3.1.1.1. Діод із ступінчатим переходом

Електричне поле у ступінчатому p-n-переході. Напруженість електричного поля в p-області ступінчатого p-n-переходу визначають за виразом:

ξ = - (x+xp), -xp x 0,

(3.6)

де N_A- концентрація акцепторної домішки в p-області p-n-переходу; - відносна діелектрична проникність матеріалу ( _Si = 12, _Ge = 16, _GaAs = 10,9), - абсолютна діелектрична проникність вакууму ( = 8,854·10^-12 Ф/м).

Напруженість електричного поля в точці x = 0 ступінчатого p-n-переходу розраховують за виразом:

ξ = - xp.

(3.7)

Напруженість електричного поля ξ в області n-типу p-n-переходу розраховують за виразом:

ξ = (x-xn),

(3.8)

Електричний потенціал у ступінчатому p-n-переході. Електричний потенціал у ступінчатому p-n-переході за умов рівномірного легування областей на відрізку (-x_p – 0) в області p-типу розраховують за виразом:

U(x) = (x + xp)2, -xp x 0.

(3.9)

В області n-типу на відрізку (0 - x_n ) електричний потенціал розраховують за виразом:

U(x) = [ND (2 xn x - x2) + NA ],

(3.10)

Значення електричного потенціалу в точці x = 0 визначають за рівнянням :

U(0) = .

(3.11)

Висоту потенціального бар’єра за умов зовнішнього зміщення визначають за виразом (3.10) за x = x_n

= [ND + NA ].

(3.12)

Висоту потенціального бар'єра за умов рівноваги розраховують за рівнянням (3.12), якщо замінити в ньому х_n на х_n0, а х_p на х_p0 :

[ND + NA ].

(3.13)

Виходячи з нейтральності p-n-переходу N_Ax_p = N_Dx_n, висоту потенціального бар’єра за умов зовнішнього зміщення, розраховують як функцію товщини області просторового заряду l = (x_p+x_n ) за виразом:

(3.14)

Товщина області просторового заряду у ступінчатому p-n-переході. Товщину області просторового заряду в p-області визначають за виразом :

xp = ,

(3.15)

а товщину області просторового заряду в n-області переходу за виразом :

xn = ,

(3.16)

де - висота потенціального бар’єра за умов зовнішнього зміщення.

Загальну товщину області просторового заряду в p-n - переході розраховують за виразом:

l = | xp | + | xn | ,

(3.17)

У більшості ступінчатих переходів одна сторона легована значно більше, ніж інша. Такі переходи позначають як n⁺-p-переходи або p⁺-n-переходи в залежності від того, яка область більше легована. Їх називають однобічними ступінчатими переходами.

Для переходів такого типу x_p на кілька порядків більша ніж x_n або навпаки. Тому, якщо N_D >> N_A , то x_p >> x_n і товщину l ОПЗ розраховують за виразом:

l = xp  ;

(3.18)

якщо N_A >> N_D , то x_n >> x_p і товщинe l ОПЗ розраховують за виразом :

l = xn  .

(3.19)

За умов симетричного ступінчатого p-n-переходу або коли концентрації у кожній з областей відрізняються в кілька разів, товщину області просторового заряду розраховують за формулою :

l = .

(3.20)

Товщину області просторового заряду за умов рівноваги, як функцію виключно технологічних параметрів розраховують за виразом :

.

(3.21)