- •1.1 Зонная теория твёрдого тела. Простая модель энергетических зон. Электропроводность твёрдых тел. Собственные полупроводники.
- •1.2 Распределение носителей зарядов по энергетическим уровням в полупроводниках. Примесные полупроводники.
- •1.3 Уравнение электронейтральности. Явление дрейфа и диффузии в полупроводниках. Эффект Холла.
- •1.4 Неравновесные процессы в полупроводниках. Межзонные процессы рекомбинации и генерации. Математическая модель энергетических зон Кронига-Пенни.
- •1.5 Непрямые процессы в объёме и на поверхности полупроводника в условиях динамической неравновесности. Квазиуровни и квазипотенциалы Ферми. Явление переноса. Основные уравнения полупроводников.
- •2.1 Структура р-п перехода в состоянии термодинамического равновесия. Зонная диаграмма р-п перехода. Высота потенциального барьера, толщина области р-п перехода.
- •2.2 Работа р-п перехода при внешнем воздействии. Прямое и обратное смещение р-п перехода. Ширина р-п перехода. Барьерная ёмкость обратно смещённого р-п перехода.
- •2.3 Методы создания электронно-дырочных переходов. Технология изготовления полупроводниковых диодов.
- •Типы диодов по частотному диапазону:
- •Типы диодов по размеру перехода:
- •Типы диодов по конструкции:
- •2.4 Вольт- амперная характеристика р-п перехода. Математическая модель диода. Уравнение Шокли. Вах реального р-п перехода. Пробой р-п перехода.
- •Типы диодов по назначению:
- •3.1 Выпрямительные диоды, стабилитроны, стабисторы, диоды Шоттки. Разновидности и классификация полупроводниковых диодов.
- •Типы диодов по назначению:
- •Типы диодов по конструкции:
- •Переходные процессы в диодах с р-п переходом. Импульсные диоды.
- •4.1 Структура и принцип работы бт. Режимы работы биполярного транзистора и схемы включения. Распределение стационарных потоков носителей.
- •4.2 Статическая модель биполярного транзистора. Распределение концентрации носителей в области базы, эмиттера, коллектора. Математическая модель Эберса-Молла.
- •4.3 Параметры биполярного транзистора. Модели транзистора в режиме малого сигнала. Эквивалентные схемы (четырёхполюсника и физические).
- •4.4 Статические характеристики биполярных транзисторов.
- •4.6 Работа транзистора на нагрузку.
- •4.7 Квазистатический режим работы транзистора. Определение усилительных параметров транзистора через r и h-параметры четырёхполюсника.
- •4.8 Типы биполярных транзисторов. Конструкции и технологии производства.
- •Классификация полевых транзисторов.
- •5.2 Основные параметры полевых транзисторов. Полевой транзистор с управляющим р-п переходом (птуп). Структура птуп и основные особенности. Сравнение мдп и биполярных транзисторов.
- •6.1 Основные особенности конструкции и классификация тиристоров. Динисторы. Вах динистора, внутренняя положительная обратная связь в р-п-р-п структурах. Статические параметры динисторов.
- •6.2 Тринистор - управляемый тиристор. Вах тринистора, зависимость параметров от тока управления. Симисторы, конструкция и вах.
- •7.1 Механизм генерации излучения в полупроводниках. Некогерентные излучатели - излучающие диоды.
- •7.2 Сид и ик-диоды. Световые и электрические параметры сид.
3.1 Выпрямительные диоды, стабилитроны, стабисторы, диоды Шоттки. Разновидности и классификация полупроводниковых диодов.
Выпрямительные диоды — диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный ток.
Основные параметры выпрямительных диодов:
среднее прямое напряжение Uпр.ср. при указанном токе Iпр.ср.;
средний обратный ток Iобр.ср. при заданных значениях обратного напряжения Uобр и температуры;
допустимое амплитудное значение обратного напряжения Uобр.макс.;
средний прямой ток Iпр.ср.;
частота без снижения режимов.
Стабилитрон — полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряжения источника питания на заданном уровне.
Параметры:
Напряжение стабилизации.
Температурный коэффициент напряжения.
Дифференциальное сопротивление.
Максимально допустимая рассеиваемая мощность.
Минимально допустимый ток стабилизации.
Стаби́стор — полупроводниковый диод, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики (то есть в области прямого смещения напряжение на стабисторе слабо зависит от тока). Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации, которое составляет примерно 0,7 В.
Диод
Шоттки
— полупроводниковый
диод
с малым падением напряжения при прямом
включении.
Типы диодов по назначению:
Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный.
Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов, предназначены для применения в импульсных режимах работы.
Детекторные диоды предназначены для детектирования сигнала
Переключательные диоды предназначены для применения в устройствах управления уровнем сверхвысокочастотной мощности.
Ограничительные диоды предназначены для защиты радио и бытовой аппаратуры от повышения сетевого напряжения.
Типы диодов по конструкции:
Стабилитроны.
Стабисторы.
Варикапы.
Светодиоды.
Фотодиоды.
Туннельные диоды.
Негатроны (с N и S образной характеристикой).
Переходные процессы в диодах с р-п переходом. Импульсные диоды.
Различные процессы: - вкл, - выкл, - переключение из прямого в обратный.
Инерционность связана с: - накоплением неосновных носителей, - перезарядом барьерной емкости.
Включение
диода:
;
Схема отключения, временные диаграммы и распред. неосновных носителей в базе.
Характер изменения зависит U от Iпрям.
Низкий уровень инжекции: n*p-ni2>0
Отключение
диода:
– время
рассасывания.
Вначале U уменьшается. Время рассасывания зависит от прямого тока.
Переключение диода на обратное напряжение.
При переключении диод остается в проводящем состоянии. Через него протекает импульсный ток. Этап рассасывания длится пока граничная концентрация неосновных носителей заряда превышает равновесную концентрацию. На диоде сохраняется малое напряжение. Скорость уменьшения концентрации дырок зависит от времени жизни и от импульсного тока.
Время восстановления – интервал от 0 до момента заданного U. Заряд переключения – часть заряда, вытекающая во внешнюю цепь.
Импульсный диод – полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов и использующий (как и выпрямительный диод) при своей работе прямую и обратную ветви ВАХ при сравнительно больших токах нагрузки.
В качестве импульсных широкое применение находят диоды Шотки.
