Лабораторная работа № 1 (1б)
1б – Исследование и выбор конструктивно-топологических параметров кристаллов БИС и СБИС.
Таблица 3
Результаты расчета конструктивно - топологических параметров кристаллов БИС и СБИС.
Уровень
компоновки, |
Устройство |
Интеграция |
Число внешних выводов |
Размер кристалла (мм) |
Уровень технологии l (мкм) |
Шаг контактных площадок lкп (мкм) |
|||||||
Схемная (ЭЛЭ) |
Макс. с учетом эффективного) (ЭЛЭ) |
Логических (mi) |
Потенциальных (me) |
Общее число (mобщ) |
|||||||||
|
СБИС |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
БИС в уст-ве МКМ |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
МКМ |
|
|
|
|
|
- |
- |
- |
||||
|
БИС в уст-ве ПАНЕЛИ |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
ПАНЕЛЬ |
|
|
|
- |
- |
- |
- |
- |
||||
Рис. 1б)
б) конструктивно – топологический
чертеж кристалла СБИС в устройстве СБИС
Дата ______________ 200__г. Студент ______________________
Группа:___________________ Подпись ______________________
Рис. 1а)
а) конструктивно – топологический
чертеж кристалла БИС в
устройствах МКМ и Панели
Толщина корпуса HK (мм) |
штыр |
|
- |
|
план |
- |
|
||
Длина внешних выводов lв (мм) |
штыр |
|
- |
|
план |
- |
|
||
Габарит. Размеры корпуса Б (мм) |
штыр |
|
- |
|
план |
- |
|
||
Шаг выводов ав (мм) |
штыр |
|
- |
|
план |
- |
|
||
Рассеив. мощность Р (Вт) |
|
|
||
Из табл. 1.3. Прил. 1б |
Шаг контакт. пл. на кристалле lКП (мкм) |
|
|
|
Размер кристалла А (мм) |
|
|
||
Общее число внешних выводов |
|
|
||
Максим. интеграция кристалла с учетом эффективности (ЭЛЭ) |
|
|
||
Устройство |
СБИС |
БИС в устройстве ПАНЕЛИ |
||
Уровень компоновки i |
i = 4 |
i = 3 |
||
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2 Приложение 2
2а – Исследование и выбор параметров конструкции корпусов БИС и СБИС
Результаты исследования корпусов БИС и СБИС Таблица 2
а) б)
Рис. 2. Общий вид конструкции корпусов БИС и СБИС. (БИС с планарными (2-а) и СБИС со штыревыми (2-б) выводами).
Дата ________________________ 200__г. Группа:______________________
Студент __________________________ Подпись _____________________
Рассеив. мощность МКМ Р (Вт) |
|
|
|
||
Толщина корпуса HK (мм) |
штыр |
- |
|
||
план |
- |
|
|||
Длина внешних выводов lв (мм) |
штыр |
- |
|
||
план |
- |
|
|||
Габарит. размеры корпуса Б (мм) |
штыр Г |
|
|
||
план В |
|
|
|||
Шаг расположения кристаллов БИС aкр (мкм) |
- |
|
|||
Шаг выводов ав (мм) |
штыр |
|
|
||
план |
|
|
|||
Из табл. 1.3. Прил. 1б |
Шаг контактных площадки БИС lКП (мм) |
|
- |
||
Размер кристалла БИС А (мм) |
|
- |
|||
Общее число внешних выводов mобщ |
|
|
|||
λ кристалла БИС (мкм) |
|
- |
|||
Схемная интеграция N(ЭЛЭ) |
|
|
|||
Устройство |
БИС МКМ |
МКМ |
|||
Уровень компоновки i |
i = 3 |
i = 4 |
|||