- •1. Электрическая цепь и её элементы.
- •2. Источники напряжения.
- •3. Двухполюсные пассивные элементы: резистор, индуктивность, емкость и схемы их замеения.
- •2. Индуктивный элемент (катушка индуктивности)
- •3. Емкостный элемент (конденсатор)
- •4. Система принятых положительных направлений токов и напряжений электротехнике.
- •5. Закон ома.
- •6. Режимы работы электрической цепи.
- •8. Расчёт разветвленных электрических цепей с одним источником эдс методом эквивалентных преобразований.
- •7. Потенциальная диаграмма.
- •9. Взаимное преобразование схем соединения треугольником и звездой пассивных элементов.
- •10. Расчет неразветвленных и разветвленных линейных электрических цепей с несколькими источниками энергии путем непосредственного применения законов кирхгофа.
- •11. Метод суперпозиции.
- •12. Баланс мощностей.
- •13. Понятие о генераторах переменного тока.
- •14. Основные величины, характеризующие синусоидальные напряжения и токи. Начальная фаза. Сдвиг фаз.
- •15. Мгновенное, амплитудное, действующее значения синусоидально изменяющихся электрических величин.
- •16. Параметры и элементы цепей переменного тока.
- •17. Векторные диаграммы.
- •18.Синусоидальный ток в цепи с активным сопротивлением r, индуктивностью l, емкостью c.
- •19.Законы ома и кирхгофа для цепей синусоидального тока.
- •20.Активное, реактивное и полное сопротивление двухполюсника. Треугольник сопротивлений.
- •21. Мощность синусоидального тока. Колебания энергии и мгновенная мощность элементов цепи. Активная, реактивная и полная мощности.
- •23. Выражение мощности в комплексной форме. Баланс мощностей.
- •24. Четырехполюсники. Фильтры.
- •25. Элементарные сведения из физики полупроводников. Собственная и примесная проводимость.
- •26. Свойства p-n перехода.
- •27. Токи в p-n переходе. Прямое и обратное включение p-n перехода.
- •28. Вольтамперная характеристика p-n перехода.
- •29. Пробой p-n перехода. Виды пробоя.
- •30. Полупроводниковые диоды. Классификации диодов.
- •31. Выпрямительные диоды. Выпрямление переменного тока.
- •32. Биполярные транзисторы. Классификация по мощности, диапазону рабочих частот, методу изготовления.
- •33. Схемы включения биполярного транзистора. Режимы его работы.
- •34. Токи биполярного транзистора.
- •2) Усиление мощности
- •3) Частотные свойства транзисторов
- •38. Статические характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой и общим эмиттером. Влияние температуры на статические характеристики биполярного транзистора.
- •39. Полевые транзисторы.
- •40. Транзисторы с управляющим p-n переходом, его работа, статические характеристики и параметры.
- •41. Транзисторы с изолированным затвором: мдп-транзисторы с встроенным каналом и индуцированным. Их работа, характеристики и параметры.
- •42. Усилители электрических сигналов и их классификация. Основные показатели усилителей. Обратная связь в усилителях.
- •43. Принцип работы усилителя.
- •44. Транзисторные усилители. Смещение на входе. Стабилизация положения рабочей точки.
39. Полевые транзисторы.
Полевые (униполярные) транзисторы — это полупроводниковые устройства, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающих через проводящие каналы и управляемые электрические поля. По функциям предназначены так же, как и биполярные транзисторы. (усиление, генерация и преобразование электрических сигналов)
Различаю полевые транзисторы: с управляющим pn-переходом; с изолированным затвором. (МДП, МОБ)
40. Транзисторы с управляющим p-n переходом, его работа, статические характеристики и параметры.
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом – это полевой транзистор, управление потоком основных носителей в котором происходит с помощью выпрямляющего электрического перехода, смещенного в обратном направлении.
Принцип действия такого полевого транзистора рассмотрим на примере рис. 4.2. Он представляет собой монокристалл полупроводника n-типа проводимости; по его торцам методом напыления сформированы электроды, а посередине, с двух сторон, созданы две области противоположного типа проводимости и тоже с электрическими выводами от этих областей. Тогда на границе раздела областей с различным типом проводимости возникнет р-n-переход. электрические выводы от торцевых поверхностей полупроводника называют истоком (И) и стоком (С), а вывод от боковой поверхности противоположного типа проводимости назовем затвором (З).
Рис.
4.2. Упрощенная структура полевого
транзистора с управляющим p-n-переходом
Подключим
внешние источники
и
так,
чтобы источник
–
источник входного сигнала смещал
р-n-переход
в обратном направлении, а в цепь источника
введем
сопротивление нагрузки
.
Под действием напряжения этого источника
между торцевыми поверхностями
полупроводника потечет ток основных
носителей заряда. Образуется так
называемый токопроводящий
канал.
Площадь поперечного сечения этого
канала, а, следовательно, и его
сопротивление зависит от ширины
p-n-перехода.
Изменяя величину напряжения источника
,
меняем обратное напряжение на
p-n-переходе,
а, значит, и его ширину. При увеличении
этого напряжения ширина p-n-перехода
возрастает, а поперечное сечение канала
между истоком и стоком уменьшается.
Можно подобрать такую величину напряжения
на затворе, при котором p-n-переход
полностью перекроет канал, и ток в цепи
нагрузки прекратится. Это напряжение
называют напряжением
отсечки.
Таким образом, в цепи мощного источника
протекает
ток стока
,
величина которого зависит от величины
управляющего сигнала – напряжения
источника
и
повторяет все изменения этого сигнала.
Падение напряжения на сопротивлении
нагрузки при протекании тока
является
выходным сигналом, мощность которого
значительно больше мощности, затраченной
во входной цепи. Принципиальным отличием
полевого транзистора от биполярного
является то, что источник входного
сигнала подключен к p-n-переходу
в обратном, запирающем направлении и,
следовательно, входное сопротивление
здесь очень большое, а потребляемый от
источника входного сигнала ток очень
маленький. В биполярном транзисторе
управление осуществляется входным
током, а в полевом транзисторе – входным
напряжением. Следует отметить, что
поскольку потенциал от истока к стоку
возрастает, то соответственно возрастает
и обратное напряжение на p-n-переходе,
а, следовательно, и его ширина. Так же,
как и биполярные транзисторы, полевые
транзисторы могут быть разных типов:
в рассматриваемом случае – полевой
транзистор с каналом n-типа
проводимости и на принципиальных схемах
он обозначается символом, представленным
на рис. 4.3, а.
Рис.
4.3. Условные обозначения полевого
транзистора, имеющего канал n-типа (а)
и p-типа (б)
Если канал имеет проводимость р-типа, то его обозначение такое же, но стрелка затвора направлена в противоположную сторону (рис. 4.3, б).
Если полевой транзистор усиливает сигнал переменного тока, то в цепь затвора необходимо вводить смещение в виде источника ЭДС достаточной величины, чтобы суммарное напряжение на p-n-переходе не изменяло свой знак на положительный, так как p-n-переход в таком полевом транзисторе должен быть всегда смещен в обратном направлении. Тогда электрическое поле p-n-перехода, поперечное по отношению к каналу, будет изменятся в точном соответствии с изменением входного сигнала, расширяя и сужая канал. В цепи стока появляется переменная составляющая тока, которая и будет представлять собой усиленный входной сигнал.
