- •Исходные критерии модели Друде; время релаксации.
- •1.2 Статическая электропроводность металлов и ее зависимость от температуры.
- •1.4 Диэлектрическая проводимость металлов и металлооптика.
- •1.5 Модель свободных электронов Зоммерфельда.
- •Квантование основных параметров твердых тел; зависимость свойств металлов от его макро- и микроскопических характеристик.
- •Уравнение Шредингера для твердых тел; приближение Борна-Оппенгеймера; валентная аппроксимация.
- •2.2, 2.3, 2.4 Модель Кронига-Пенни.
- •2.5 Методы изображения энергетических диаграмм твердых тел: металлы, полупроводники, диэлектрики.
- •2.6 Эффективная масса носителей заряда.
- •2.7 Примитивное и квантовомеханическое понятие «дырки» в зонной теории; металл с дырочной проводимостью.
- •2.8 Анизотропия ширины запрещенной зоны, энергия Ферми, концентрация носителей заряда в идеальных твердых телах.
- •2.9. Решение уравнения Шредингера для нестехиометрических, донорных и акцепторных атомов. Спектр энергетических состояний примесных атомов.
- •2.10 Мелкие и глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне
- •Природа проводимости и диссипации энергии в собственных полупроводниках.
- •3.6. Положение уровня Ферми в n- и p-полупроводниках: решение уравнения и его количественный анализ для частных случаев.
- •3.7. Концентрация основных и неосновных носителей заряда в примесных полупроводниках: ее зависимость от температуры и концентрации примеси.
- •3.8. Частично и полностью компенсированные полупроводники: положение уровня Ферми, концентрация носителей заряда.
- •3.9. Законы действующих масс для собственных и примесных полупроводников.
- •Понятие подвижности носителей заряда: общие положения. Дрейфовая скорость движения электронов и дырок.
- •4.2 Зависимость подвижности носителей заряда от напряженности электрического поля; критическое поля.
- •4.3 Подвижность, обусловленная рассеянием на ионизированных центрах. Её зависимость от температуры и концентрации примеси.
- •4.4 Подвижность, обусловленная рассеянием на фотонах кристаллической решетки; её зависимость от температуры и концентрации примеси.
- •4.5 Специфика определения подвижности носителей заряда для полупроводников, содержащих и донорную, и акцепторную примеси одновременно.
3.6. Положение уровня Ферми в n- и p-полупроводниках: решение уравнения и его количественный анализ для частных случаев.
Уровни
Ферми в n-
п/п
=-
+
ln
Для
p-
п/п
=-
+
ln
3.7. Концентрация основных и неосновных носителей заряда в примесных полупроводниках: ее зависимость от температуры и концентрации примеси.
Для
n-
типа: основных
Н
еосновных
Для
p-
типа: основных
Неосновных
3.8. Частично и полностью компенсированные полупроводники: положение уровня Ферми, концентрация носителей заряда.
Примесные материалы обладают примесной проводимостью.
Примесные центры:
Атомы или ионы химических эл-ов, внедренные в решетку п/п
Избыточные атомы или ионы, внедренные в кристаллические решетки
Различного рода дефекты в крист. Решетке
Компенсированный п/п – легированный п/п имеющий примерно одинаковую концентрацию и доноров и акцепторов, и св-ва или близки к собственным п/п.
Частично компенсированный п/п – п/п электронная проводимость которого частично компенсирована дырочной проводимостью примесей и наооборот.
Перекомпенсированные – концентарция дырок и примесей в материале одинакова.
3.9. Законы действующих масс для собственных и примесных полупроводников.
ЗДМ
- произведение концентраций основных
носителей заряда на концентрацию
неосновных н.з. является квадратом
является квадратом конц. собственных
носителей заряда.
=
=
=
=
Понятие подвижности носителей заряда: общие положения. Дрейфовая скорость движения электронов и дырок.
𝜇 – подвижность. Подвижность — это скорость направленного движения носителей заряда под действием электрического поля единичной напряж.
Рис.1. Зависимость подвижности (а) и скорости движения носителей заряда от напряженности электрического поля (б) Область I соответствует постоянству подвижности носителей заряда и называется областью слабых полей, или линейной областью. Область II - область закритических полей, или нелинейная область. Напряженность поля ЕКР, разделяющая эти две области, носит название критической напряженности электрического поля.
Д
иффузионная
и дрейфовая скорость движения носителей
заряда
Электрический
ток обусловлен направленным движением
носителей заряда. Направленное движение
носителей заряда может возникнуть в
следующих основных случаях. 1)
Когда на носитель заряда (положительный
или отрицательный) действует
кулоновская сила. где
-
численное значение заряда i-го
вида;
и
-
концентрация и подвижность носителей
заряда i-го
вида.
Скорость носителей, возникшая под
действием внешнего электрич. поля и
численно равная µE, назыв. дрейфовой
скорости носителей заряда [,
а соответствующий ток - дрейфовым током].
2)
если
вдоль какого-либо направления в твердом
теле существует градиент концентрации
носителей заряда. В соответствии с
законом Фика будет наблюдаться
исчезновение градиента концентрации
носителей заряда. Начнется их движение
из области с большей концентрацией
в область с меньшей концентрацией. Это
движение носителей заряда носит
название диффузионного движения.
Величина,
взятая в скобки, носит название диффуз.
скорости i-го
носителя заряда.
