- •Введение
- •Тема 1. Построение математической модели
- •1.1. Описание моделируемого объекта
- •1.2. Задание на выполнение практической работы
- •1.2.1. Этапы построения математической модели эм
- •1.2.2. Исследование связи между величиной магнитной индукции b в рабочем зазоре эм и током I в его электрической катушке при различной степени насыщения материала магнитопровода
- •1.3.4. Расчет остальных магнитных параметров эм
- •1.3.5. Вывод результатов расчета
- •1.3.6. Анализ характеристик эм
- •1.3. Пример расчета эм
- •1.3.1. Ввод исходных данных
- •1.3.2. Расчет основных параметров эм
- •1.3.7. Выводы
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа
- •2.1. Описание моделируемого объекта
- •2.2. Задание на выполнение практической работы
- •2.2.1. Этапы построения математической модели дтип
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов
- •3.1. Описание анализируемого объекта
- •3.2. Задание на выполнение практической работы
- •3.2.1. Этапы анализа
- •3.3. Пример расчета экранов
- •3.3.1. Расчетное задание
- •3.3.2. Расчет эффективности экранов
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из серого чугуна для различных толщин t его стенок
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из электротехнической меди для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из латуни марки л- 68 для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •3.3.3. Сравнительный анализ эффективности экранов
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока
- •4.1. Постановка задачи проектного расчета
- •4.1.1. Исходные данные для проектного расчета
- •4.1.2. Дополнительные сведения для проектирования микроамперметра
- •4.1.3. Результаты расчета
- •4.2. Описание проектируемого объекта
- •4.3. Последовательность выполнения проектного расчета микроамперметра
- •4.4. Этапы построения математической модели проектируемого микроамперметра
- •4.5.2. Пути снижения значений границ составляющих основной относительной систематической погрешности проектируемого микроамперметра
- •4.6.3. Определение расчетных значений сопротивления шунтов Rш1, Rш2,Rш3 и их округленных значений Rш1(0), Rш2(0), Rш3(0).
- •4.6.4. Определение значений резисторов Rш1(р), Rш2(р), Rш3(р)
- •4.6.5. Выбор стандартного допустимого отклонения значений сопротивлений
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя
- •5.1. Постановка задачи проектного расчета
- •5.1.1. Исходные данные для проектирования дросселя:
- •5.1.2. Результаты проектного расчета дросселя:
- •5.2. Описание проектируемого объекта
- •5.3. Математическая модель проектируемого дросселя
- •5.4. Алгоритм проектного расчета дросселя
- •5.5.4. Реализация процедуры последовательного приближения функции (блоки 14–18) и (блоки 14–19)
- •5.5.5.Завершающий этап расчета
- •5.5.6. Результаты проектного расчета дросселя
- •Расчет магнитных систем
- •1. Методы теории магнитных цепей
- •2. Метод определения проводимости воздушного зазора магнитной системы по вероятным путям магнитного потока
- •Графики зависимости относительной магнитной проницаемости от намагничивающего поля н
- •7. Решение нелинейных уравнений методом деления отрезка пополам
- •Схемы алгоритмов, программ, данных и систем. Условные обозначения и правила выполнения (составлено на основании данных гост 19.701 – 90)
- •1. Общие сведения
- •2. Описание символов
- •3. Правила применения символов
- •4. Правила выполнения соединений
- •2. Параметры материалов экранов
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с допусками до 5 %
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с жесткими допусками ( 2% и менее)
- •Резисторы типа с2-10 и с2-34
- •Резисторы типа с5-6; с5-18 и с5-22
- •Резисторы типа с5-44
- •Резисторы типа с5-14в; с5-14вii и с5-17в
- •Резисторы типа с5-27; мвсг; мргч; мрх и с5-401
- •Резисторы типа с5-53в и с5-54в
- •Резисторы типа с5-60
- •4. Доверительные границы не исключенной систематической погрешности результата измерения (составлено на основании данных гост 8.207-76)
- •Проектный расчет дросселя Основные параметры обмоточных проводов
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •Тема 1. Построение математической модели с-образного электромагнита и анализ его характеристик 5
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа 28
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов 42
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока 50
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя 72
- •Учебное издание
- •Основы проектирования приборов и систем
- •346428, Г. Новочеркасск, ул. Просвещения, 132, тел. 55-305
4.5.2. Пути снижения значений границ составляющих основной относительной систематической погрешности проектируемого микроамперметра
1. Снижение
значений границ погрешностей
может быть достигнуто за счет повышения
точности округления (уменьшения по
абсолютной величине отброшенных
(добавленных) частей сопротивлений в
соответствии с формулами (4.17) – (4.19)).
2. Снижение значений границ погрешностей и достигается за счет выбора в качестве шунтов и композиций, например, из двух последовательно включенных резисторов для каждого шунта:
(4.29)
(4.30)
(4.31)
где
и
соответственно основные и дополнительные
составляющие резисторов
и
.
Для более точного подбора значений и должны выполняться условия:
(4.32)
(4.33)
(4.34)
4.6. Выбор стандартных значений сопротивлений резисторов при заданном классе точности МЭИМ и требуемом значении
границы не исключенной систематической погрешности
Выбор стандартных значений сопротивлений резисторов , и производится в соответствии со схемой алгоритма проектного расчета микроамперметра (рис. 4.5). При составлении этой схемы использовался материал, приведенный в прил. 2.
4.6.1. Ввод исходных данных
(в соответствии с поставленной задачей расчета, см. п. 4.1.1)
Исходными при
расчете являются следующие параметры:
4.6.2. Определение
усредненного значения
границ
относительных
погрешностей
.
Для нахождения значения воспользуемся формулой (4.16), приняв соответственно:
.
После подстановки и преобразования получим выражение для :
(4.35)
Рис. 4.5. Схема алгоритма проектного расчета микроамперметра
(см. также с. 62-63)
Рис. 4.5. Схема алгоритма проектного расчета микроамперметра (продолжение)
Рис. 4.5. Схема алгоритма проектного расчета микроамперметра (окончание)
4.6.3. Определение расчетных значений сопротивления шунтов Rш1, Rш2,Rш3 и их округленных значений Rш1(0), Rш2(0), Rш3(0).
Значения сопротивлений резисторов Rш1, Rш2 и Rш3 определяются по формулам (4.10) – (4.15).
При округлении
считается, что
.
Эти условия с учетом формул (4.17) – (4.19)
можно записать в виде:
;
(4.36)
;
(4.37)
.
(4.38)
4.6.4. Определение значений резисторов Rш1(р), Rш2(р), Rш3(р)
Значения сопротивлений
резисторов Rш1(р),
Rш2(р)
и Rш3(р)
из ряда предпочтительных значений
(прил. 4), ближайших к соответствующим
округленным значениям сопротивлений
Rш1(0),
Rш2(0)
и Rш3(0),
определяются по формулам (4.26) – (4.28)
с учетом неравенств
.
После подстановки и преобразования получаем неравенства для выбора значений сопротивлений Rш1(р), Rш2(р), Rш3(р):
(4.39)
(4.40)
(4.41)
где
и
– соответственно наименьшие и наибольшие
допустимые значения сопротивлений
Rш1(р),
Rш2(р),
Rш3(р),
определяемые из выражений:
(4.42)
(4.43)
(4.44)
(4.45)
(4.46)
(4.47)
Если в рядах предпочтительных значений нет сопротивлений, удовлетворяющих условиям (4.39) – (4.41), то из рядов предпочтительных значений сопротивлений выбираются ближайшие значения сопротивлений по условиям (4.39), (4.40) и (4.41). Они рассматриваются как основные в композиции из двух последовательно включенных резисторов. Дополнительные резисторы в каждой паре резисторов выбираются из условий (4.32) – (4.34).
