4.2. Методические указания

Исследование и расчет параметров производится с помощью программного комплекса ЭК-5.2. При этом необходимо учесть следующие исходные данные и ограничительные условия:

1. 1) при выполнении работы рекомендуется максимально использовать результаты расчетов компоновочных параметров, полученных в лабораторных работах 1,2 и 3;

2. 2) расчет числа логических слоев производить только для конструкции МПП ПАНЕЛИ, используя заданные условия трассировки проводников. Для кристаллов БИС и СБИС, а также для кремниевой подложки МКМ необходимо определять шаг трассировки проводников, полагая число логических слоев в конструкции заданным;

3. 3) все варианты конструкции коммутационных элементов являются симметричными (т.е. имеют квадратную форму), а внешние контакты расположены равномерно по всем 4‑м сторонам;

4. 4) число трасс на одном слое в единичном монтажном поле МПП (tx1, ty1) должно определяться с учетом шага размещения корпусов (акор.), полученного ранее в лабораторной работе №3, а также с учетом необходимого количества переходных отверстий а0, минимального шага сквозных отверстий и условий трассировки соединений в конструкции МПП, т.е.:

• количество межслойных переходов должно соответствовать условию: К_отв>>1 здесь , где N_ПО;; N_МО – число переходных и монтажных отверстий соответственно;

• минимальный шаг сквозных отверстий: а₀=1,25мм;

условия трассировки соединений: прохождение 1 или 2‑х проводников в минимальном шаге сквозных отверстий. Например при а₀=1,25мм и 2-х проводниках между отверстиями соответствует шагу трассировки составляет а_тр=0,25мм.

4.3. Лабораторное задание

6. Провести исследование и выполнить расчет трассировочной способности и слойности коммутационных элементов для всех вариантов конструкции устройства в соответствии с полученным вариантом задания.

7. Учитывая топологические особенности в кристаллах БИС и СБИС (напр., наличие нескольких компоновочных уровней, особенность учета внешних связей и др.) по сравнению с другими коммутационными элементами определить суммарное число трасс в их конструкции (T_КЭ), а также шага размещения трасс . Такой же расчет произвести для проводников на кремниевой подложки МКМ.

8. Определить число логических слоев в конструкции МПП ПАНЕЛИ с учетом заданных условий трассировки проводников и размещения сквозных отверстий.

9. Произвести исследование основных параметров (а_тр, W_пр, h_пр) проводников для всех трех видов устройств.

Результаты исследования свести в табл. 4а и рис. 4 в Приложении 4.

Учитывая то обстоятельство, что согласно заданию все варианты конструкций коммутационных элементов на всех уровнях компоновки являются симметричными (по отношению к расположению внешних контактов), в таблице 4а рекомендуется привести обозначения параметров конструкции только для одного направления проводников (X), т.к. значения параметров другого направления (Y) полностью идентичны.

Студенту рекомендуется произвести исследование исходных размеров проводников в конструкциях коммутационных элементов для всех трех видов устройств: шаг а_тр, ширина (W_пр) и толщина (h_пр). Исследования проводится на основании результатов приведенных в табл. 4а. Результаты исследования свести в табл. 4б и рис.4 в Приложении 4.