- •Розділ 2. Розрахунки параметрів напівпровідникових матеріалів
- •2.1. Короткі теоретичні відомості
- •2.1.1. Питома провідність напівпровідників
- •2.1.2. Потенціал Фермі
- •2.1.3. Дрейфовий струм
- •2.1.4. Дифузійний струм
- •2.2. Приклад розв’язування задачі
- •3.1.1. Діоди із p-n-переходом
- •Рекомендована література
- •3.1. Короткі теоретичні відомості
- •3.1.1.1. Діод із ступінчатим переходом
- •3.1.1.2. Діод із плавним переходом
- •3.1.1.3. Ємнiсть p-n-переходу
- •3.1.1.4. Струм діода за умов прямого зміщення
- •3.1.1.5. Зворотний струм насичення діода
- •3.1.1.6. Напруга пробою діода
- •3.1.2. Діод Шотткі
- •3.1.2.1. Діод Шотткі за умов рівноваги
- •3.1.2.2. Діод Шотткі за умов зовнішнього зміщення
- •3.1.2.3. Еквівалентна схема
- •3.2. Приклад розв’язування задачі
- •Рекомендована література
3.1.1.2. Діод із плавним переходом
Електричне поле у плавному p-n-переході. Напруженість електричного поля ξ в ОПЗ лінійного переходу розраховують за виразом:
ξ |
(3.22) |
За координати x = 0 напруженість електричного поля має максимальне значення
ξ |
(3.23) |
Електричний потенціал у плавному p-n-переході Якщо прийняти потенціал у нейтральній області p-типу за нульовий, то значення потенціалу в ОПЗ p-n-переходу розраховують відносно нейтральної області p-типу за виразом :
U(x)
=
|
(3.24) |
За координати x = 0, значення потенціалу відносно нейтральної області p-типу розраховують за виразом :
U(0)
=
|
(3.25) |
Оскільки досліджуваний перехід лінійний, то товщина області просторового заряду
l
= 2xp
= 2xn
,
а
xp
= xn
=
|
(3.26) |
Товщину області просторового заряду для лінійного переходу визначають за виразом:
l
=
|
(3.27) |
Для умов рівноваги товщину області просторового заряду розраховують за виразом:
l0
=
|
(3.28) |
Для лінійного p-n-переходу за умов зовнішнього зміщення товщину області просторового заряду визначають за виразом :
l
=
|
(3.29) |
Реальні p-n - переходи мають концентраційні профілі домішок, які знаходяться між ступінчатими переходами з рівномірним легуванням областей і лінійними переходами. Для загального випадку розрахунки виконують за виразом:
l
=
|
(3.30) |
де
(лінійний)
(ступінчатий).
3.1.1.3. Ємнiсть p-n-переходу
Питому ємнiсть p-n-переходу за умов рiвноваги і зовнiшнього змiщення визначають за виразами :
Cj00
= |
(3.31) |
Cj0
= |
(3.32) |
Ємність p-n-переходу розраховують за виразом :
Cj
=
Cj0
S
=
|
(3.33) |
де S – площа p-n-переходу, l – товщина області просторового заряду.
Для умов рiвноваги ємнiсть p-n-переходу розраховують за виразом :
Cj
= Cj00
S
=
|
(3.34) |
Оскільки товщина областi просторового заряду переходу залежить вiд напруги зовнішнього зміщення U, то
Cj0
= Cj00
|
(3.35) |
де m - коефiцiент, який залежить вiд типу переходу: m = 1/2 для ступiнчатого переходу; m = 1/3 - для лiнiйного.
Для ступiнчатого однобічного p-n-переходу за умов зовнiшнього змiщення і ND >> NA ємність переходу розраховують за виразом:
Cj
= S
|
(3.36) |
Для плавного p-n-переходу за умов зовнiшнього змiщення ємність переходу розраховують за виразом:
Cj
= S
|
(3.37) |

.
=
=
Cj00
.
.