- •Предисловие
- •Глава 1
- •§ 1.2. Линейчатые спектры атомов и теория бора о строении атома
- •§ 1.3. Дискретность энергетических уровней
- •§ 1.4. Волновое уравнение электрона. Квантовые числа
- •§ 1.5. Электронное строение атомов
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 2 строение твердого тела
- •§ 2.1. Химическая связь в молекулах
- •§ 2.2. Агрегатные состояния вещества
- •§ 2.3. Кристаллическая структура твердого тела
- •§ 2.4. Химические связи в кристаллах
- •§ 2.5. Обозначение плоскостей и направления в кристалле
- •§ 2.6. Тепловые колебания атомов
- •§ 2.7. Дефекты кристаллов
- •§ 2.8. Определение структуры кристалла
- •2.9. Жидкие кристаллы
- •Глава 3
- •§ 3.1. Электронные состояния в твердых телах
- •§ 3.2. Металлы, диэлектрики и полупроводники с точки зрения зонной теории
- •§ 3.3. Статистика носителей заряда в твердом теле
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 4
- •§ 4.1. Вывод формулы электропроводности твердых тел
- •§ 4.2. Электропроводность металлов
- •§ 4.3. Сверхпроводимость металлов
- •§ 4.4. Электропроводность собственных полупроводников
- •§ 4.5. Примесные полупроводники
- •§ 4.6. Температурная зависимость
- •§ 4.7. Полупроводники в области криогенных температур и сверхпроводимость полупроводников
- •§ 4.8. Измерение удельного сопротивления полупроводников
- •§ 4.9. Определение типа электропроводности полупроводников
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 5 кинетические явления в полупроводниках
- •§ 5.1. Влияние сильных электрических полей на электропроводность полупроводников
- •§ 5.2. Эффект ганна
- •§ S.3. Неравновесные носители заряда
- •§ 5.Л. Неоднородные полупроводники. Диффузионные и дрейфовые токи
- •§ 5.5. Измерение параметров полупроводников
- •§ 5.6. Гальваномагнитные эффекты
- •§ 5.7. Термомагнитные эффекты
- •§ 5.8. Тепловые свойства полупроводников
- •Контрольные вопросы и задачи
- •§ 6.1. Работа выхода и контактная
- •§ 6.2. Контакт полупроводника и металла
- •§ 6.3. Выпрямление на контакте полупроводника
- •§ 6.4. Контакт металла с электролитом
- •§ 6.5. Строение двойного слоя
- •§ 6.6. Контакт полупроводника с электролитом
- •§ 6.7. Собственный потенциал электрода. Методы его измерения
- •§ 6.8. Вольт-амперные характеристики контакта металла и полупроводника с электролитом
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 7
- •§ 7.1. Образование p-n-переходов
- •§ 7.2. Классификация р-n-переходов
- •% 7.3. Природа токов через р-n-переход
- •§ 7.5. Гетеропереходы
- •§ 7.6. Перенос носителей в тонких пленках
- •§ 7.7. Токи в диэлектрических и полупроводниковых пленках, ограниченные пространственным зарядом
- •§ 7.8. Сверхрешетки
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 8
- •Термоэлектрические
- •И фотоэлектрические свойства
- •Полупроводников
- •§ 8.1. Термоэлектрические явления
- •§ 8.2. Фотопроводимость
- •§ 8.3. Спектр поглощения полупроводников. Квантовый выход
- •§ 8.4. Рекомбинация носителей заряда
- •§ 8.5. Люминесценция
- •§ 8.7. Квантовые генераторы
- •§ 8.8. Твердотельные лазеры
- •§ 8.9. Понятие об оптоэлектронике
- •Контрольные вопросы
- •Поверхностные свойства полупроводников
- •9.1. Особенности строения поверхности полупроводников
- •§ 9.2. Образование поверхностного заряда
- •§ 9.3. Явление адсорбции на поверхности полупроводников
- •§ 9.4. Поверхностная электропроводность
- •§ 9.5. Эффект поля ;
- •§ 9.6. Физические явления при переносе носителей
- •§ 9.7. Каналы проводимости
- •§ 9.8. Поверхностная рекомбинация
- •§ 9.9. Быстрые и медленные состояния
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Глава 10
- •§ 10.1. Влияние свойств поверхности на параметры 1
- •§ 10.2. Ток поверхностной утечки
- •§ 10.3. Стабильность характеристик приборов
- •§ 10.4. Стабилизация поверхностного заряда
- •Контрольны вопросы
- •Глава 11 свойства тонких пленок
- •§ 11.1. Особенности структуры пленок
- •К чему приводит дрейф обратного тока?
- •§ 11.3. Эпитаксиальные слои
- •§ 11.5. Ферромагнитные пленки
- •Контрольные вопросы
- •Оглавление
§ 1.3. Дискретность энергетических уровней
ЭЛЕКТРОНОВ В АТОМАХ И СПЕКТРЫ
РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ
Полная энергия электрона в атоме складывается из кинетической энергии движения электрона по орбите Ек и потенциальной энергии Еп притяжения электрона к ядру.
Кинетическая энергия определяется скоростью движения электрона по п-й орбите:
Потенциальная энергия зависит от силы притяжения электрона ядру; для атома водорода
В атоме водорода электрон вращается по орбите с радиусом , если центростремительная сила, удерживающая его на орбите, уравновешивается силой притяжения электрона к ядру:
(1.7)
Пользуясь этим равенством, можно преобразовать выражение ля Ек;
(1.8)
(1.7)
помощью первого постулата Бора (1.5) и выражения найдем значение радиуса n-й орбиты:
или, используя формулу (1.9),
Тогда выражение для полной энергии электрона можно представить в виде
(1.10)
Из формулы (1.10) следует, что энергия электрона в атоме отрицательна и определяется числом п, .которое называют главным квантовым числом. Главное квантовое число определяет тот энергетический уровень, на котором находится электрон. Значению
15
Подставив значения постоянных параметров в формулу (1.10), получим для атома водорода
определенному разрешенному значению энергии. Все другие значения энергии являются запрещенными, т. е. электрон не может их принимать (рис. 1.9).
Из изложенного можно сделать вывод, что электрон в атоме способен принимать только строго определенные, дискретные значения энергии. Указанные значения представляются в виде энергетической шкалы, каждая черточка на которой соответствует
Переход электрона с одного энергетического уровня на другой возможен только при соблюдении двух условий:
уровень, на который осуществляется переход, должен со держать «свободное место» для электрона;
для перехода на более высокий энергетический уровень электрону должна быть сообщена дополнительная энергия в соотв. с третьим постулатом Бора.
Н
апример,
если электрон находится на уровне Е1
то
для перехода
на уровень Е2
нужно,
чтобы там имелось незанятое состояние
и чтобы электрон получил дополнительную
энергию Е = Е2—
Е1
Состояние атома будет устойчивым, если электронами заполнены самые нижние энергетические уровни. Такому состоянию соответствует минимальное значение энергии атома. Если под действием облучения или нагрева электрон в атоме перейдет на более высокий энергетический уровень, то такое состояние атома называют возбужденным. Это состояние неустойчиво, поэтому при прекращении облучения электрон возвращается в исходное состояние, испуская квант энергии.
16
Практическим доказательством дискретности энергетических уровней электронов в атомах служат спектры рентгеновских лучей. Спектры эти бывают двух видов: сплошные, или непрерывные, и линейчатые, или характеристические. Спектры можно наблюдать с помощью рентгеновской трубки; схема ее простейшей конструкции представлена на рис. 1.10. Между анодом (антикатодом) и катодом трубки поддерживается разность потенциалов порядка нескольких десятков киловольт. В качестве анода выбирают материал, рентгеновский спектр которого исследуется. В обычных рентгеновских трубках используют материалы с большим атомным номером. При постепенном увеличении напряжения на трубке вначале наблюдается сплошной спектр, а при больших, порядка нескольких киловольт, напряжениях — линейчатый.
Электрон движется в рентгеновской трубке под действием сил электрического поля от катода к аноду. При торможении электрона на аноде возникают электромагнитные колебания, состоящие из набора волн различной длины, дающие сплошной спектр так называемого тормозного излучения. Электромагнитные колебания, возникающие при торможении электронов, создают непрерывный поток рентгеновских лучей. Интенсивность сплошного спектра увеличивается с ростом напряжения на трубке и с увеличением атомного номера вещества анода. При дальнейшем увеличении напряжения наступает момент, когда кроме сплошного спектра возникает и линейчатый, четкие линии которого резко выделяются на фоне непрерывного спектра.
С ростом напряжения на трубке, вначале появляются линии мягких серий слабой интенсивности. Если продолжать увеличивать напряжение, то появляются лучи более жестких серий. Причина этого заключается в следующем.
Под действием ускоренного электрона находящийся на внутренней орбите атома анода электрон выбрасывается со своего уровня на один из более высоких уровней. Атом возбуждается. ; В тот же момент какой-либо электрон с более удаленной от ядра орбиты, обладающий большей энергией, переходит на освободившееся место па низком уровне энергии. При таком переходе атом излучает квант энергии. В результате возбужденный атом полностью теряет полученную им энергию и возвращается в нормальное невозбужденное состояние (рис. 1.11), На сплошном спектре появляется линия, соответствующая испущенному кванту энергии.
Атомы разных элементов поглощают и испускают различные «панты энергии, но всегда строго определенные для данного элемента. Чем больше атомный номер элемента, тем большую порцию энергии он может захватить и испустить.
Каждый испущенный квант энергии дает па спектре линию характеристического спектра. Эти линии образуют серию. Серии обозначают буквами К, L, М, N. Линии серии К возникают при переходе электронов с различных орбит на самую внутреннюю орбиту, обозначаемую К; линии серии L возникают при переходе электронов на вторую орбиту, обозначаемую L, и т. д. Линии в
17
каждой серии обозначают буквами а, β, Υ : линии отличаются друг от друга частотой излучения. Линию, соответствующую переходу электрона из свободного состояния на энергетический уровень атома, называют граничной линией серии (рис. 1.12). Линии /(-серии— самые интенсивные, но число линий в этой серии наименьшее.
Для разных металлов необходимо различное напряжение для получения линейчатого спектра. Так, для молибденового анода при
напряжении 0,06 кВ возникают линии N-серии, при 0,51 кВ — линии М-серии, при 2,87 кВ — линии L-серии, при 20 кВ — К-серии. Для вольфрамового анода К-серия возникает при 69,3 кВ, L- ceрия — при 12,1 кВ.
