- •А. Н. Мурашкевич, н. В. Богомазова, о. А. Алисиенок
- •Химическая технология квантовой и
- •Твердотельной электроники
- •Предисловие
- •Методические указания к выполнению курсовых проектов (работ)
- •1.1. Тематика курсовых проектов (работ)
- •1.2. Указания к выполнению технологической курсовой работы
- •1.2.1. Общие указания
- •1.2.2. Аналитический обзор литературы
- •1.2.3. Инженерные решения
- •1.2.4. Технологический раздел
- •1.2.4.1. Структура и содержание
- •1.2.4.2. Указания по проведению технологических расчетов
- •Сравнительная характеристика интегральной планарной и керамической технологий
- •Основной состав исходной шихты
- •Сводная таблица материального баланса процесса спекания заготовок позисторов (для одной лодочки с 672 заготовками)
- •Материальный баланс процесса напыления пленки Al (для единичной загрузки камеры напыления)
- •Материальный баланс процесса травления фсс
- •1.2.5. Контроль качества продукции и метрологическое обеспечение технологии
- •1.2.6. Мероприятия по охране окружающей среды
- •1.3. Курсовой проект по оборудованию и основам проектирования производств материалов и изделий электронной техники
- •1.3.1. Обоснование выбора типа аппарата
- •1.3.2. Технологический расчет аппарата
- •1.3.3. Конструирование электропечей сопротивления
- •1.3.4. Расчет электропечей сопротивления
- •Материальный баланс процесса обжига изделий
- •1.3.5. Конструирование нагревательных элементов
- •Сводный тепловой баланс обжига в электропечи сопротивления
- •Основные характеристики материалов, применяемых для изготовления нагревательных элементов [5]
- •Рекомендуемые и максимально допустимые температуры работы нагревателей в зависимости от условий эксплуатации [7]
- •Сплавы, рекомендуемые для работы в специальных атмосферах [7]
- •Максимальное отношение d / d для спиральных нагревателей
- •Максимальная высота зигзага проволочных нагревателей, мм
- •Максимальная высота зигзага ленточного нагревателя, мм
- •Удельное электрическое сопротивление металлов, (Оммм2)/м
- •1.3.6. Расчет нагревательных элементов
- •Коэффициент степени черноты некоторых материалов
- •Значения коэффициента эф для различных систем нагревателей
- •Значения коэффициента эф при нагреве материалов с различной степенью черноты поверхности [1]
- •Относительная мощность стен для нагревателей различного вида
- •Максимальные и оптимальные длины и поверхности ленточного нагревателя, размещаемые на 1 м2 поверхности футеровки
- •Максимальные и оптимальные длины и поверхности проволочного нагревателя, размещаемые на 1 м2 футеровки
- •Характеристики карборундовых нагревателей
- •Допустимая удельная поверхностная мощность на нагревателях
- •Допустимые мощности n, удельные поверхностные мощности и напряжения u различных типоразмеров нагревателей из дм
- •1 .3.7. Расчет вакуумной системы
- •Проводимости и распределение давления по длине низковакуумного участка системы
- •Результирующая таблица вакуумной системы
- •1.4. Графическая часть проекта
- •2 . Выполнение дипломных проектов (работ)
- •2.1. Тематика дипломных проектов (работ)
- •2.2 Структура дипломных проектов (работ)
- •Структура основной части дипломных проектов и работ
- •2.3 Указания по выполнению разделов пояснительной записки
- •2.3.1. Обоснование научной или производственной задачи
- •2.3.2. Технологический раздел
- •Материальный баланс установки химико-механического полирования кремниевых пластин
- •Материальный баланс стадии осаждения диоксида титана
- •2.4. Автоматизация производства
- •2.5. Контроль качества и метрологическое обеспечение производства
- •2.6. Мероприятия по охране окружающей среды
- •2.7 Мероприятия по охране труда и безопасности жизнедеятельности
- •2.8. Экономический раздел
- •Основные технико-экономические показатели модернизации производства постоянных магнитов
- •Спецификация оборудования на технологической схеме производства керамических конденсаторов к10–17
- •Спецификация технологических потоков на технологической схеме производства керамических конденсаторов к10–17
- •Спецификация потоков на аппаратурно-технологической схеме производства жидкокристаллических индикаторов
- •Спецификация оборудования на технологической схеме производства жидкокристаллических индикаторов
- •Спецификация потоков на технологической схеме производства ферритных изделий
- •Спецификация оборудования на технологической схеме производства ферферритных изделий
- •Спецификация потоков на технологической схеме производства транзистора 5888г7
- •Спецификация оборудования на технологической схеме производства транзистора 5888г7
- •Фундаментальные физико-химические константы
- •Термодинамические свойства некоторых веществ
- •Параметры удельного газовыделения конструкционных материалов
- •Коэффициенты, характеризующие процесс газопроницаемости материалов
- •Теплофизические свойства огнеупорных и теплоизоляционных материалов
- •Литература
- •Оглавление
- •Химическая технология квантовой и твердотельной электроники
- •220006. Минск, Свердлова, 13.
Материальный баланс процесса напыления пленки Al (для единичной загрузки камеры напыления)
Приход |
Расход |
||||
Компонент |
Масса, г |
% |
Компонент |
Масса, г |
% |
1.Пластины (Si) mплас |
36,582 |
1,7 |
1. Металлизированные пластины(Si/Al) mплас+mмет, |
36,632 |
1,7 |
2. Мишень (Al) mм |
2160, 100 |
98,3 |
2. Мишень mм (Al) |
2159,938 |
98,3 |
|
|
|
3. Осажденная пленка (Al), |
0,112 |
|
|
|
|
в т.ч. mтр(Al) |
0,093 |
|
|
|
|
mст.(Al) |
0,019 |
|
3. Аргон |
2,98∙10-3 |
|
4. Аргон |
2,98∙10-3 |
|
Итого |
2196,685 |
100,0 |
Итого |
2196,685 |
100,0 |
5) Расчет ресурса работы мишени. Здесь определяется число циклов, которые можно осуществить без замены мишени с учетом того, что мишень снимается на восстановление при выработке по массе около 40% или если толщина пластины в зоне эрозии уменьшается в 2 раза. Далее с учетом режима работы оборудования рассчитывают календарный период работы одной мишени.
Пример 3. Поэтапная схема расчета тепловых эффектов основных физико-химических процессов эпитаксии кремния.
1) Определение химических и физических процессов, происходящих в аппарате и сопровождающихся тепловыми эффектами. При этом следует учитывать не только основные, но и побочные химические процессы, если в них участвует значительная часть компонентов (более 1 мас. % от массы всех компонентов в аппарате). Кроме того, учитывают протекание физических процессов таких, как испарение, конденсация, плавление, кристаллизация и других.
Для данного примера тепловой эффект связан в основном с протеканием реакции пиролиза дихлорсилана:
(SiH2Cl2) [Si] + 2 (НCl) |
(8) |
Расчет тепловых эффектов реакции при стандартных условиях ΔН0298 , кДж (для данного примера ΔН 0298 = 132,26 кДж).
3) Расчет тепловых эффектов при условиях протекания процесса (в примере пиролиз протекает при Р=1 атм и Т=1273 К).
|
(9) |
где ΔСр – изменение теплоемкости системы при протекании данного процесса, Дж/К. Для данного примера ΔН 01273= 119,69 кДж.
4) Расчет теплового потока в аппарате для единичной загрузки с учетом числа молей компонентов, вступающих в реакции или другие процессы, сопровождающиеся тепловыми эффектами. В данном примере для формирования эпитаксиальных пленок заданной толщины на 24 пластинах, находящихся в реакторе, необходимо 1,7 молей SiH2Cl2.
ΔН 01273(загр.) = 119,686·1,7 = 203,466 кДж. |
|
Пример № 4 Схема расчета материального баланса процесса трафаретного травления пленки фосфоросиликатного стекла (ФСС)
Приведены
пояснения и результат расчета материального
баланса процесса трафаретного жидкостного
травления межслойной изоляции в виде
пленки ФСС с содержанием фосфора 7 мас.%
толщиной 0,9 мкм + пленки низкотемпературного
оксида (НТО) толщиной 0,1 мкм на
металлизированной алюминием кремниевой
пластине
в травителе H2O:NH4F:HF:
С3Н8О3
(глицерин)=276:67:36:23 (моль) объемом 10 л при
Т=20 С.
Травление компонентов пленки ФСС условно можно описать уравнениями [17]
SiO2 + 2NH4F + 4HF = (NH4)2SiF6 + 2H2O, |
(10) |
P2O5 + 3H2O = 2H3PO4 |
(11) |
I. Приходные статьи материального баланса включают: 1) 50 пластин со структурой (кремниевые подложки, эпитаксиальный слой, слой алюминиевой металлизации, слой ФСС, слой НТО, топологический слой фоторезиста), 2) 2 кассеты, 3) 10 л травителя.
II. Расходные статьи материального баланса включают: 1) пластины со структурой (кремниевые пластины, эпитаксиальный слой, слой ФСС+НТО с вытравленными окнами, объем которых принят равным 49 %) и унесенным травителем (унос порядка 0,10,05 л/м2), 2) кассеты с унесенным травителем, 3) травитель после обработки с продуктами травления (NH4)2SiF6, H3РО4, H2O, 4) испарившуюся воду.
Материальный баланс приведен в таблице 5.
Таблица 5
