6.2 Тринистор - управляемый тиристор. Вах тринистора, зависимость параметров от тока управления. Симисторы, конструкция и вах.

Тринистором называют переключательный компонент с тремя электронно-дырочными переходами, и тремя выводами – анодом, катодом и управляющим электродом.

Тринисторы обладают аналогичной динисторам структурой, а отличие состоит в наличии управляющего электрода – дополнительного вывода, подключённого к одной из баз. Если через управляющий электрод тринистора пропустить отпирающий ток, то тринистор перейдёт в открытое состояние. В зависимости от того, к какой именно из баз будет подсоединён управляющий электрод, можно организовать включение тринистора при приложении отпирающего напряжения между управляющим электродом и либо анодом, либо катодом. Вольтамперная характеристика тринистора похожа на вольтамперную характеристику динистора.

На рисунке обозначено:

I – участок, на котором тринистор открыт;

II – участки отрицательного сопротивления и пробоя коллекторного перехода;

III – участок запертого состояния тринистора в прямом включении;

IV – участок обратного включения динистора.

Симисторы, в отличие от обычных тиристоров, проводят ток анод-катод при протекании тока по управляющему электроду, как в прямом направлении, так и в обратном. В результате этого их вольтамперная характеристика симметрична.

Таким образом, на вольтамперной характеристике каждого симистора присутствуют два участка отрицательного дифференциального сопротивления. Структура симистора содержит пять слоёв.

К управляющему электроду, который отведён от зоны n₃, подсоединим вывод отрицательного напряжения, полученного от источника питания, относительно вывода от зон p₂, n₄, в результате чего электроны из зоны n₃ инжектируют в зону p₂. Кроме того, приложим напряжение от источника питания положительным полюсом к зонам p₁, n₁, а отрицательным полюсом к зонам p₂, n₄. Переходы П₁ и П₄ открыты, и играют роль эмиттерных переходов, а переход П₂ закрыт и исполняет обязанности коллекторного перехода, и через симистор по выводам анод-катод протекает ток.

Симисторы нашли широкое применение в устройствах регулирования скорости вращения электродвигателей, в системах освещения, в электронагревателях, в преобразовательных установках.

7.1 Механизм генерации излучения в полупроводниках. Некогерентные излучатели - излучающие диоды.

Физические основы полупроводниковых излучателей люминесценция – электромагнитное нетепловое излучение обладающее длительностью превышающей длительность световых колебаний.

Не требуется нагревание тела. Послесвечение.

Используется люминесценция с широкой запрещенной зоной.

Два этапа:

- генерация под действием энергии носителей заряда (определяет тип).

- рекомбинация, выделяемая при этом энергия превращается в оптическое излучение либо в теплоту.

GaAs

Каждая рекомбинация сопровождается излучением фотона.

В полупроводниковая генерация обеспечивается с помощью инжекционной электронной люминесценцией.

С помощью генерации обеспечивается создание неравновесных носителей заряда.

При наличии контактов 2-х полупроводников в соответствии с простой моделью, зоны Е_с и Е_с искривляются, => образуется потенциальный барьер. При приложении прямого напряжения барьер уменьшается.

Излучает область по одну сторону из p-n-перехода. Количество инжекционных носителей необходимо иметь максимальным в излучательной области, => в n-область вводят больше донорной примеси, чем акцепторной в p-область.

Ток зависит от ширины запрещенной зоны.