- •Вопрос1.Основы зонной теории строения твердого тела.
- •Вопрос2. Особенности и физические свойства полупроводниковых материалов.
- •Вопрос3. Примесные полупроводники. Принципы получения. Разновидности.
- •Вопрос4.Полупроводники n-типа. Принцип получения. Особенности.
- •Вопрос5.Полупроводники p-типа. Принцип получения. Оссобености.
- •Полупроводник — материал, без которого не мыслим современный мир техники и электроники. Полупроводники проявляют свойства металов и неметаллов в тех или иных условиях.
- •Вопрос6. Зависимость проводимости временных полупроводников от температуры.
- •Вопрос7.Дрейфовый и диффуционные токи в полупроводнике.
- •Вопрос9. P-n переход под действием внешнего электромагнитного поля. Свойства p-n перехода при прямом включении.
- •Вопрос8.Контакт между полупроводниками разных типов. Образование электронно-дырочного перехода.
- •Вопрос10. P-n переход под действием внешнего электромагнитного поля. Свойства p-n перехода при обратном включении.
- •Вопрос11. Виды пробоя p-n перехода их причины и ограничения.
- •Вопрос12.Вольт Амперная Характеристика p-n перехода.
- •Вопрос13.Температурные и частотные свойства p-n перехода.
- •Вопрос14.Полупроводниковые диоды. Определение . Классификация. Маркировка.
- •Типы диодов по назначению:
- •Типы диодов по частотному диапазону[править | править вики-текст]
- •Типы диодов по размеру перехода[править | править вики-текст]
- •Типы диодов по конструкции[править | править вики-текст]
- •Вопрос15. Выпрямительный диод. Конструкция. Уго. Вах . Принцип работы. Основные свойства и параметры. Маркировка.
- •Вопрос16. Высокочастотные диоды. Конструкция. Вах. Основные параметры . Маркеровка.
- •Вопрос17. Кремневые стабилитроны и стабилитроны. Уго. Вах. Принцип работы. Основные параметры. Маркировка.
- •Основные параметры стабилитронов и их типовые значения
- •Вопрос18.Схема простейшего стабилизатора напряжения на стабилитроне.
- •Вопрос19. Маркировка и уго полупроводниковых диодов.
- •Вопрос20.Классификация и маркировка транзисторов.
- •Вопрос21.Устройство биполярных транзисторов. Назначение.
- •Вопрос22.Принцип действия биполярного транзистора.
- •Вопрос23. Режимы работы транзистора. Нормальный активный режим[править | править вики-текст]
- •Инверсный активный режим[править | править вики-текст]
- •Режим насыщения[править | править вики-текст]
- •Режим отсечки[править | править вики-текст]
- •Барьерный режим[править | править вики-текст]
- •Вопрос24.Схема включения транзистора с общей базой. Оссобености. Основные характеристики.
- •Вопрос25.Схема включения транзистора с общим эмиттером. Особенности. Основные параметры.
- •Вопрос26.Схема включения тразистора с общим коллектором. Оссобености. Основные характеристики.
- •Вопрос27. Транзистор, включенный по схеме с общей базой в динамическом режиме. Оссобености работы. Характеристики.
- •Вопрос28.Транзистор. Включенный по схеме с общим эмиттером в динамическом режиме. Оссобености работы. Динамические характеристики.
- •Вопрос29. Простейшая схема усилителя мощности с резистивной нагрузкой.
- •Вопрос30.Температурные и частотные свойства транзисторов.
- •Вопрос31. Биполярный транзистор как активный четырёхполюсник. H-параметры транзистора.
- •Параметры транзистора как четырехполюсника. H-параметры
- •Вопрос32.Полевой транзистор. Конструктивные особенности. Основные характеристики. Уго.
- •Вопрос39
- •По назначению
- •Вопрос40
- •Вопрос41
- •Вопрос42
- •Вопрос43.
- •Вопрос44.
- •Вопрос45. Однотактный трансформаторный каскад
- •Вопрос46.
- •Вопрос47.
- •Вопрос48
Вопрос31. Биполярный транзистор как активный четырёхполюсник. H-параметры транзистора.
Четырехполюсником называется любое электрическое устройство, имеющее два входа и два выхода. Активным четырехполюсником называется четырехполюсник, способный усиливать мощность. Представим транзистор в виде активного четырехполюсника (рис. 7.20).
Рис. 7.20. Представление транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, в виде четырехполюсника,
Присвоим входным току и напряжению индексы 1, а выходным напряжению и току индексы 2. Для транзисторов достаточно знать две любые переменные из четырех - U1, I1 и U2, I2, две остальные переменные можно найти по статическим характеристикам транзистора. Переменные, которые известны или же которыми задаются, называют независимыми, две другие переменные, которые можно определить, именуют зависимыми переменными.
В зависимости от того, какие из переменных будут выбираться в виде независимых, можно получить разные системы параметров в режиме малого сигнала
Некоторые системы параметров
Независимая переменная I 1, I2 U1, U2 I1, U2
Зависимая переменная U1, U2 I1, I2 I2, I1
Система z y h
В системе h параметров в виде независимых переменных приняты входной ток и выходное напряжение. В этом случае зависимые переменные U1 = f(I1, U2),
I2 = f (I1, U2).
Тогда два основных уравнения, определяющие зависимые переменные должны иметь вид:
U1 = I1P + U2Q
Параметры транзистора как четырехполюсника. H-параметры
Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 5.23).
Рис. 5.23. Схема четырехполюсника
В зависимости от того, какие из этих параметров выбраны в качестве входных, а какие в качестве выходных, можно построить три системы формальных параметров транзистора как четырехполюсника. Это системы z-параметров, y-параметров и h-параметров. Рассмотрим их более подробно, используя линейное приближение.
Для разных схем включения транзистора токи и напряжения этого четырехполюсника обозначают различные токи и напряжения транзистора. Например, для схемы с общим эмиттером эти токи и напряжения следующие:
i1 – переменная составляющая тока базы;
u1 – переменная составляющая напряжения между базой и эмиттером;
i2 – переменная составляющая тока коллектора;
u2 – переменная составляющая напряжения между коллектором и эмиттером.
Транзистор удобно описывать, используя так называемые h-параметры.
Входное сопротивление транзистора для переменного сигнала (при закороченном выходе: u2=0) :
Аналогично
-
коэффициент обратной связи по напряжению.
Режим работы при i1=0 называют холостым ходом на входе.
Далее
-
коэффициент передачи тока,
-
выходная проводимость.
При этом
т.е
Коэффициенты hij определяются опытным путем. Параметры, соответствующие схеме с общим эмиттером, обозначаются буквой «э», а схеме с общей базой – буквой «б».
