- •1.Лекция Общая характеристика геологических дисциплин
- •Понятие о кристаллах и аморфных веществах
- •Процессы минералообразования
- •Эндогенные процессы минералообразования
- •Экзогенные процессы минералообразования
- •Метаморфические процессы минералообразования
- •Методы изучения минералов
- •Петрография. Основные теории генезиса месторождения полезных ископаемых, промышленные типы месторождений.
- •Промышленные типы месторождений Железо
- •2.Лекция Основы геометрической кристаллографии
- •Характеристика кристаллического состояния .Анизотропия свойств
- •Пространственные решетки, кристаллографические системы координат.
- •Индексы кристаллографических направлений и плоскостей. Индексы в гексагональной системе координат.
- •3 Лекция Типы решеток Бравэ.
- •Типы решеток Бравэ.
- •Симметрия – основное свойство кристаллов.
- •Элементы симметрии и симметричные преобразования. Простые и сложные элементы симметрии..
- •Распределение классов по сингониям. Общие определения и системы обозначений классов симметрии. Формула симметрии.
- •Элементы кристаллохимии
- •Принципы упаковки кристаллических структур.
- •Коэффициент компактности(плотность упаковки),координационные числа и координационные многогранники.
- •Понятие атомного радиуса.Связь структур с типами связи.
- •5.Лекция Точечные дефекты
- •Вакансии, межузельные атомы,атомы примеси.Механизм образования точечных дефектов(механизм Шоттки,дефекты Френкеля)
- •Искажение кристаллической решетки вокруг точечных дефектов.
- •Поры вразличных по типу кристаллических структурах,их заполнение межузельными атомами.
- •Линейные дефекты (дислокации )
- •Понятие о дислокациях,виды дислокаций.Краевые дислокации,образование краевой дислокации в результате сдвига.
- •Вектор Бюргерса,его величина и направление. Движение дислокаций.
- •7.Лекция Поверхностные дефекты.
- •Дислокационный механизм процесса полигонизации.
- •Атомно-кристаллическое строение
- •Простые и переходные металлы. Атомно-кристаллическое строение чистых металлов. Кристаллические решетки.
- •Межатомные связи в металлах. Способы размещения атомов в кристаллических решетках.
- •Физические свойства металлических материалов
- •9.Лекция Кристаллизация металлов.
- •Общие закономерности фазовых превращений. Зависимость свободной энергии фаз от температуры.
- •Термодинамические условия протекания процесса кристаллизации.
- •10.Лекция Механизм образования зародышей твердой фазы. Гомогенное и гетерогенное зарождение. Скорости образования и роста кристаллов.
- •Механизм образования зародышей твердой фазы.
- •Форма кристаллов. Факторы,влияющие на форму кристаллов. Дендритная кристаллизация и ликвация.
- •Строение слитка. Образование пор пустот и газовых пузырьков. Зональная ликвация. Распределение примесей внутри слитка.
- •11.Лекция Деформация металлов.
- •Упругая и пластическая деформация металлов
- •Диаграмма растяжения металлов. Изменения, происходящие в металлах при упругой деформации.
- •Пластическая деформация.
- •Дислокационные механизмы пластической деформации поликристаллов.
- •12.Лекция Строение твердых фаз.
- •Твердые растворы .Твердые растворы внедрения и замещения. Ограниченные и неограниченные твердые растворы.
- •13.Лекция Двухкомпонентные системы.
- •Методы построения диаграмм фазовых равновесий. Правило фаз. Фазовые диаграммы систем с неограниченной растворимостью в жидком и твердом состояниях.
- •Фазовые диаграммы систем с отсутствием растворимости в твердом состоянии. Фазовые диаграммы эвтектических и перитектических систем.
- •Правило н.С. Курнакова
- •14.Трехкомпонентные системы.
- •Способы изображения диаграмм трехкомпонентных систем.
- •Основные типы фазовых диаграмм тройных систем.
- •15.Лекция Диаграмма состояния железо-углерод(-цементит)
Методы построения диаграмм фазовых равновесий. Правило фаз. Фазовые диаграммы систем с неограниченной растворимостью в жидком и твердом состояниях.
Диаграмма состояния представляет собой графическое изображение фазового состояния сплавов данной системы в функции температуры и концентрации (рис. 42).
Левая крайняя точка на оси концентраций соответствует 100% содержанию компонента А. Процентное содержание второго компонента откладывается по этой оси слева направо. Правая крайняя точка соответствует 100% содержанию второго компонента В.
Наличие в сплавах промежуточных фаз, образующихся в сплавах в интервале концентраций между чистыми элементами или твердыми растворами на их основе, позволяет рассматривать части диаграммы, между такой фазой и любым из элементом, независимо друг от друга.
Диаграммы состояния, как правило, строят экспериментально. Однако в настоящее время разрабатываются теоретические методы их расчета по термодинамическим функциям с применением ЭВМ.
Для экспериментального построения диаграммы состояния сплавов, образованных компонентами А и В, необходимо изготовить серию сплавов, содержащих различные количества компонентов А и В. Для каждого такого сплава экспериментального строят кривые охлаждения и определяют по ним критические точки, т.е. температуры фазовых превращений. Полученные значения критических точек изучаемых сплавов откладывают на вертикальных линиях, соответствующих химическому составу этих сплавов. Затем соединяют критические точки, соответствующие определенным фазовым превращения и получают линии диаграммы состояний. Линия МКN (рис.42) - геометрическое место всех верхних точек, которые определяют температуры начала кристаллизации сплавов. Ее называют линией ликвидус (ликва – по латыни означает жидкий). Линия МРN – геометрическое место всех нижних критических точек, которые определяют температуры конца кристаллизации сплавов. Ее называют линией солидус (солид – твердый). Эти линии разделяют диаграмму состояний на области определенного фазового состава.
Экспериментально построенные кривые охлаждения и диаграмму состояний проверяют по правилу фаз.
Правило фаз устанавливает температурные условия процесса кристаллизации при заданном давлении, а также определяет сколько фаз должно быть в чистом компоненте или в сплаве определенного состава, если они находятся в равновесном состоянии при данной температуре (или давлении).
Равновесное фазовое состояние сплава определяется составом фаз, температурой и давлением. Число факторов, которые можно менять, не изменяя фазового состава сплава, называют степенью свободы.
Степень свободы (с) определяется числом компонентов (к) и числом фаз (ф), имеющихся в сплаве при данной температуре и давлении: с = к + 2 – ф .
Обычно диаграммы состояний строят для постоянного (атмосферного) давления. В этом случае формула принимает вид
с = к + 1 – ф
Для чистых компонентов степень свободы может принимать значения 0 и 1. В первом случае фазовый состав сохраняется неизменным только при постоянной температуре. Во втором – при изменении температуры. Например, в процессе кристаллизации чистого элемента одновременно существуют две фазы (жидкая и твердая). По правилу фаз можно определить число степеней свободы:
с = к + 1 – ф = 1 + 1 – 2 = 0. Это значит, что процесс кристаллизации чистого элемента пока существуют две фазы, протекает изотермически (см. рис.42). Исчезновение одной из фаз (при полном затвердевании или расплавлении) изменяют число степеней свободы с = 1 + 1 – 1 = 1, т.е. на участках кривой охлаждения выше или ниже температуры кристаллизации превращений не будет.
Для двойных сплавов, состоящих из двух компонентов, степень свободы может принимать значения 0; 1 и 2.
В процессе кристаллизации такого сплава (см. рис. 42) степень свободы будет равна с = к + 1 – ф = 2 + 1 – 2 = 1. Это свидетельствует о наличии функциональной зависимости между температурой пи концентрацией фаз. Процесс кристаллизации сплава, несмотря на выделение теплоты кристаллизации, протекает при понижающейся температуре, хотя и с меньшей скоростью. Каждой температуре в период кристаллизации соответствует определенная концентрация и количество фаз (правило концентрации и правило отрезков).
При кристаллизации некоторых двойных сплавов (эвтектических, перитектических и др.) количество фаз может быть равным трем. В таком случае с = 2 + 1 – 3 = 0, т.е. процесс протекает изотермически и при постоянной концентрации всех трех фаз.
Правило концентрации устанавливает концентрацию фаз сплава при заданной температуре в период кристаллизации. Концентрация жидкой фазы при данной температуре t1 (см. рис. 42) определяется точкой, лежащей при этой температуре на линии ликвидус, т.е. Жс. Концентрация твердой фазы при этой же температуре определяется точкой, лежащей на линии солидус, т.е. αа.
Таким образом в процессе кристаллизации сплава 1 компонент В в жидкой и твердой фазе распределился не одинаково. Будучи более легкоплавким компонентом, чем компонент А, он в большем количестве сохранился в жидкой фазе и в меньшем количестве вошел во вновь образующиеся твердые кристаллы α. Более тугоплавкий, компонент А в большом количестве сосредоточился в кристаллах α.
Неравномерность распределения компонентов в жидкой и твердой фазе оценивают коэффициентом распределения К = Жс/ αа.. Это явление легло в основу кристаллофизических методов получения сверхчистых полупроводниковых элементов.
Из всего сказанного можно сделать вывод, что химический состав выделяющихся кристаллов по мере снижения температуры изменяется по линии солидус от точки к´ до р . В это же время состав жидкой фазы изменяется по линии ликвидус от точки к до точки р´, т.е. обогащается более легкоплавким компонентом В.
Тем не менее, при очень медленном (равновесном) охлаждении (а все диаграммы строятся именно для этого случая) химический состав твердых кристаллов вследствие процесса диффузии выравнивается и концу кристаллизации определяется точкой р, соответствуя химическому составу сплава.
В реальных условиях охлаждения такого выравнивания может и не произойти. В этом случае химический состав одного кристалла в разных его точках может различаться. Такую химическую неоднородность называют микроликвацией.
Правило отрезков устанавливает количественное соотношение фаз в период кристаллизации. Так, например, при температуре t1(см. рис. 42) количество жидкой и твердой фазы в сплаве определится соотношением
Жс + αа – общее количество сплава.
Таким образом, количество жидкой фазы Жс пропорционально отрезку аб, прилегающему к линии солидус, а количество твердой фазы αа – отрезку бс, прилегающему к линии ликвидус. По мере развития процесса кристаллизации отрезок аб, определяющий количество жидкой уменьшается, а отрезок бс – наоборот растет.
