- •Исходные критерии модели Друде; время релаксации.
- •1.2 Статическая электропроводность металлов и ее зависимость от температуры.
- •1.4 Диэлектрическая проводимость металлов и металлооптика.
- •1.5 Модель свободных электронов Зоммерфельда.
- •Квантование основных параметров твердых тел; зависимость свойств металлов от его макро- и микроскопических характеристик.
- •Уравнение Шредингера для твердых тел; приближение Борна-Оппенгеймера; валентная аппроксимация.
- •2.2, 2.3, 2.4 Модель Кронига-Пенни.
- •2.5 Методы изображения энергетических диаграмм твердых тел: металлы, полупроводники, диэлектрики.
- •2.6 Эффективная масса носителей заряда.
- •2.7 Примитивное и квантовомеханическое понятие «дырки» в зонной теории; металл с дырочной проводимостью.
- •2.8 Анизотропия ширины запрещенной зоны, энергия Ферми, концентрация носителей заряда в идеальных твердых телах.
- •2.9. Решение уравнения Шредингера для нестехиометрических, донорных и акцепторных атомов. Спектр энергетических состояний примесных атомов.
- •2.10 Мелкие и глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне
- •Природа проводимости и диссипации энергии в собственных полупроводниках.
- •3.6. Положение уровня Ферми в n- и p-полупроводниках: решение уравнения и его количественный анализ для частных случаев.
- •3.7. Концентрация основных и неосновных носителей заряда в примесных полупроводниках: ее зависимость от температуры и концентрации примеси.
- •3.8. Частично и полностью компенсированные полупроводники: положение уровня Ферми, концентрация носителей заряда.
- •3.9. Законы действующих масс для собственных и примесных полупроводников.
- •Понятие подвижности носителей заряда: общие положения. Дрейфовая скорость движения электронов и дырок.
- •4.2 Зависимость подвижности носителей заряда от напряженности электрического поля; критическое поля.
- •4.3 Подвижность, обусловленная рассеянием на ионизированных центрах. Её зависимость от температуры и концентрации примеси.
- •4.4 Подвижность, обусловленная рассеянием на фотонах кристаллической решетки; её зависимость от температуры и концентрации примеси.
- •4.5 Специфика определения подвижности носителей заряда для полупроводников, содержащих и донорную, и акцепторную примеси одновременно.
4.5 Специфика определения подвижности носителей заряда для полупроводников, содержащих и донорную, и акцепторную примеси одновременно.
Данные материалы называются примесными, так как обладают примесной проводимостью.
Примесные центры:
Атомы или ионы химических элементов, внедрённые в решётку полупроводников
Избыточные атомы или ионы, внедрённые в междоузлия решётки
Различного рода дефекты в кристаллической решётке
Компенсированный проводник – легированный проводник имеющий примерно одинаковую концентрацию донорных и акцепторных примесей, а также свойства, близкие к свойствам собственных полупроводников.
Частично компенсированный проводник – проводник, электронная проводимость которого частично компенсирована дырочной проводимостью примесей, и наоборот.
Перекомпенсированные материалы – материалы, в которых концентрация дырок и примесей одинакова.
***
Полные подвижности носителей заряда µn, µp определяются рассеянием на тепловых колебаниях решетки
(µn*, µp*), а также на нейтральных (µA) и заряженных (µI) примесях (см., например, [12]):
1/µn= 1/µn*+1/µA+1/µI, (12)
1/µp= 1/µp*+1/µA+1/µI, (13)
Это обусловлено тем, что рост концентрации глубоких примесей приводит к росту скорости рекомбинации носителей заряда и, соответственно, к снижению их времени жизни.