- •Предисловие
- •Глава 1
- •§ 1.2. Линейчатые спектры атомов и теория бора о строении атома
- •§ 1.3. Дискретность энергетических уровней
- •§ 1.4. Волновое уравнение электрона. Квантовые числа
- •§ 1.5. Электронное строение атомов
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 2 строение твердого тела
- •§ 2.1. Химическая связь в молекулах
- •§ 2.2. Агрегатные состояния вещества
- •§ 2.3. Кристаллическая структура твердого тела
- •§ 2.4. Химические связи в кристаллах
- •§ 2.5. Обозначение плоскостей и направления в кристалле
- •§ 2.6. Тепловые колебания атомов
- •§ 2.7. Дефекты кристаллов
- •§ 2.8. Определение структуры кристалла
- •2.9. Жидкие кристаллы
- •Глава 3
- •§ 3.1. Электронные состояния в твердых телах
- •§ 3.2. Металлы, диэлектрики и полупроводники с точки зрения зонной теории
- •§ 3.3. Статистика носителей заряда в твердом теле
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 4
- •§ 4.1. Вывод формулы электропроводности твердых тел
- •§ 4.2. Электропроводность металлов
- •§ 4.3. Сверхпроводимость металлов
- •§ 4.4. Электропроводность собственных полупроводников
- •§ 4.5. Примесные полупроводники
- •§ 4.6. Температурная зависимость
- •§ 4.7. Полупроводники в области криогенных температур и сверхпроводимость полупроводников
- •§ 4.8. Измерение удельного сопротивления полупроводников
- •§ 4.9. Определение типа электропроводности полупроводников
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 5 кинетические явления в полупроводниках
- •§ 5.1. Влияние сильных электрических полей на электропроводность полупроводников
- •§ 5.2. Эффект ганна
- •§ S.3. Неравновесные носители заряда
- •§ 5.Л. Неоднородные полупроводники. Диффузионные и дрейфовые токи
- •§ 5.5. Измерение параметров полупроводников
- •§ 5.6. Гальваномагнитные эффекты
- •§ 5.7. Термомагнитные эффекты
- •§ 5.8. Тепловые свойства полупроводников
- •Контрольные вопросы и задачи
- •§ 6.1. Работа выхода и контактная
- •§ 6.2. Контакт полупроводника и металла
- •§ 6.3. Выпрямление на контакте полупроводника
- •§ 6.4. Контакт металла с электролитом
- •§ 6.5. Строение двойного слоя
- •§ 6.6. Контакт полупроводника с электролитом
- •§ 6.7. Собственный потенциал электрода. Методы его измерения
- •§ 6.8. Вольт-амперные характеристики контакта металла и полупроводника с электролитом
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 7
- •§ 7.1. Образование p-n-переходов
- •§ 7.2. Классификация р-n-переходов
- •% 7.3. Природа токов через р-n-переход
- •§ 7.5. Гетеропереходы
- •§ 7.6. Перенос носителей в тонких пленках
- •§ 7.7. Токи в диэлектрических и полупроводниковых пленках, ограниченные пространственным зарядом
- •§ 7.8. Сверхрешетки
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 8
- •Термоэлектрические
- •И фотоэлектрические свойства
- •Полупроводников
- •§ 8.1. Термоэлектрические явления
- •§ 8.2. Фотопроводимость
- •§ 8.3. Спектр поглощения полупроводников. Квантовый выход
- •§ 8.4. Рекомбинация носителей заряда
- •§ 8.5. Люминесценция
- •§ 8.7. Квантовые генераторы
- •§ 8.8. Твердотельные лазеры
- •§ 8.9. Понятие об оптоэлектронике
- •Контрольные вопросы
- •Поверхностные свойства полупроводников
- •9.1. Особенности строения поверхности полупроводников
- •§ 9.2. Образование поверхностного заряда
- •§ 9.3. Явление адсорбции на поверхности полупроводников
- •§ 9.4. Поверхностная электропроводность
- •§ 9.5. Эффект поля ;
- •§ 9.6. Физические явления при переносе носителей
- •§ 9.7. Каналы проводимости
- •§ 9.8. Поверхностная рекомбинация
- •§ 9.9. Быстрые и медленные состояния
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 10
- •§ 10.1. Влияние свойств поверхности на параметры 1
- •§ 10.2. Ток поверхностной утечки
- •§ 10.3. Стабильность характеристик приборов
- •§ 10.4. Стабилизация поверхностного заряда
- •Контрольны вопросы
- •Глава 11 свойства тонких пленок
- •§ 11.1. Особенности структуры пленок
- •К чему приводит дрейф обратного тока?
- •§ 11.3. Эпитаксиальные слои
- •§ 11.5. Ферромагнитные пленки
- •Контрольные вопросы
- •Оглавление
§ 6.4. Контакт металла с электролитом
При изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем процессы химической обработки занимают достаточно большой объем от числа всех технологических операций. В процессе этих обработок полупроводник находится в контакте
с различными химическими веществами: травителями, растворителями, во-дой и т. д. Между полупроводником и электролитом происходит обмен частицами. На поверхности полупроводника всегда имеется поверхностный заряд, причины образования которого будут рассмотрены в гл. 9. Наличие поверхностного заряда влияет на процессы электронного обмена между полупроводником и электролитом.
Для лучшего понимания физики происходящих процессов вначале рассмотрим случай контакта электролита с металлом, заряд на поверхности которого практически отсутствует.
Кристаллическая решетка металла
построена из положительно заряженных ионов —катионов, находящихся в узлах решетки, связь между которыми осуществляется с помощью свободных электронов. При погружении металла в воду или другую жидкость с достаточно высокой диэлектрической проницаемостью связь между катионами ослабляется вследствие гидратации. Полярные молекулы жидкости, соответствующим образом ориентируясь около поверхности металла, ослабляют связи, и катионы начинают переходить в раствор. Этот процесс сопровождается выделением энергии (рис. 6.16). На рисунке линия ММ' относится к поверхности металла, линия РР' — к границе раствора, точке А соответствует максимальная энергия катиона на поверхности металла, точке С — минимальная энергия катиона в растворе, линия ABC показывает изменение энергии катиона при его переходе из металла в раствор.
В растворе катион обладает меньшим запасом энергии. Разность энергий катиона на поверхности металла и в растворе равна работе процесса перехода иона в раствор, т. е. работе окисления данного металла.
Переход катиона в раствор нарушает электрическую нейтральность металла и раствора—электроны в раствор не переходят.
130
Металл заряжается отрицательно, раствор положительно, поэтому всем последующим катионам, переходящим в раствор, нужно преодолевать более высокий потенциальный барьер, так как их удерживает отрицательно заряженный металл и отталкивает положи-тельно заряженный раствор.
Каждый следующий катион, переходящий в раствор, преодолевает еще более высокий энергетический барьер. Повышение концентрации катионов у поверхности металла в растворе сопровождается ростом запаса их энергии. Когда средняя энергия катионов в растворе у поверхности металла станет равной средней энергии катионов на поверхности самого металла, наступит равновесие и
дальнейшее увеличение концентрации катионов в растворе у по-верхности металла прекратится.
Одновременно протекает встречный процесс — переход катио-нов из раствора в металл. Для катиона, который первым перешел в раствор, процесс возврата в металл маловероятен из-за высокого энергетичеекого барьера. По мере увеличения концентрации кати-онов в растворе барьер понижается и процесс возврата становится более вероятным.
По достижении равновесия высота энергетических барьеров для катионов, переходящих из металла и из раствора, становится оди-наковой. При равновесии скорость растворения равна скорости
восстановления.
Между зарядами металла и прилегающего к нему слоя раство- ра возникает скачок потенциала, который в равновесном состоянии называется равновесным потенциалом.
Катионы, скопившиеся у поверхности металла, не могут поки-
нуть поверхность и удалиться в глубь раствора. Этому препятствует
электростатическое притяжение между катионами и избыточными
электронами на поверхности металла. Вследствие притяжения об-
разуется двойной электрический слой (рис. 6.17).
131
Значительное количество катионов находится в первом слое, непосредственно прилегающем к поверхности металла. Это —плотная часть двойного слоя, где реализуется почти весь скачок потенциала. Дальше идет диффузионная часть двойного слоя, где концентрация постепенно спадает, достигая значения концентрации, свойственной данному раствору в делом. На этом участке тоже имеет место некоторое падение потенциала, по меньшее по величине {рис. 6.18).
Ионы плотной части двойного слоя отстоят от поверхности металла на расстояние ионного радиуса. Если принять, что ионы представляют собой сферы, в центрах которых находится заряд, то в пространстве между поверхностью металла и поверхностью, расположенной па расстоянии радиуса иона от электрода, зарядов больше нет. В этом пространстве потенциал меняется линейно. В диффузионной части избыточная концентрация ионов переменна, здесь могут находиться катионы и анионы раствора, поэтому потенциал меняется по некоторой кривой.
