- •Вопрос1.Основы зонной теории строения твердого тела.
- •Вопрос2. Особенности и физические свойства полупроводниковых материалов.
- •Вопрос3. Примесные полупроводники. Принципы получения. Разновидности.
- •Вопрос4.Полупроводники n-типа. Принцип получения. Особенности.
- •Вопрос5.Полупроводники p-типа. Принцип получения. Оссобености.
- •Полупроводник — материал, без которого не мыслим современный мир техники и электроники. Полупроводники проявляют свойства металов и неметаллов в тех или иных условиях.
- •Вопрос6. Зависимость проводимости временных полупроводников от температуры.
- •Вопрос7.Дрейфовый и диффуционные токи в полупроводнике.
- •Вопрос9. P-n переход под действием внешнего электромагнитного поля. Свойства p-n перехода при прямом включении.
- •Вопрос8.Контакт между полупроводниками разных типов. Образование электронно-дырочного перехода.
- •Вопрос10. P-n переход под действием внешнего электромагнитного поля. Свойства p-n перехода при обратном включении.
- •Вопрос11. Виды пробоя p-n перехода их причины и ограничения.
- •Вопрос12.Вольт Амперная Характеристика p-n перехода.
- •Вопрос13.Температурные и частотные свойства p-n перехода.
- •Вопрос14.Полупроводниковые диоды. Определение . Классификация. Маркировка.
- •Типы диодов по назначению:
- •Типы диодов по частотному диапазону[править | править вики-текст]
- •Типы диодов по размеру перехода[править | править вики-текст]
- •Типы диодов по конструкции[править | править вики-текст]
- •Вопрос15. Выпрямительный диод. Конструкция. Уго. Вах . Принцип работы. Основные свойства и параметры. Маркировка.
- •Вопрос16. Высокочастотные диоды. Конструкция. Вах. Основные параметры . Маркеровка.
- •Вопрос17. Кремневые стабилитроны и стабилитроны. Уго. Вах. Принцип работы. Основные параметры. Маркировка.
- •Основные параметры стабилитронов и их типовые значения
- •Вопрос18.Схема простейшего стабилизатора напряжения на стабилитроне.
- •Вопрос19. Маркировка и уго полупроводниковых диодов.
- •Вопрос20.Классификация и маркировка транзисторов.
- •Вопрос21.Устройство биполярных транзисторов. Назначение.
- •Вопрос22.Принцип действия биполярного транзистора.
- •Вопрос23. Режимы работы транзистора. Нормальный активный режим[править | править вики-текст]
- •Инверсный активный режим[править | править вики-текст]
- •Режим насыщения[править | править вики-текст]
- •Режим отсечки[править | править вики-текст]
- •Барьерный режим[править | править вики-текст]
- •Вопрос24.Схема включения транзистора с общей базой. Оссобености. Основные характеристики.
- •Вопрос25.Схема включения транзистора с общим эмиттером. Особенности. Основные параметры.
- •Вопрос26.Схема включения тразистора с общим коллектором. Оссобености. Основные характеристики.
- •Вопрос27. Транзистор, включенный по схеме с общей базой в динамическом режиме. Оссобености работы. Характеристики.
- •Вопрос28.Транзистор. Включенный по схеме с общим эмиттером в динамическом режиме. Оссобености работы. Динамические характеристики.
- •Вопрос29. Простейшая схема усилителя мощности с резистивной нагрузкой.
- •Вопрос30.Температурные и частотные свойства транзисторов.
- •Вопрос31. Биполярный транзистор как активный четырёхполюсник. H-параметры транзистора.
- •Параметры транзистора как четырехполюсника. H-параметры
- •Вопрос32.Полевой транзистор. Конструктивные особенности. Основные характеристики. Уго.
- •Вопрос39
- •По назначению
- •Вопрос40
- •Вопрос41
- •Вопрос42
- •Вопрос43.
- •Вопрос44.
- •Вопрос45. Однотактный трансформаторный каскад
- •Вопрос46.
- •Вопрос47.
- •Вопрос48
Вопрос41
Резисторным называется каскад с резистором в качестве нагрузки. В выходной цепи резисторного каскада имеются только резисторы или рези-сторы и конденсаторы.
Каскады предварительного усиления находятся между источником сигнала и выходным каскадом, их назначение – усилить сигнал, полученный от источника до уровня, который необходимо подать на вход выходного каскада, чтобы получить на его выходе заданную мощность или напряжение.
Транзисторы в каскадах предварительного усиления обычно включают с общим эмиттером, так как при работе на входную цепь следующего каскада это даёт возможность получить наибольшее усиление.
Основными элементами схемы являются источник питания Ек, управляемый элемент – транзистор VT и резистор Rк. Эти элементы образуют выходную цепь усилительного каскада, в которой за счет протекания управляемого тока создается усиленное переменное напряжение на выходе схемы.
Каскад состоит из:
биполярного транзистора VT1;
резистор Rб, который задаёт точку покоя каскада по постоянному току;
резистор Rк, который преобразует меняющийся ток коллектора в синхронно изменяющееся напряжение на коллекторе, а также участвует в задании напряжения покоя на коллекторе.
С помощью резистора Rк создается выходное напряжение, т.е. Rк выполняет функцию создания изменяющегося напряжения в выходной цепи за счет протекания в ней тока, управляемого по цепи базы.
Вопрос42
Различают 4 режима работы транзистора:
Активный – к эмитерному переходу прямое напряжение, к колекторному – обратное, выходной сигнал усиливается по мощности(основной режим)
Отсечки – к обоим переходам обратное напряжение, транзистор практически закрыт.
Насыщения – к обоим переходам прямое напряжение, выходной ток максимальный и не регулируется током входной цепи, в этом режиме транзистор полностью открыт.
Инверсный – к эмитеру обратное напряжение, к коллектору – прямое.
Вопрос43.
Виды межкаскадных связей.
Для увеличения коэффициента усиления могут приме-
няться многокаскадные усилители. В этом случае между каскадами, а также между входом усилителя и источником сигнала или же между выходом усилителя и нагрузкой могут существовать следующие виды межкаскадных связей.
1) Резисторно-ёмкостная связь.
Резисторно-ёмкостная связь является наиболее широко распространённой в усилителях переменного напряжения.
2) Трансформаторная связь.
Трансформаторная связь позволяет осуществить оптимальное согласование между каскадами
путём подбора коэффициента трансформации трансформатора.
Недостатки:
Сравнительно большие габариты и вес трансформаторов.
Большие частотные искажения, так как сопротивления обмоток трансформатора зависят от частоты XL = ω ∙ L, поэтому трансформаторная связь применяется на низких частотах и в узком диапазоне.
3) Гальваническая (непосредственная) связь.
Гальваническая связь применяется в УПТ.
Схема двухкаскадного усилителя с резистивно-емкостной связью.
Рис.1
Ср1, Ср2, Ср3 – разделительные конденсаторы.
Например:
1) Cр2 разделяет каскады по постоянным составляющим тока, поэтому режим работы второго каскада не зависит от элементов первого каскада, это позволяет: рассчитывать, проверять, настраивать режим работы каждого каскада в отдельности.
2) Ср2 пропускает переменную составляющую тока коллектора первого каскада (iк1) в R2, где создается падение напряжения являющееся входным для второго каскада.
3) При этом Ср2 вносит частотные искажения. Ср2 заваливает низкие частоты.
f ↓→ XСр2 ↑→ UСр2 ↑→ Uвых ↓→ Ku ↓
Покажем это на АЧХ:
Рис.2
Ск включен параллельно нагрузке и шунтирует ее по высокой частоте, т.е.
f ↑→XСк ↓→ Iс↑→ Iн↓ Ku↓
Резистивно-емкостная связь (R-C) применяется тогда, когда не надо усиливать постоянный ток и очень низкие частоты.
