Вопрос12.Вольт Амперная Характеристика p-n перехода.

Вольт-амперной характеристикой называется зависимость тока, протекающего через диод I_A, в функции приложенного напряжения

При прямом включении ток резко возрастает. P-n переход обладает несимметричными свойствами плохо проводит обратный ток и хорошо прямой.

Температурные свойства.

С ростом температуры происходит увеличение как прямого тока, так и обратного Возрастает количество энергии передаваемой атому, значит увеличивается концентрация свободных носителей заряда.

Увеличение обратного тока заметно, так как он основан неосновными носителями заряда.

 Увеличение прямого тока не заметно, так как он основан основными носителями заряда.

Емкостные свойства проявляются при переменном токе. При обратном включении через p-n- переход напряжение падает на высоком сопротивлении пн-перехода.P-n-переход подобен обычному плоскому конденсатору, где p и n  как обкладки, а p-n  переход диэлектрик. При прямом напряжении проявляется диффузионная емкость p-n перехода. Величина ее немного больше барьерной.

Вопрос13.Температурные и частотные свойства p-n перехода.

Так как величина обратного тока во много раз меньше, чем прямого, то обратным током мож­но пренебречь и считать, что р-n переход проводит ток только в одну сторону. Температурное свойство р-n перехода показывает, как изменяется работа р-n перехода при из­менении температуры. На р-n переход в значительной степени влияет нагрев, в очень малой степени - охлаждение. При увеличении температуры увеличивается термогенерация носи­телей заряда, что приводит к увеличению как прямого, так и обратного тока. Частотные свойства р-n перехода показывают, как работает р-n переход при подаче на него переменного напряжения высокой частоты. Частотные свойства р-n перехода определяются двумя видами емкости перехода.

Первый вид емкости - это емкость, обусловленная неподвижными зарядами ионов донорной и акцепторной примеси. Она называется зарядной, или барьерной емкостью. Второй тип емкости - это диффузионная емкость, обусловленная диффузией подвижных носи­телей заряда через р-n переход при прямом включении.

Если на р-n переход подавать переменное напряжение, то емкостное сопротивление р-n пере­хода будет уменьшаться с увеличением частоты, и при некоторых больших частотах ем­костное сопротивление может сравняться с внутренним сопротивлением р-n перехода при пря­мом включении. В этом случае при обратном включении через эту емкость потечет достаточно большой обратный ток, и р-n переход потеряет свойство односторонней проводимости.

Вывод: чем меньше величина емкости р-n перехода, тем на более высоких частотах он может работать.

На частотные свойства основное влияние оказывает барьерная емкость, т. к. диффузионная емкость имеет место при прямом включении, когда внутреннее сопротивление р-n перехода мало.

Вопрос14.Полупроводниковые диоды. Определение . Классификация. Маркировка.

Полупроводнико́вый дио́д — полупроводниковый прибор, в широком смысле - электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле - полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один или несколько p-n-переходов.

В отличие от других типов диодов, например, вакуумных, принцип действия полупроводниковых диодов основывается на различных физических явлениях переноса зарядов в твердотельном полупроводнике и взаимодействии их с электромагнитном полем в полупроводнике.