5.2 Основные параметры полевых транзисторов. Полевой транзистор с управляющим р-п переходом (птуп). Структура птуп и основные особенности. Сравнение мдп и биполярных транзисторов.

Для усилительного режима работы применяют параметры малого сигнала:

- крутизна характеристики ВАХ (относительно тока к напряжению): .

- выходное (входное) внутренние сопротивление БТ:

- коэффициент усиления по напряжению:

- кроме того: напряжение отсечки, напряжение насыщения, входные и проходные емкости, предельная рабочая частота, коэффициент шумов, допустимая мощность рассеивания.

Полевой транзистор с управляющим р-п переходом (ПТУП).

При подаче оба p-n перехода для данного типа конструкции оказывается под действием обратного напряжения. Толщина d уменьшается с ростом . ОПЗ растет, как следует вне этого площадь сечения канала уменьшается, а его сопротивление растет.

Основные особенности (сравнение ПТУП и МДП):

Схожесть:

- цепь управления для ПТУП изолирована от выходной цепи, к цепи маломощного потребления.

- эффект управления сводится к заряду управления емкости. Как следствие, накопление зарядов противоположного типа и изменение сопротивления каналов.

- управление электрического поля направленно перпендекулярно выходному току.

Отличия:

- ПТУП нормально открытый прибор.

- МДП с индуцироваными каналами нормаоьно закрытый прибор.

6.1 Основные особенности конструкции и классификация тиристоров. Динисторы. Вах динистора, внутренняя положительная обратная связь в р-п-р-п структурах. Статические параметры динисторов.

Тиристор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.

Диапазон токов тиристоров: 10 мА -400А. Диапазон напряжений: 0,1 В – 2 кВ. маломощные тиристоры применяются в релейных цепях в коммутационных устройствах. Они используются как для коммутации, так и для преобразования.

Классификация:

- по числу электронов.

- по способу управления.

Тиристор содержит два вывода и управляется ими – динистор. Управление осуществляется изменением величины и полярности управления питания (неуправляемый тиристор). Их изготавливают из кремния, в котором резко выражена термо генерация носителей заряда и их лавинное умножение носит p-n переход. В монокристалле кремния создают 4 слоя, крайний слой называется эмиттерный, 2 средние – базовые.

Тиристор с тремя выводами – тринистор. Могут управлятся через этот электрод.

ВАХ.