- •Вопрос1.Основы зонной теории строения твердого тела.
- •Вопрос2. Особенности и физические свойства полупроводниковых материалов.
- •Вопрос3. Примесные полупроводники. Принципы получения. Разновидности.
- •Вопрос4.Полупроводники n-типа. Принцип получения. Особенности.
- •Вопрос5.Полупроводники p-типа. Принцип получения. Оссобености.
- •Полупроводник — материал, без которого не мыслим современный мир техники и электроники. Полупроводники проявляют свойства металов и неметаллов в тех или иных условиях.
- •Вопрос6. Зависимость проводимости временных полупроводников от температуры.
- •Вопрос7.Дрейфовый и диффуционные токи в полупроводнике.
- •Вопрос9. P-n переход под действием внешнего электромагнитного поля. Свойства p-n перехода при прямом включении.
- •Вопрос8.Контакт между полупроводниками разных типов. Образование электронно-дырочного перехода.
- •Вопрос10. P-n переход под действием внешнего электромагнитного поля. Свойства p-n перехода при обратном включении.
- •Вопрос11. Виды пробоя p-n перехода их причины и ограничения.
- •Вопрос12.Вольт Амперная Характеристика p-n перехода.
- •Вопрос13.Температурные и частотные свойства p-n перехода.
- •Вопрос14.Полупроводниковые диоды. Определение . Классификация. Маркировка.
- •Типы диодов по назначению:
- •Типы диодов по частотному диапазону[править | править вики-текст]
- •Типы диодов по размеру перехода[править | править вики-текст]
- •Типы диодов по конструкции[править | править вики-текст]
- •Вопрос15. Выпрямительный диод. Конструкция. Уго. Вах . Принцип работы. Основные свойства и параметры. Маркировка.
- •Вопрос16. Высокочастотные диоды. Конструкция. Вах. Основные параметры . Маркеровка.
- •Вопрос17. Кремневые стабилитроны и стабилитроны. Уго. Вах. Принцип работы. Основные параметры. Маркировка.
- •Основные параметры стабилитронов и их типовые значения
- •Вопрос18.Схема простейшего стабилизатора напряжения на стабилитроне.
- •Вопрос19. Маркировка и уго полупроводниковых диодов.
- •Вопрос20.Классификация и маркировка транзисторов.
- •Вопрос21.Устройство биполярных транзисторов. Назначение.
- •Вопрос22.Принцип действия биполярного транзистора.
- •Вопрос23. Режимы работы транзистора. Нормальный активный режим[править | править вики-текст]
- •Инверсный активный режим[править | править вики-текст]
- •Режим насыщения[править | править вики-текст]
- •Режим отсечки[править | править вики-текст]
- •Барьерный режим[править | править вики-текст]
- •Вопрос24.Схема включения транзистора с общей базой. Оссобености. Основные характеристики.
- •Вопрос25.Схема включения транзистора с общим эмиттером. Особенности. Основные параметры.
- •Вопрос26.Схема включения тразистора с общим коллектором. Оссобености. Основные характеристики.
- •Вопрос27. Транзистор, включенный по схеме с общей базой в динамическом режиме. Оссобености работы. Характеристики.
- •Вопрос28.Транзистор. Включенный по схеме с общим эмиттером в динамическом режиме. Оссобености работы. Динамические характеристики.
- •Вопрос29. Простейшая схема усилителя мощности с резистивной нагрузкой.
- •Вопрос30.Температурные и частотные свойства транзисторов.
- •Вопрос31. Биполярный транзистор как активный четырёхполюсник. H-параметры транзистора.
- •Параметры транзистора как четырехполюсника. H-параметры
- •Вопрос32.Полевой транзистор. Конструктивные особенности. Основные характеристики. Уго.
- •Вопрос39
- •По назначению
- •Вопрос40
- •Вопрос41
- •Вопрос42
- •Вопрос43.
- •Вопрос44.
- •Вопрос45. Однотактный трансформаторный каскад
- •Вопрос46.
- •Вопрос47.
- •Вопрос48
Основные параметры стабилитронов и их типовые значения
1. Напряжение стабилизации — падение напряжения на стабилитроне при протекании заданного тока стабилизации (несколько вольт - десятки вольт).
2. Максимальный ток стабилизации (несколько — несколько А).
3.
Минимальный ток стабилизации
(доли
— десятки
).
4. Дифференциальное сопротивление гдиф,
которое определяется при заданном
значении тока на участке пробоя
как
(доли
Ом — тысячи Ом).
5. Температурный коэффициент напряжения стабилизации
Вопрос18.Схема простейшего стабилизатора напряжения на стабилитроне.
Стабилизатор напряжения - преобразователь электрической энергии, позволяющий получить на выходе напряжение, находящееся в заданных пределах при колебаниях входного напряжения и сопротивления нагрузки
Простой стабилизатор напряжения можно использовать в приемопередатчике двухметрового диапазона в случае выхода из строя его стабилизатора. Транзистор 2N3055 следует монтировать ва теплоотводе, если ток, потребляемый приемопередатчиком в режиме передачи, превышает 2А. Эта схема по сравнению со стабилизатором приемопередатчика будет работать немного хуже, однако она позволит сохранить дорогостоящее оборудование при нарушении стабилизации системы энергопитания.
Вопрос19. Маркировка и уго полупроводниковых диодов.
маркировка состоит из шести элементов:
К Д 2 1 7 А или К С 1 9 1 Е
1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6
1 - Буква или цифра, указывающая вид материала, из которого изготовлен диод:
1 или Г – Ge (германий),
2 или К – Si (кремний),
3 или А – GeAs.
2 - Буква, указывающая тип диода по его функциональному назначению:
Д – диод,
С – стабилитрон, стабистор,
В – варикап,
И – туннельный диод.
3,4,5 – Цифры, указывающие назначение и электрические свойства диодов.
6 - Буква, указывающая деление диодов по параметрическим группам.
Условные графические обозначения рассмотренных полупроводниковых диодов представлены на рис. 85.
а - вентильного диода; б - стабилитрона; в - туннельного диода; г - варикапа; д - фотодиода; е – светодиода.
Вопрос20.Классификация и маркировка транзисторов.
Транзистором- называется полупроводниковый преобразовательный прибор, имеющий не менее трёх выводов и способный усиливать мощность. Классификация транзисторов производится по следующим признакам:
· По материалу полупроводника – обычно германиевые или кремниевые;
· По типу проводимости областей (только биполярные транзисторы): с прямой проводимостью (p-n-p - структура) или с обратной проводимостью (n-p-n - структура);
· По принципу действия транзисторы подразделяются на биполярные и полевые (униполярные);
· По частотным свойствам:
НЧ (<3 МГц);
СрЧ (3.30 МГц);
ВЧ и СВЧ (>30 МГц);
1) По мощности:
Маломощные транзисторы ММ (<0,3 Вт), средней мощности СрМ (0,3.3 Вт), мощные (>3 Вт).
МАРКИРОВКА
I – материал полупроводника: Г – германий, К – кремний.
II – тип транзистора по принципу действия: Т – биполярные, П – полевые.
III – три или четыре цифры – группа транзисторов по электрическим параметрам. Первая цифра показывает частотные свойства и мощность транзистора в соответствии с ниже приведённой таблицей. IV – модификация транзистора в 3-й группе.
