Инверсный активный режим[править | править вики-текст]
Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое.
Режим насыщения[править | править вики-текст]
Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). Если эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками Uэб и Uкб. В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнется проникновение (инжекция) дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера (IЭ.нас) и коллектора (IК.нас).
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ.нас) - это падение напряжения на открытом транзисторе (смысловой аналог RСИ.отк у полевых транзисторов). Аналогично напряжение насыщения база-эмиттер (UБЭ.нас) - это падение напряжение между базой и эмиттером на открытом транзисторе.
Режим отсечки[править | править вики-текст]
В данном режиме коллекторный p-n переход смещён в обратном направлении, а на эмиттерный переход может быть подано как обратное, так и прямое смещение, не превышающее порогового значения, при котором начинается эмиссия неосновных носителей заряда в область базы из эмиттера (для кремниевых транзисторов приблизительно 0,6—0,7 В). Режим отсечки соответствует условию UЭБ<0,7 В, или IБ=0.
Барьерный режим[править | править вики-текст]
В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или вэмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет из себя своеобразный диод, включенный последовательно с токозадающим резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, нечувствительностью к параметрам транзисторов.
Вопрос24.Схема включения транзистора с общей базой. Оссобености. Основные характеристики.
Между
базой и эмиттером транзистора, включённого
по схеме с общим эмиттером, подсоединяют
источник сигнала, а к коллектору –
нагрузку. К эмиттеру транзистора
подключают полюсы одинаковых знаков
источников питания. Входным током
каскада выступает ток базы транзистора,
а выходным током – ток коллектора. Это
показано на рис. 4.3, на примере включения
в электрическую цепь биполярного p-n-p
транзистора.
На практике обходятся одним источником питания, а не двумя. Направление протекания тока по выводам транзистора дано на рисунке. Включение n-p-n транзистора совершенно аналогично включению p-n-p транзистора, однако в данном случае придётся поменять полярность обоих источников питания.
Оссобености:
Коэффициент усиления по току KI всегда несколько меньше единицы;
Большой коэффициент усиления по напряжению KU (зависит от сопротивления нагрузки), примерно совпадает с коэффициентом усиления схемы с ОЭ;
Коэффициент усиления по мощности примерно совпадает с коэффициентом усиления по напряжению (т.к. KP = KU•KI, а KI ? 1);
Очень малое входное сопротивление;
Большое выходное сопротивление;
Напряжение на входе и на выходе совпадают по фазе.