудің оң төмендеуін берген кезде VT8 транзисторы жабылып қалады, ал VT7 – алынады. Ток мына тізбек бойынша жүреді: + Еп1, кэVT7, Rн, ‑ Еп1. коллекторынан кернеудің теріс төмендеуін берген кезде, а VT7 транзисторлары жабылады, ал VT8 –ашылады. Ток мына тізбек бойынша жүреді: + Еп2, Rн, кэVT8, ‑ Еп2.
2.3.3 Сыртқы тізбектер.
Операциялық күшейткіштерде сыртық тізбектер қолданылады:
а) жиілік сипаттамалары коррекциялау тізбектері- жиілікті тәуелділікті RC-тізбектер;
б) нөлдік кірістегі шығыста нөлдік кернеу орнату үшін теңестіру тізбектері;
в) қорғау тізбектері:
1) жоғары кіріс кернеудегі кірістегі тесіктен;
2) шығыстағы қысқаша тұйық талудан шығыста жуық шамамен тізбектей 400 Ом резистор қосылады;
3) көздің плюсінің ауысуынан қосуда полярлылықтың дұрыс еместігінен;
4) қуат көзінің кернеуінің артып кетуінен;
г) кері байланыс тізбектері.
Көбінесе
ОК теріс
кері байланыс қолданылады, себебі
онсыз
болғанда
өзінде күшейту коэффициенті
шексіздікке ұмтылады және
өзінің
шектік мәніне жетуі мүмкін.
Теріс кері байланыс төмендегі мүмкіндіктерді тудырады:
берілген функцияларымен сызба құруға;
керекті күшейту коэффицентіне жетуге;
сызбаның тұрақтылығы мен төзімділігін арттыруға;
керекті
және
мәндерін
алуға;
сызықты және сызықты емес өзгерістерді кішірейтуге.
Сигналдар күшейткішін және шешуші күшейткіштерді қарастырайық.
